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10B8-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 10B8-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: N—Channel沟道,100V,3.2A,RDS(ON),100mΩ@10V,127mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT23-6
    N—Channel沟道,100V,3.2A,RDS(ON),100mΩ@10V,127mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:400000
  • 起订量:55
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 55+ ¥0.7847 ¥0.826
  • 400+ ¥0.7534 ¥0.793
  • 800+ ¥0.741 ¥0.78
  • 1200+ ¥0.722 ¥0.76
合计:¥43.16
标准包装数量:3000

2SK3122-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK3122-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-89-3
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
    N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
  • 库   存:400000
  • 起订量:55
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 55+ ¥0.7847 ¥0.826
  • 400+ ¥0.7534 ¥0.793
  • 800+ ¥0.741 ¥0.78
  • 1200+ ¥0.722 ¥0.76
合计:¥43.16
标准包装数量:1000

AO6414-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO6414-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: N—Channel沟道,60V,7A,RDS(ON),30mΩ@10V,35mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-6
    N—Channel沟道,60V,7A,RDS(ON),30mΩ@10V,35mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 50+ ¥0.8731 ¥0.919
  • 350+ ¥0.8379 ¥0.882
  • 700+ ¥0.8237 ¥0.867
  • 1100+ ¥0.8028 ¥0.845
合计:¥43.66
标准包装数量:3000

15N03-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 15N03-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

2SK2925-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2925-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252 用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252 用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

130N03L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 130N03L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,30A,RDS(ON),13mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN8(3X3)适用于空间受限,但对效率和电流能力要求较高的设备;如笔记本电脑、无人机、电动工具、光伏逆变器、电动车辅助电源等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,30A,RDS(ON),13mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN8(3X3)适用于空间受限,但对效率和电流能力要求较高的设备;如笔记本电脑、无人机、电动工具、光伏逆变器、电动车辅助电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.5571 ¥1.639
  • 200+ ¥1.4944 ¥1.573
  • 400+ ¥1.4697 ¥1.547
  • 600+ ¥1.4326 ¥1.508
合计:¥46.71
标准包装数量:5000

2SK2935-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2935-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.919 ¥2.02
  • 150+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 300+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 500+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥47.98
标准包装数量:1000

DMG8601UFG-7-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMG8601UFG-7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,20V,9.4A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:DFN8(3X3)以其低导通电阻和高电流处理能力,适合各种需要高效开关和低功耗的应用场景,确保系统的高效性和可靠性。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,20V,9.4A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:DFN8(3X3)以其低导通电阻和高电流处理能力,适合各种需要高效开关和低功耗的应用场景,确保系统的高效性和可靠性。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:5000

2SK2872-01MR-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2872-01MR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
    台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:1000

06N60E-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 06N60E-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
    台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

SIZ998BDT-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIZ998BDT-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);2个N沟道,30V;100A;RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1.7V;适用于电池端大电流充放电管理,常出现在储能系统和BMS保护回路等。
    台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);2个N沟道,30V;100A;RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1.7V;适用于电池端大电流充放电管理,常出现在储能系统和BMS保护回路等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

DMNH6021SPDQ-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMNH6021SPDQ-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,30A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN5X6用于需高集成度、低导通损耗与中高电流开关的场景。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,30A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN5X6用于需高集成度、低导通损耗与中高电流开关的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

DMTH69M9LPDW-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH69M9LPDW-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,30A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN5X6用于需高集成度、低导通损耗与中高电流开关的场景。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,30A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN5X6用于需高集成度、低导通损耗与中高电流开关的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

DMN10H220LPDW-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN10H220LPDW-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道;100V;30A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;封装DFN5X6适用于高效率、高功率密度、空间受限的中高压系统中;如工业电机、电动工具、无人车动力系统、缘计算网关、服务器电源、AI 设备等。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道;100V;30A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;封装DFN5X6适用于高效率、高功率密度、空间受限的中高压系统中;如工业电机、电动工具、无人车动力系统、缘计算网关、服务器电源、AI 设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

DMTH6010LPDW-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH6010LPDW-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,30A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN5X6用于需高集成度、低导通损耗与中高电流开关的场景。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,30A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN5X6用于需高集成度、低导通损耗与中高电流开关的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

IPG20N06S4L11ATMA2-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPG20N06S4L11ATMA2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,30A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN5X6用于需高集成度、低导通损耗与中高电流开关的场景。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,30A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN5X6用于需高集成度、低导通损耗与中高电流开关的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

DMTH4014LPD-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH4014LPD-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;2个N沟道,40V;90A;RDS(ON)=2.2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;具有超低导通电阻和高功率密度集成,适用于对效率、电流能力与空间利用率要求严苛的场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;2个N沟道,40V;90A;RDS(ON)=2.2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;具有超低导通电阻和高功率密度集成,适用于对效率、电流能力与空间利用率要求严苛的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥4.5971 ¥4.839
  • 100+ ¥4.446 ¥4.68
  • 200+ ¥4.333 ¥4.561
  • 300+ ¥4.2579 ¥4.482
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

DMTH4011SPDQ-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH4011SPDQ-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;2个N沟道,40V;90A;RDS(ON)=2.2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;具有超低导通电阻和高功率密度集成,适用于对效率、电流能力与空间利用率要求严苛的场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;2个N沟道,40V;90A;RDS(ON)=2.2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;具有超低导通电阻和高功率密度集成,适用于对效率、电流能力与空间利用率要求严苛的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥4.5971 ¥4.839
  • 100+ ¥4.446 ¥4.68
  • 200+ ¥4.333 ¥4.561
  • 300+ ¥4.2579 ¥4.482
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

SIRB40DP-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRB40DP-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;2个N沟道,40V;90A;RDS(ON)=2.2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;具有超低导通电阻和高功率密度集成,适用于对效率、电流能力与空间利用率要求严苛的场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;2个N沟道,40V;90A;RDS(ON)=2.2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;具有超低导通电阻和高功率密度集成,适用于对效率、电流能力与空间利用率要求严苛的场景。
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05CN10L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 05CN10L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
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