处理中...

{{item.name}}

IRF7313TR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7313TR
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N+N沟道 30V 6.8A 22mΩ@10V SO-8
    N+N沟道 30V 6.8A 22mΩ@10V SO-8
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7232
合计:¥3.62
标准包装数量:4000

IRF7832ZTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7832ZTRPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,18A,RDS(ON),5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.72Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,30V,18A,RDS(ON),5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.72Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0253
合计:¥5.13
标准包装数量:4000

IRF9530STRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9530STRLPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: TO263;P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2~-4Vth(V);
    TO263;P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2~-4Vth(V);
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4474
合计:¥7.24
标准包装数量:800

IRF840ASTRRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF840ASTRRPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,650V,10A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V);TO263
    N—Channel沟道,650V,10A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V);TO263
  • 库   存:34
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.6537
合计:¥13.27
标准包装数量:1000

IRFB17N50LPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB17N50LPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220
    N—Channel沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220
  • 库   存:10
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥4.4537
合计:¥22.27
标准包装数量:1000

PMV20ENR-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMV20ENR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款单通道N沟道场效应晶体管(SingleN),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于低电压、低功率应用领域,其高效的电能控制特性使其在各种电子模块和电路中得到广泛应用,以提高能效和延长电池寿命。
    台积电流片,长电封测。一款单通道N沟道场效应晶体管(SingleN),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于低电压、低功率应用领域,其高效的电能控制特性使其在各种电子模块和电路中得到广泛应用,以提高能效和延长电池寿命。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥0.2851 ¥0.3168
  • 100+ ¥0.2804 ¥0.3115
  • 150+ ¥0.2732 ¥0.3036
合计:¥14.26
标准包装数量:3000

DMP3130LQ-7-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3130LQ-7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的SingleP系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
    台积电流片,长电封测。VBsemi的SingleP系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥0.2851 ¥0.3168
  • 100+ ¥0.2804 ¥0.3115
  • 150+ ¥0.2732 ¥0.3036
合计:¥14.26
标准包装数量:3000

SSM6J501NU-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SSM6J501NU-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V);06Vth(V) 封装:DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗,尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V);06Vth(V) 封装:DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗,尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.4278 ¥1.5864
  • 100+ ¥1.404 ¥1.56
  • 150+ ¥1.3683 ¥1.5203
合计:¥71.39
标准包装数量:5000

SQD15N06-42L_GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQD15N06-42L_GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.4278 ¥1.5864
  • 100+ ¥1.404 ¥1.56
  • 150+ ¥1.3683 ¥1.5203
合计:¥71.39
标准包装数量:2500

NVMFS016N10MCLT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVMFS016N10MCLT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。100V;30A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;其小封装和高性能使其在紧凑空间和高效能要求的场合中得到广泛应用。包括汽车电子、无线通信和工业自动化等,具有广泛的应用前景。
    台积电流片,长电封测。100V;30A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;其小封装和高性能使其在紧凑空间和高效能要求的场合中得到广泛应用。包括汽车电子、无线通信和工业自动化等,具有广泛的应用前景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.3803 ¥2.6448
  • 100+ ¥2.3406 ¥2.6007
  • 150+ ¥2.2811 ¥2.5346
合计:¥119.02
标准包装数量:5000

NVMFS6B14NT3G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVMFS6B14NT3G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。100V;30A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;其小封装和高性能使其在紧凑空间和高效能要求的场合中得到广泛应用。包括汽车电子、无线通信和工业自动化等,具有广泛的应用前景。
    台积电流片,长电封测。100V;30A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;其小封装和高性能使其在紧凑空间和高效能要求的场合中得到广泛应用。包括汽车电子、无线通信和工业自动化等,具有广泛的应用前景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.3803 ¥2.6448
  • 100+ ¥2.3406 ¥2.6007
  • 150+ ¥2.2811 ¥2.5346
合计:¥119.02
标准包装数量:5000

DMNH10H028SK3Q-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMNH10H028SK3Q-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=100V;ID =35A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;作为一款高性能的单通道N沟道场效应管,适用于电源模块、驱动模块、LED照明、电动工具等多种领域和模块,可为各种电力电子应用提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
    台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=100V;ID =35A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;作为一款高性能的单通道N沟道场效应管,适用于电源模块、驱动模块、LED照明、电动工具等多种领域和模块,可为各种电力电子应用提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:2500

NVMFD5C674NLT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVMFD5C674NLT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V)封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N型MOSFET,提供了优异的开关性能、低导通电阻和高可靠性,广泛应用于电源管理、功率转换、汽车电子和其他高电流负载的模块中。
    台积电流片,长电封测。30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V)封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N型MOSFET,提供了优异的开关性能、低导通电阻和高可靠性,广泛应用于电源管理、功率转换、汽车电子和其他高电流负载的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:5000

NVMFD020N06CT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVMFD020N06CT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V)封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N型MOSFET,提供了优异的开关性能、低导通电阻和高可靠性,广泛应用于电源管理、功率转换、汽车电子和其他高电流负载的模块中。
    台积电流片,长电封测。30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V)封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N型MOSFET,提供了优异的开关性能、低导通电阻和高可靠性,广泛应用于电源管理、功率转换、汽车电子和其他高电流负载的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:5000

AOD66919-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD66919-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道,100V;85A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;适用于各种需要中等电压、中等电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。
    台积电流片,长电封测。TO252;N沟道,100V;85A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;适用于各种需要中等电压、中等电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.9668 ¥4.4076
  • 100+ ¥3.9007 ¥4.3341
  • 150+ ¥3.8016 ¥4.224
合计:¥198.34
标准包装数量:2500

DMTH10H4M6SPSW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH10H4M6SPSW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。100V;105A;RDS(ON)=5.6mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;封装为DFN8(5X6)。适用于需要高电压、大电流和高效能力的应用,包括电动汽车、太阳能逆变器和工业高压应用等领域的模块设计。
    台积电流片,长电封测。100V;105A;RDS(ON)=5.6mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;封装为DFN8(5X6)。适用于需要高电压、大电流和高效能力的应用,包括电动汽车、太阳能逆变器和工业高压应用等领域的模块设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.9668 ¥4.4076
  • 100+ ¥3.9007 ¥4.3341
  • 150+ ¥3.8016 ¥4.224
合计:¥198.34
标准包装数量:5000

NCE70T360-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NCE70T360-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=650V;ID =12A;RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于汽车电子系统中的电动汽车充电桩、电池管理系统和车载电源等模块,满足汽车电气系统对高电压和大电流的需求。
    台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=650V;ID =12A;RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于汽车电子系统中的电动汽车充电桩、电池管理系统和车载电源等模块,满足汽车电气系统对高电压和大电流的需求。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥5.1257 ¥5.6952
  • 100+ ¥5.0403 ¥5.6003
  • 150+ ¥4.9121 ¥5.4579
合计:¥256.29
标准包装数量:1000

SPW20N60CFDFKSA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPW20N60CFDFKSA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥8.7869 ¥9.7632
  • 100+ ¥8.6405 ¥9.6005
  • 150+ ¥8.4208 ¥9.3564
合计:¥439.35
标准包装数量:300

IXTQ48N65X2M-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IXTQ48N65X2M-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-3P
  • 描述: 一款高性能的单通道 N 沟道场效应管,VDS=650V;ID =47A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V,适用于需要高压和中等功率的功率电子应用,包括工业、能源、交通和自动化控制等领域的模块设计。
    一款高性能的单通道 N 沟道场效应管,VDS=650V;ID =47A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V,适用于需要高压和中等功率的功率电子应用,包括工业、能源、交通和自动化控制等领域的模块设计。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥14.6448 ¥16.272
  • 100+ ¥14.4007 ¥16.0008
  • 150+ ¥14.0346 ¥15.594
合计:¥732.24
标准包装数量:300

SQW33N65EF-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQW33N65EF-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,38A,RDS(ON),0.067Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247广泛应用于需要高电压、高电流和高性能的功率控制和开关应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,38A,RDS(ON),0.067Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247广泛应用于需要高电压、高电流和高性能的功率控制和开关应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥15.8166 ¥17.574
  • 100+ ¥15.553 ¥17.2811
  • 100+ ¥15.553 ¥17.2811
合计:¥790.83
标准包装数量:300
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧