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  3. VBsemi/微碧半导体
  4. 场效应管(MOSFET)
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IRF820PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号： IRF820PBF
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：TO-220
  • 描述： N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V)；TO220
    N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V)；TO220
  • 库   存：10
  • 起订量：5
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ￥1.2063
合计：￥6.03
标准包装数量：1000

DMP21D0UT-7-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： DMP21D0UT-7-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：SC-75-3
  • 描述： 台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-0.4A,RDS(ON),450mΩ@4.5V,500mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.45Vth(V) 封装：SC75-3可用于电动工具控制模块中的电机驱动、功率开关等功能。
    台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-0.4A,RDS(ON),450mΩ@4.5V,500mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.45Vth(V) 封装：SC75-3可用于电动工具控制模块中的电机驱动、功率开关等功能。
  • 库   存：40000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥0.3964 ￥0.4404
  • 100+ ￥0.3898 ￥0.4331
  • 150+ ￥0.3799 ￥0.4221
合计：￥19.82
标准包装数量：3000

FDS8447-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： FDS8447-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：SOP-8
  • 描述： 台积电流片，长电封测。N沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)封装：SOP8\n适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。
    台积电流片，长电封测。N沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)封装：SOP8\n适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。
  • 库   存：40000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥1.269 ￥1.41
  • 100+ ￥1.2479 ￥1.3865
  • 150+ ￥1.2162 ￥1.3513
合计：￥63.45
标准包装数量：4000

SIA469DJ-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： SIA469DJ-T1-GE3-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：DFN-6
  • 描述： 台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),38mΩ@4.5V,45mΩ@2.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V) 封装：QFN-6(2x2)适用于各种电路和模块，特别适合在有限空间内进行功率控制。
    台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),38mΩ@4.5V,45mΩ@2.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V) 封装：QFN-6(2x2)适用于各种电路和模块，特别适合在有限空间内进行功率控制。
  • 库   存：40000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥1.2692 ￥1.4102
  • 100+ ￥1.248 ￥1.3867
  • 150+ ￥1.2164 ￥1.3515
合计：￥63.46
标准包装数量：5000

IRF7832TRPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： IRF7832TRPBF-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：SOP-8
  • 描述： 台积电流片，长电封测。SOP8
    台积电流片，长电封测。SOP8
  • 库   存：40000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥1.3489 ￥1.4988
  • 100+ ￥1.3264 ￥1.4738
  • 150+ ￥1.2928 ￥1.4364
合计：￥67.45
标准包装数量：4000

SiA447DJ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： SiA447DJ-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：--
  • 描述： 台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V)；06Vth(V) 封装：DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗，尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
    台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V)；06Vth(V) 封装：DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗，尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
  • 库   存：400000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥1.4278 ￥1.5864
  • 100+ ￥1.404 ￥1.56
  • 150+ ￥1.3683 ￥1.5203
合计：￥71.39
标准包装数量：5000

NTLUS3A18PZTBG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： NTLUS3A18PZTBG-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：--
  • 描述： 台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V)；06Vth(V) 封装：DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗，尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
    台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V)；06Vth(V) 封装：DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗，尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
  • 库   存：400000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥1.4278 ￥1.5864
  • 100+ ￥1.404 ￥1.56
  • 150+ ￥1.3683 ￥1.5203
合计：￥71.39
标准包装数量：5000

NTLUS3A18PZTCG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： NTLUS3A18PZTCG-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：--
  • 描述： 台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V)；06Vth(V) 封装：DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗，尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
    台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V)；06Vth(V) 封装：DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗，尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
  • 库   存：400000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥1.4278 ￥1.5864
  • 100+ ￥1.404 ￥1.56
  • 150+ ￥1.3683 ￥1.5203
合计：￥71.39
标准包装数量：5000

SSM6J511NU-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： SSM6J511NU-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：--
  • 描述： 台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V)；06Vth(V) 封装：DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗，尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
    台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V)；06Vth(V) 封装：DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗，尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
  • 库   存：400000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥1.4278 ￥1.5864
  • 100+ ￥1.404 ￥1.56
  • 150+ ￥1.3683 ￥1.5203
合计：￥71.39
标准包装数量：5000

NVTFS5116PLWFTAG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： NVTFS5116PLWFTAG-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：QFN-8
  • 描述： 台积电流片，长电封测。P沟道,-60V,-11A,RDS(ON),60mΩ@10V,75mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.6Vth(V) 封装：QFN8(3X3)，凭借其低导通电阻（RDS(on)）和良好的开关性能，VBQF2658非常适合需要负电压控制和高效率开关的场合。
    台积电流片，长电封测。P沟道,-60V,-11A,RDS(ON),60mΩ@10V,75mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.6Vth(V) 封装：QFN8(3X3)，凭借其低导通电阻（RDS(on)）和良好的开关性能，VBQF2658非常适合需要负电压控制和高效率开关的场合。
  • 库   存：400000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥1.7453 ￥1.9392
  • 100+ ￥1.7162 ￥1.9069
  • 150+ ￥1.6726 ￥1.8584
合计：￥87.27
标准包装数量：5000

SiS9122DN-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： SiS9122DN-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：QFN-8
  • 描述： 台积电流片，长电封测。DFN8(3X3)；2个N沟道,100V；12.1A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=18V；适用于智能家居、便携式医疗设备、传感器接口和便携式消费电子产品等多个领域，为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。
    台积电流片，长电封测。DFN8(3X3)；2个N沟道,100V；12.1A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=18V；适用于智能家居、便携式医疗设备、传感器接口和便携式消费电子产品等多个领域，为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。
  • 库   存：400000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥1.904 ￥2.1156
  • 100+ ￥1.8723 ￥2.0803
  • 150+ ￥1.8248 ￥2.0275
合计：￥95.20
标准包装数量：5000

RD3L04BBKHRBTL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： RD3L04BBKHRBTL-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：TO-252
  • 描述： 台积电流片，长电封测。N沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.87Vth(V)封装：TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
    台积电流片，长电封测。N沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.87Vth(V)封装：TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
  • 库   存：40000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥1.904 ￥2.1156
  • 100+ ￥1.8723 ￥2.0803
  • 150+ ￥1.8248 ￥2.0275
合计：￥95.20
标准包装数量：2500

DMT10H015LPS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： DMT10H015LPS-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：DFN
  • 描述： 台积电流片，长电封测。100V；30A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=1.8V；其小封装和高性能使其在紧凑空间和高效能要求的场合中得到广泛应用。包括汽车电子、无线通信和工业自动化等，具有广泛的应用前景。
    台积电流片，长电封测。100V；30A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=1.8V；其小封装和高性能使其在紧凑空间和高效能要求的场合中得到广泛应用。包括汽车电子、无线通信和工业自动化等，具有广泛的应用前景。
  • 库   存：400000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥2.3803 ￥2.6448
  • 100+ ￥2.3406 ￥2.6007
  • 150+ ￥2.2811 ￥2.5346
合计：￥119.02
标准包装数量：5000

RJE0621JSP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： RJE0621JSP-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：SOP-8
  • 描述： 台积电流片，长电封测。P+P双沟道,-60V,-4A,RDS(ON),120mΩ@10V,145mΩ@4.5V20Vgs(±V)；-1.9Vth(V) 封装：SOP8可用于设计高性能的功率控制模块，实现对电机、执行器和传感器的精确控制。其高效的功率开关和稳定的特性可提高工业设备的生产效率和稳定性。
    台积电流片，长电封测。P+P双沟道,-60V,-4A,RDS(ON),120mΩ@10V,145mΩ@4.5V20Vgs(±V)；-1.9Vth(V) 封装：SOP8可用于设计高性能的功率控制模块，实现对电机、执行器和传感器的精确控制。其高效的功率开关和稳定的特性可提高工业设备的生产效率和稳定性。
  • 库   存：400000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥2.3803 ￥2.6448
  • 100+ ￥2.3406 ￥2.6007
  • 150+ ￥2.2811 ￥2.5346
合计：￥119.02
标准包装数量：4000

DMT10H025LK3-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： DMT10H025LK3-13-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：TO-252
  • 描述： 台积电流片，长电封测。N沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.2Vth(V) 封装：TO252提供稳定的电压和电流输出，适合用于LED照明驱动器和照明控制模块。
    台积电流片，长电封测。N沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.2Vth(V) 封装：TO252提供稳定的电压和电流输出，适合用于LED照明驱动器和照明控制模块。
  • 库   存：40000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥2.8555 ￥3.1728
  • 100+ ￥2.8079 ￥3.1199
  • 150+ ￥2.7365 ￥3.0406
合计：￥142.78
标准包装数量：2500

IRFR7440TRPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： IRFR7440TRPBF-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：TO-252
  • 描述： 台积电流片，长电封测。N沟道,40V,130A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；3.3Vth(V) 封装：TO252适用于中等功率控制和驱动应用，包括电机驱动模块、电源转换模块、电动工具控制模块等领域。
    台积电流片，长电封测。N沟道,40V,130A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；3.3Vth(V) 封装：TO252适用于中等功率控制和驱动应用，包括电机驱动模块、电源转换模块、电动工具控制模块等领域。
  • 库   存：40000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥3.173 ￥3.5256
  • 100+ ￥3.1201 ￥3.4668
  • 150+ ￥3.0408 ￥3.3787
合计：￥158.65
标准包装数量：2500

R6020KNZ4C13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： R6020KNZ4C13-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：TO-247
  • 描述： 台积电流片，长电封测。N沟道,600V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装：TO247由于其适中的漏-源电压和漏极电流能力，适用于中小功率的电源模块，如开关电源和稳压电源。
    台积电流片，长电封测。N沟道,600V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装：TO247由于其适中的漏-源电压和漏极电流能力，适用于中小功率的电源模块，如开关电源和稳压电源。
  • 库   存：40000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥8.7869 ￥9.7632
  • 100+ ￥8.6405 ￥9.6005
  • 150+ ￥8.4208 ￥9.3564
合计：￥439.35
标准包装数量：300

R6547ENZ4C13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： R6547ENZ4C13-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：TO-247
  • 描述： 台积电流片，长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件，具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术，配备TO247封装，适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点，广泛应用于工业、能源等领域。TO247；N沟道,650V；47A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3.5V；
    台积电流片，长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件，具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术，配备TO247封装，适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点，广泛应用于工业、能源等领域。TO247；N沟道,650V；47A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3.5V；
  • 库   存：40000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ￥17.5738 ￥19.5264
  • 100+ ￥17.2809 ￥19.201
  • 150+ ￥16.8415 ￥18.7128
合计：￥878.69
标准包装数量：300

NVH082N65S3F-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号： NVH082N65S3F-VB
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：TO-247
  • 描述： 台积电流片，长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件，具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术，配备TO247封装，适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点，广泛应用于工业、能源等领域。TO247；N沟道,650V；47A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3.5V；
    台积电流片，长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件，具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术，配备TO247封装，适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点，广泛应用于工业、能源等领域。TO247；N沟道,650V；47A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3.5V；
  • 库   存：40000
  • 起订量：50
  • 增   量：1
  • 批   次：--
  • 内地交货(含增值税)
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  • 50+ ￥17.5738 ￥19.5264
  • 100+ ￥17.2809 ￥19.201
  • 150+ ￥16.8415 ￥18.7128
合计：￥878.69
标准包装数量：300

VBGPB1252N 场效应管(MOSFET)

  • 型号： VBGPB1252N
  • 厂牌：VBsemi/微碧半导体
  • 封装：TO-3P
  • 描述： N-Channel 250V(D-S) MOSFET,100A, RDS(ON)0.016mΩ@10V,±20Vgs(±V)；Vth=2.5-4.5V；封装TO3P
    N-Channel 250V(D-S) MOSFET,100A, RDS(ON)0.016mΩ@10V,±20Vgs(±V)；Vth=2.5-4.5V；封装TO3P
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  • 批   次：--
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