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IRLML2502TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2502TRPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: N沟道 20V 6A 28mΩ@4.5V SOT23-3
    N沟道 20V 6A 28mΩ@4.5V SOT23-3
  • 库   存:9
  • 起订量:9
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 9+ ¥0.0965
合计:¥0.87
标准包装数量:3000

NCE40P05Y 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NCE40P05Y
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
    P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
  • 库   存:1648
  • 起订量:49
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.145
  • 50+ ¥0.13
  • 300+ ¥0.125
  • 1000+ ¥0.115
合计:¥7.11
标准包装数量:3000

AO3402 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3402
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: N沟道 30V 6.5A 30mΩ@10V SOT23-3
    N沟道 30V 6.5A 30mΩ@10V SOT23-3
  • 库   存:93
  • 起订量:49
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 49+ ¥0.145
合计:¥7.11
标准包装数量:3000

VB2703K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB2703K
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P—Channel沟道,-70V,-1.2A,RDS(ON),300mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-3
    P—Channel沟道,-70V,-1.2A,RDS(ON),300mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:5948
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.21
  • 100+ ¥0.2
  • 300+ ¥0.19
  • 1000+ ¥0.17
  • 3000+ ¥0.16
合计:¥2.10
标准包装数量:3000

NTR4502PT1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTR4502PT1G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
    P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
  • 库   存:1392
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.25
  • 50+ ¥0.2359
  • 300+ ¥0.21
  • 1000+ ¥0.2
合计:¥2.50
标准包装数量:3000

VB2355 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB2355
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
    台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
  • 库   存:4586
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.3088
  • 50+ ¥0.3015
  • 150+ ¥0.2964
  • 500+ ¥0.2914
合计:¥1.54
标准包装数量:3000

AO7800 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO7800
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: N+N沟道 20V 2.6A 86mΩ@4.5V SC70-6
    N+N沟道 20V 2.6A 86mΩ@4.5V SC70-6
  • 库   存:171
  • 起订量:22
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 22+ ¥0.322
合计:¥7.08
标准包装数量:3000

VB2290 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB2290
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
    台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
  • 库   存:3482
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.5197
  • 50+ ¥0.4099
  • 150+ ¥0.3549
  • 500+ ¥0.3141
  • 3000+ ¥0.2816
  • 6000+ ¥0.2652
合计:¥2.60
标准包装数量:3000

IPD30N03S4L-14 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD30N03S4L-14
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:300
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.564
  • 30+ ¥0.5
  • 100+ ¥0.45
合计:¥7.33
标准包装数量:2500

NTD25P03LG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD25P03LG
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道 -30V -26A 33mΩ@-10V TO-252
    P沟道 -30V -26A 33mΩ@-10V TO-252
  • 库   存:2
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.564
合计:¥0.56
标准包装数量:2500

SI4816BDY-T1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4816BDY-T1
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道 20V 12A 12mΩ@10V SOP8
    N沟道 20V 12A 12mΩ@10V SOP8
  • 库   存:3738
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7
  • 100+ ¥0.6
  • 300+ ¥0.5
  • 1000+ ¥0.52
  • 3000+ ¥0.5
合计:¥7.00
标准包装数量:1

AOD407 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD407
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道 -60V -30A 61mΩ@-10V TO-252
    P沟道 -60V -30A 61mΩ@-10V TO-252
  • 库   存:34
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.127
  • 10+ ¥1.024
  • 100+ ¥0.976
  • 500+ ¥0.929
  • 1000+ ¥0.885
合计:¥1.13
标准包装数量:2500

2SK2890-01MR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2890-01MR
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,30V,140A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);TO220F
    N—Channel沟道,30V,140A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);TO220F
  • 库   存:599
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.5
  • 10+ ¥1.4
  • 100+ ¥1.33
  • 300+ ¥1.2
合计:¥1.50
标准包装数量:1

VB2658 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB2658
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:SOT23
    P—Channel沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:SOT23
  • 库   存:1912
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.6333
  • 50+ ¥1.2766
  • 150+ ¥1.1259
  • 500+ ¥0.9393
  • 3000+ ¥0.8283
  • 6000+ ¥0.7786
合计:¥8.17
标准包装数量:3000

NTD25P03LT4G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD25P03LT4G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
    P—Channel沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:63
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.8467
  • 10+ ¥1.5829
  • 30+ ¥1.385
  • 100+ ¥1.1663
  • 500+ ¥1.108
合计:¥1.85
标准包装数量:2500

NCE60P25K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NCE60P25K
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道 -60V -25A 53mΩ@-10V TO-252
    P沟道 -60V -25A 53mΩ@-10V TO-252
  • 库   存:26050
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.057
  • 50+ ¥1.83
  • 150+ ¥1.36
  • 500+ ¥1.09
  • 2500+ ¥0.98
合计:¥2.06
标准包装数量:2500

VBE2412 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBE2412
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-50A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO252适用于电机驱动、同步升降压电路主开关、工业电源与功率分配系统等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-50A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO252适用于电机驱动、同步升降压电路主开关、工业电源与功率分配系统等。
  • 库   存:2342
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.35
  • 10+ ¥2.3
  • 30+ ¥2.27
  • 100+ ¥2.23
  • 500+ ¥2.1
  • 1000+ ¥1.96
合计:¥2.35
标准包装数量:2500

ZVP4525GTA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZVP4525GTA
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223-3
  • 描述: P—Channel沟道,-250V,-0.265A,RDS(ON),1400mΩ@10V,1680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V);SOT223
    P—Channel沟道,-250V,-0.265A,RDS(ON),1400mΩ@10V,1680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V);SOT223
  • 库   存:156
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.6115
  • 10+ ¥2.2385
  • 30+ ¥1.9587
  • 100+ ¥1.6494
  • 500+ ¥1.5669
合计:¥2.61
标准包装数量:2500

VBJ2658 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBJ2658
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-7A,RDS(ON),55mΩ@10V,65mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOT223适用于多种中功率电子控制场景;如LED 照明驱动、电平转换、信号隔离、工业自动化与智能控制模块等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-7A,RDS(ON),55mΩ@10V,65mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOT223适用于多种中功率电子控制场景;如LED 照明驱动、电平转换、信号隔离、工业自动化与智能控制模块等。
  • 库   存:15900
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.0126
  • 10+ ¥3.3195
  • 30+ ¥2.9665
  • 100+ ¥2.6249
  • 500+ ¥1.9569
  • 1000+ ¥1.8531
合计:¥4.01
标准包装数量:2500

FDPF18N50T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDPF18N50T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
  • 库   存:99
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.1
  • 10+ ¥6.8
  • 30+ ¥6.5
  • 30+ ¥6.5
合计:¥7.10
标准包装数量:50
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