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IRLML2502TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2502TRPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: N沟道 20V 6A 28mΩ@4.5V SOT23-3
    N沟道 20V 6A 28mΩ@4.5V SOT23-3
  • 库   存:9
  • 起订量:9
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 9+ ¥0.0917 ¥0.0965
合计:¥0.83
标准包装数量:3000

NCE40P05Y 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NCE40P05Y
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
    P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
  • 库   存:1750
  • 起订量:49
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.1378 ¥0.145
  • 50+ ¥0.1235 ¥0.13
  • 300+ ¥0.1188 ¥0.125
  • 1000+ ¥0.1093 ¥0.115
合计:¥6.75
标准包装数量:3000

AO3402 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3402
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: N沟道 30V 6.5A 30mΩ@10V SOT23-3
    N沟道 30V 6.5A 30mΩ@10V SOT23-3
  • 库   存:144
  • 起订量:49
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 49+ ¥0.1378 ¥0.145
合计:¥6.75
标准包装数量:3000

VB2703K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB2703K
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P—Channel沟道,-70V,-1.2A,RDS(ON),300mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-3
    P—Channel沟道,-70V,-1.2A,RDS(ON),300mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:5948
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.1995 ¥0.21
  • 100+ ¥0.19 ¥0.2
  • 300+ ¥0.1805 ¥0.19
  • 1000+ ¥0.1615 ¥0.17
  • 3000+ ¥0.152 ¥0.16
合计:¥2.00
标准包装数量:3000

NTR4502PT1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTR4502PT1G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
    P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
  • 库   存:1392
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.2375 ¥0.25
  • 50+ ¥0.2241 ¥0.2359
  • 300+ ¥0.1995 ¥0.21
  • 1000+ ¥0.19 ¥0.2
合计:¥2.38
标准包装数量:3000

WPM2341-3/TR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: WPM2341-3/TR
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V);SOT23
    P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V);SOT23
  • 库   存:197
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.3028 ¥0.3187
  • 100+ ¥0.2595 ¥0.2732
  • 300+ ¥0.2271 ¥0.239
  • 1000+ ¥0.1912 ¥0.2013
  • 5000+ ¥0.1816 ¥0.1912
合计:¥3.03
标准包装数量:1

AO7800 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO7800
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: N+N沟道 20V 2.6A 86mΩ@4.5V SC70-6
    N+N沟道 20V 2.6A 86mΩ@4.5V SC70-6
  • 库   存:171
  • 起订量:22
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 22+ ¥0.3059 ¥0.322
合计:¥6.73
标准包装数量:3000

VB2355 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB2355
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
    台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
  • 库   存:4992
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.3101
  • 50+ ¥0.3022
  • 150+ ¥0.2968
  • 500+ ¥0.2913
合计:¥1.55
标准包装数量:3000

VB2290 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB2290
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
    台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
  • 库   存:1994
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.4949
  • 50+ ¥0.3887
  • 150+ ¥0.3367
  • 500+ ¥0.2981
  • 3000+ ¥0.2672
  • 6000+ ¥0.2517
合计:¥2.47
标准包装数量:3000

IPD30N03S4L-14 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD30N03S4L-14
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:300
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.5358 ¥0.564
  • 30+ ¥0.475 ¥0.5
  • 100+ ¥0.4275 ¥0.45
合计:¥6.97
标准包装数量:2500

NTD25P03LG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD25P03LG
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道 -30V -26A 33mΩ@-10V TO-252
    P沟道 -30V -26A 33mΩ@-10V TO-252
  • 库   存:2
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5358 ¥0.564
合计:¥0.54
标准包装数量:2500

SI4816BDY-T1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4816BDY-T1
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道 20V 12A 12mΩ@10V SOP8
    N沟道 20V 12A 12mΩ@10V SOP8
  • 库   存:3738
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.665 ¥0.7
  • 100+ ¥0.57 ¥0.6
  • 300+ ¥0.475 ¥0.5
  • 1000+ ¥0.494 ¥0.52
  • 3000+ ¥0.475 ¥0.5
合计:¥6.65
标准包装数量:1

NDS9435A-NL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NDS9435A-NL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8 一款单P沟道场效应晶体管(FET),用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
    台积电流片,长电封测。 P沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8 一款单P沟道场效应晶体管(FET),用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.8386 ¥0.8827
  • 10+ ¥0.7961 ¥0.838
  • 100+ ¥0.7669 ¥0.8073
  • 500+ ¥0.7313 ¥0.7698
  • 1000+ ¥0.6988 ¥0.7356
合计:¥0.84
标准包装数量:4000

NCE60P25K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NCE60P25K
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道 -60V -25A 53mΩ@-10V TO-252
    P沟道 -60V -25A 53mΩ@-10V TO-252
  • 库   存:26100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.9025 ¥0.95
  • 50+ ¥0.8835 ¥0.93
  • 150+ ¥0.874 ¥0.92
  • 500+ ¥0.855 ¥0.9
  • 2500+ ¥0.836 ¥0.88
合计:¥0.90
标准包装数量:2500

AOD407 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD407
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道 -60V -30A 61mΩ@-10V TO-252
    P沟道 -60V -30A 61mΩ@-10V TO-252
  • 库   存:34
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.0707 ¥1.127
  • 10+ ¥0.9728 ¥1.024
  • 100+ ¥0.9272 ¥0.976
  • 500+ ¥0.8826 ¥0.929
  • 1000+ ¥0.8408 ¥0.885
合计:¥1.07
标准包装数量:2500

2SK2890-01MR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2890-01MR
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,30V,140A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);TO220F
    N—Channel沟道,30V,140A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);TO220F
  • 库   存:599
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.425 ¥1.5
  • 10+ ¥1.33 ¥1.4
  • 100+ ¥1.2635 ¥1.33
  • 300+ ¥1.14 ¥1.2
合计:¥1.43
标准包装数量:1

VB2658 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB2658
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:SOT23
    P—Channel沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:SOT23
  • 库   存:1927
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.6271
  • 50+ ¥1.2776
  • 150+ ¥1.1259
  • 500+ ¥0.9388
  • 3000+ ¥0.8282
  • 6000+ ¥0.7786
合计:¥8.14
标准包装数量:3000

VBE2412 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBE2412
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 -40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:\'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
    台积电流片,长电封测。 -40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:\'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
  • 库   存:2500
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.35
  • 10+ ¥2.3
  • 30+ ¥2.27
  • 100+ ¥2.23
  • 500+ ¥2.1
  • 1000+ ¥1.96
合计:¥2.35
标准包装数量:2500

VBJ2658 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBJ2658
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223-3
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT-223
    P—Channel沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT-223
  • 库   存:15932
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.1299
  • 10+ ¥3.4352
  • 30+ ¥3.0592
  • 100+ ¥2.7185
  • 500+ ¥2.0506
  • 1000+ ¥1.9376
合计:¥4.13
标准包装数量:2500

FDPF18N50T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDPF18N50T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
  • 库   存:99
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.745 ¥7.1
  • 10+ ¥6.46 ¥6.8
  • 30+ ¥6.175 ¥6.5
  • 30+ ¥6.175 ¥6.5
合计:¥6.75
标准包装数量:50
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