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RC2301-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RC2301-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
    台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:190
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 190+ ¥0.209 ¥0.22
  • 570+ ¥0.2005 ¥0.211
  • 1140+ ¥0.1976 ¥0.208
  • 1800+ ¥0.1919 ¥0.202
合计:¥39.71
标准包装数量:3000

RSM3402-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RSM3402-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT23-3具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点,特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT23-3具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点,特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:130
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 130+ ¥0.3135 ¥0.33
  • 390+ ¥0.3012 ¥0.317
  • 780+ ¥0.2964 ¥0.312
  • 1200+ ¥0.2888 ¥0.304
合计:¥40.76
标准包装数量:3000

9435J-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 9435J-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-20A,RDS(ON),56mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TO251适用于电源管理、LED照明、电动工具和工业自动化等领域,能够提供稳定的功率输出和高效的能量转换。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-20A,RDS(ON),56mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TO251适用于电源管理、LED照明、电动工具和工业自动化等领域,能够提供稳定的功率输出和高效的能量转换。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 50+ ¥0.8731 ¥0.919
  • 350+ ¥0.8379 ¥0.882
  • 700+ ¥0.8237 ¥0.867
  • 1100+ ¥0.8028 ¥0.845
合计:¥43.66
标准包装数量:4000

9926EO-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 9926EO-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款共源极N+N MOSFET,适用于20V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V,漏极电流可达6.6A,采用Trench技术制造。封装为TSSOP8。
    台积电流片,长电封测。 一款共源极N+N MOSFET,适用于20V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V,漏极电流可达6.6A,采用Trench技术制造。封装为TSSOP8。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 50+ ¥0.8731 ¥0.919
  • 350+ ¥0.8379 ¥0.882
  • 700+ ¥0.8237 ¥0.867
  • 1100+ ¥0.8028 ¥0.845
合计:¥43.66
标准包装数量:3000

9478M-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 9478M-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,60V,7.6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.54Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,60V,7.6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.54Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 250+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 800+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥41.87
标准包装数量:4000

RU1HE12L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RU1HE12L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,15A,RDS(ON),114mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252适用于开关电源,电机驱动,负载开关与电源路径管理等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,15A,RDS(ON),114mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252适用于开关电源,电机驱动,负载开关与电源路径管理等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.5704 ¥1.653
  • 200+ ¥1.5067 ¥1.586
  • 400+ ¥1.482 ¥1.56
  • 600+ ¥1.444 ¥1.52
合计:¥47.11
标准包装数量:2500

RFD15P05-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RFD15P05-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-20A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TO251在高可靠性、高效率的工业与自动化场景中被广泛应用;如安全制动控制、电池隔离保护、辅助电源管理、高侧电源开关等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-20A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TO251在高可靠性、高效率的工业与自动化场景中被广泛应用;如安全制动控制、电池隔离保护、辅助电源管理、高侧电源开关等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.5704 ¥1.653
  • 200+ ¥1.5067 ¥1.586
  • 400+ ¥1.482 ¥1.56
  • 600+ ¥1.444 ¥1.52
合计:¥47.11
标准包装数量:4000

85T03AH-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 85T03AH-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252 该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
    台积电流片,长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252 该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.919 ¥2.02
  • 150+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 300+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 500+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥47.98
标准包装数量:2500

9576GH-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 9576GH-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-30A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TO252可用于中高功率、高效率的电源控制与负载开关场景;适用于电源管理模块、电动车充电桩、电动工具、汽车电子、工业自动化与通信设备等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-30A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TO252可用于中高功率、高效率的电源控制与负载开关场景;适用于电源管理模块、电动车充电桩、电动工具、汽车电子、工业自动化与通信设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.919 ¥2.02
  • 150+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 300+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 500+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥47.98
标准包装数量:2500

9973GI-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 9973GI-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.919 ¥2.02
  • 150+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 300+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 500+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥47.98
标准包装数量:1000

9565GEH-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 9565GEH-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-50A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO252适用于电机驱动、同步升降压电路主开关、工业电源与功率分配系统等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-50A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO252适用于电机驱动、同步升降压电路主开关、工业电源与功率分配系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.0938 ¥2.204
  • 150+ ¥2.0102 ¥2.116
  • 300+ ¥1.976 ¥2.08
  • 500+ ¥1.9257 ¥2.027
合计:¥41.88
标准包装数量:2500

9416M-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 9416M-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,25A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8具有超低导通电阻和高电流能力,适用于多种对效率、功率密度和热管理要求较高的场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,25A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8具有超低导通电阻和高电流能力,适用于多种对效率、功率密度和热管理要求较高的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:4000

7N60KL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 7N60KL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
    台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.7237 ¥2.867
  • 150+ ¥2.6344 ¥2.773
  • 300+ ¥2.5679 ¥2.703
  • 500+ ¥2.5232 ¥2.656
合计:¥40.86
标准包装数量:1000

RSJ300N10TL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RSJ300N10TL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 单通道 N 型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于电动车辆、工业控制、电源开关和太阳能逆变器等多个领域。100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
    台积电流片,长电封测。 单通道 N 型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于电动车辆、工业控制、电源开关和太阳能逆变器等多个领域。100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:800

RU1H40L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RU1H40L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:2500

9974GS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 9974GS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263 由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263 由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:800

99T03GS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 99T03GS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,150A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO263具有极低导通电阻和高电流承载能力,适用于对效率、功率密度和热管理要求严苛的中低压大电流场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,150A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO263具有极低导通电阻和高电流承载能力,适用于对效率、功率密度和热管理要求严苛的中低压大电流场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:800

98T06GP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 98T06GP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:1000

RSJ550N10TL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RSJ550N10TL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263 可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263 可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
  • 库   存:400000
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RJK0703DPP-E0-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RJK0703DPP-E0-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
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