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2SK2035-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2035-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-75-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,20V,0.85A,RDS(ON),270mΩ@4.5V,390mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SC-75-3适用于低电压、小电流、空间受限 的应用场景。如智能充电器,便携式/物联网设备,传感器模块等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,20V,0.85A,RDS(ON),270mΩ@4.5V,390mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SC-75-3适用于低电压、小电流、空间受限 的应用场景。如智能充电器,便携式/物联网设备,传感器模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:95
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 95+ ¥0.4361 ¥0.459
  • 285+ ¥0.418 ¥0.44
  • 570+ ¥0.4114 ¥0.433
  • 900+ ¥0.4009 ¥0.422
合计:¥41.43
标准包装数量:3000

BSS670S2L H6327-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS670S2L H6327-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,4A,RDS(ON),75mΩ@10V,86mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7th(V) 封装:SOT23-3.
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,4A,RDS(ON),75mΩ@10V,86mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7th(V) 封装:SOT23-3.
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 450+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 900+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1400+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥41.90
标准包装数量:3000

RAQ045P01MGTCR-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RAQ045P01MGTCR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于电源管理模块,负载开关与电源路径管理,电池供电设备等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于电源管理模块,负载开关与电源路径管理,电池供电设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 450+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 900+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1400+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥41.90
标准包装数量:3000

2SK1473-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK1473-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-89-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,4.2A,RDS(ON),102mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:SOT-89-3适用于高精度测量仪器、工业控制设备、医疗电子设备和通信模块等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,4.2A,RDS(ON),102mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:SOT-89-3适用于高精度测量仪器、工业控制设备、医疗电子设备和通信模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:55
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 55+ ¥0.7847 ¥0.826
  • 400+ ¥0.7534 ¥0.793
  • 800+ ¥0.741 ¥0.78
  • 1200+ ¥0.722 ¥0.76
合计:¥43.16
标准包装数量:1000

2SK2231-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2231-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252 用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252 用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

2SK2735-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2735-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

W111-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: W111-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-7.3A,RDS(ON),35mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8具有高集成度、低导通电阻和高电流能力等优势;适用于中央空调智能控制系统、汽车电子系统、电源多路分配与负载开关等。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-7.3A,RDS(ON),35mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8具有高集成度、低导通电阻和高电流能力等优势;适用于中央空调智能控制系统、汽车电子系统、电源多路分配与负载开关等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:4000

2SK2046-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2046-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

2SK1474-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK1474-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,15A,RDS(ON),114mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252适用于开关电源,电机驱动,负载开关与电源路径管理等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,15A,RDS(ON),114mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252适用于开关电源,电机驱动,负载开关与电源路径管理等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.5704 ¥1.653
  • 200+ ¥1.5067 ¥1.586
  • 400+ ¥1.482 ¥1.56
  • 600+ ¥1.444 ¥1.52
合计:¥47.11
标准包装数量:2500

BSP126/S911115-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSP126/S911115-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,250V,0.79A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:SOT223-3适用于低功率电源、电源开关、LED照明、传感器接口和便携式电子产品等多个领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,250V,0.79A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:SOT223-3适用于低功率电源、电源开关、LED照明、传感器接口和便携式电子产品等多个领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:2500

BSR92P H6327-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSR92P H6327-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SOT23-3;P沟道,-200V;-0.8A;RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=-3V.
    台积电流片,长电封测。SOT23-3;P沟道,-200V;-0.8A;RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=-3V.
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:3000

W351-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: W351-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±60V,5.3/-4.9A,RDS(ON),26/55mΩ@10V,29/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8/-1.7Vth(V)封装:SOP8具备低导通电阻和高集成度的特性,适用于多种中低功率、高效率的电力电子场景。
    台积电流片,长电封测。N+P沟道,±60V,5.3/-4.9A,RDS(ON),26/55mΩ@10V,29/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8/-1.7Vth(V)封装:SOP8具备低导通电阻和高集成度的特性,适用于多种中低功率、高效率的电力电子场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.0938 ¥2.204
  • 150+ ¥2.0102 ¥2.116
  • 300+ ¥1.976 ¥2.08
  • 500+ ¥1.9257 ¥2.027
合计:¥41.88
标准包装数量:4000

2SK3149-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK3149-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.3845 ¥2.51
  • 150+ ¥2.3057 ¥2.427
  • 300+ ¥2.2477 ¥2.366
  • 500+ ¥2.2078 ¥2.324
合计:¥47.69
标准包装数量:1000

K891-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: K891-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

07N70CF-A-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 07N70CF-A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
    台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

AONY36304-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AONY36304-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,60A,RDS(ON),3.4mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)可用于高效率、高功率密度的电源与驱动应用场景。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,60A,RDS(ON),3.4mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)可用于高效率、高功率密度的电源与驱动应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

VBGQF1302 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBGQF1302
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3.3X3.3-8L;N沟道;VDS=30V;ID =70A;RDS(ON)1.8mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V。
    台积电流片,长电封测。DFN3.3X3.3-8L;N沟道;VDS=30V;ID =70A;RDS(ON)1.8mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

2SK3095LS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK3095LS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,10A,RDS(ON),830mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于车载充电机、太阳能逆变器、工业电源与适配器等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,10A,RDS(ON),830mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于车载充电机、太阳能逆变器、工业电源与适配器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 200+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 300+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥56.19
标准包装数量:1000

FQD3P50TM-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQD3P50TM-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道,-500V,-4A,RDS(ON)=3900mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=-3V;具有高耐压、小尺寸、低导通电阻和良好热可靠性等特点;适用于智能LED照明系统、工业辅助电源、家电安全控制、高压开关电源与PFC电路等。
    台积电流片,长电封测。TO252;P沟道,-500V,-4A,RDS(ON)=3900mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=-3V;具有高耐压、小尺寸、低导通电阻和良好热可靠性等特点;适用于智能LED照明系统、工业辅助电源、家电安全控制、高压开关电源与PFC电路等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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  • 10+ ¥4.257 ¥4.481
  • 100+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 300+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥42.57
标准包装数量:2500

AOTF240L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOTF240L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=40V;ID =180A;RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=3mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=40V;ID =180A;RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=3mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
合计:¥51.08
标准包装数量:1000
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