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IRF7821TRPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7821TRPBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
  • 库   存:48
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.87
  • 10+ ¥1.5384
  • 30+ ¥1.2656
  • 100+ ¥1.1394
  • 300+ ¥1.0387
  • 4000+ ¥0.978
合计:¥1.87
标准包装数量:4000

ELM33410CA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ELM33410CA-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
    台积电流片,长电封测。 20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
  • 库   存:400000
  • 起订量:190
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 190+ ¥0.209 ¥0.22
  • 570+ ¥0.2005 ¥0.211
  • 1140+ ¥0.1976 ¥0.208
  • 1800+ ¥0.1919 ¥0.202
合计:¥39.71
标准包装数量:3000

PMV130ENEA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMV130ENEA-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,4.8A,RDS(ON),35mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:SOT23-3常用于低压、中小电流、空间受限的功率开关与电源管理场景;例如负载开关、电机驱动、电源路径管理、信号切换与电平转换电路等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,4.8A,RDS(ON),35mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:SOT23-3常用于低压、中小电流、空间受限的功率开关与电源管理场景;例如负载开关、电机驱动、电源路径管理、信号切换与电平转换电路等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:80
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 80+ ¥0.5235 ¥0.551
  • 240+ ¥0.5026 ¥0.529
  • 480+ ¥0.494 ¥0.52
  • 800+ ¥0.4817 ¥0.507
合计:¥41.88
标准包装数量:3000

4172WS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4172WS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:4000

ELM34812AA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ELM34812AA-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,20V,7.1A,RDS(ON),19mΩ@10V,26mΩ@4.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SOP8在3D打印机、高密度存储服务器等设备中,用于智能供电管理,根据工作状态动态调节风扇、加热器、外设等模块的电源通断,实现能效优化与热管理;除此之外也适用于太阳能充电宝、便携设备、电机驱动、工业控制与制冷系统等。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,20V,7.1A,RDS(ON),19mΩ@10V,26mΩ@4.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SOP8在3D打印机、高密度存储服务器等设备中,用于智能供电管理,根据工作状态动态调节风扇、加热器、外设等模块的电源通断,实现能效优化与热管理;除此之外也适用于太阳能充电宝、便携设备、电机驱动、工业控制与制冷系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:4000

EMB09N03G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: EMB09N03G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:4000

ELM18818BA-S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ELM18818BA-S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,8.6A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TSSOP8利用其低导通电阻和共漏极结构,可实现电池放电路径管理或输入电源与电池之间的无缝切换,防止电流倒灌。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,8.6A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TSSOP8利用其低导通电阻和共漏极结构,可实现电池放电路径管理或输入电源与电池之间的无缝切换,防止电流倒灌。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.1343 ¥1.194
  • 300+ ¥1.0887 ¥1.146
  • 600+ ¥1.0707 ¥1.127
  • 900+ ¥1.0431 ¥1.098
合计:¥39.70
标准包装数量:3000

EMA30N03A-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: EMA30N03A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

4226GM-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4226GM-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,8.5A,RDS(ON),16mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于多种对效率、空间和可靠性有较高要求的电源管理与功率控制场景;例如5G路由器/通信设备电源管理、高密度电源模块设计、多路负载开关与电源分配等。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,8.5A,RDS(ON),16mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于多种对效率、空间和可靠性有较高要求的电源管理与功率控制场景;例如5G路由器/通信设备电源管理、高密度电源模块设计、多路负载开关与电源分配等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:4000

SIA923AEDJ-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIA923AEDJ-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-5.3A,RDS(ON),40mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:QFN6(2X2)具有高集成度、低导通损耗、小尺寸和高侧开关能力,适用于多种需要智能电源管理、多路负载控制或空间受限的场景。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-5.3A,RDS(ON),40mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:QFN6(2X2)具有高集成度、低导通损耗、小尺寸和高侧开关能力,适用于多种需要智能电源管理、多路负载控制或空间受限的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 30+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 250+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 800+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥41.87
标准包装数量:5000

DMP1046UFDB-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP1046UFDB-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-5.3A,RDS(ON),40mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:QFN6(2X2)具有高集成度、低导通损耗、小尺寸和高侧开关能力,适用于多种需要智能电源管理、多路负载控制或空间受限的场景。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-5.3A,RDS(ON),40mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:QFN6(2X2)具有高集成度、低导通损耗、小尺寸和高侧开关能力,适用于多种需要智能电源管理、多路负载控制或空间受限的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 30+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 250+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 800+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥41.87
标准包装数量:5000

PMPB09R5TPX-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMPB09R5TPX-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),28mΩ@4.5V,40mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:QFN6(2X2)适用于对空间、效率与热管理要求高的中低功率场景。如智能充电器、机器人系统,车载电子系统,电源管理,电解电源系统等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),28mΩ@4.5V,40mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:QFN6(2X2)适用于对空间、效率与热管理要求高的中低功率场景。如智能充电器、机器人系统,车载电子系统,电源管理,电解电源系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 30+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 250+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 800+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥41.87
标准包装数量:5000

301SP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 301SP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种多功能、高性能的电子器件,适用于许多不同的应用领域和模块。 具有参数:VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-2.5V。在VGS=4.5V时的导通电阻为15mΩ,在VGS=10V时为11mΩ,最大漏极电流(ID)为-13.5A。这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOP8。
    台积电流片,长电封测。 P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种多功能、高性能的电子器件,适用于许多不同的应用领域和模块。 具有参数:VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-2.5V。在VGS=4.5V时的导通电阻为15mΩ,在VGS=10V时为11mΩ,最大漏极电流(ID)为-13.5A。这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOP8。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:4000

F530NS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F530NS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
    N—Channel沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.996 ¥2.101
  • 150+ ¥1.9162 ¥2.017
  • 300+ ¥1.8848 ¥1.984
  • 500+ ¥1.8364 ¥1.933
合计:¥39.92
标准包装数量:800

TSM110NB04LCV RGG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TSM110NB04LCV RGG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,28A,RDS(ON),13mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:QFN8(3X3)可用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的场景;如车载座舱域控制器,AI 电动摩托车控制器,智能消毒空气净化器主板供电等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,28A,RDS(ON),13mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:QFN8(3X3)可用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的场景;如车载座舱域控制器,AI 电动摩托车控制器,智能消毒空气净化器主板供电等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.3845 ¥2.51
  • 150+ ¥2.3057 ¥2.427
  • 300+ ¥2.2477 ¥2.366
  • 500+ ¥2.2078 ¥2.324
合计:¥47.69
标准包装数量:5000

FDMS86202ET120-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDMS86202ET120-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;N沟道;VDS=100V;ID =75A;RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;适用于高效率、高功率密度、高温或空间受限的开关电源与电机驱动场景;例如太阳能智能表计电源模块、高功率密度隔离式辅助电源、高可靠性电机驱动与工业电源等。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;N沟道;VDS=100V;ID =75A;RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;适用于高效率、高功率密度、高温或空间受限的开关电源与电机驱动场景;例如太阳能智能表计电源模块、高功率密度隔离式辅助电源、高可靠性电机驱动与工业电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:5000

HYG046N04LQ1C2-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HYG046N04LQ1C2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,70A,RDS(ON),4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)具备高电流能力、低导通损耗、良好的逻辑电平驱动特性,适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,70A,RDS(ON),4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)具备高电流能力、低导通损耗、良好的逻辑电平驱动特性,适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

SM4032NMKPD-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4032NMKPD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;N沟道,60V;90A;RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;适用于高效率、高功率密度的低压大电流负载开关与同步整流场景;例如智能充电桩、高密度电源系统、便携式高功耗设备、电动轮椅/代步车控制器等。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;N沟道,60V;90A;RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;适用于高效率、高功率密度的低压大电流负载开关与同步整流场景;例如智能充电桩、高密度电源系统、便携式高功耗设备、电动轮椅/代步车控制器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥4.257 ¥4.481
  • 100+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 300+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥42.57
标准包装数量:5000

RS6G120CG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RS6G120CG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:5000

F4905NS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F4905NS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-110A,RDS(ON),8mΩ@10V,9.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO263
    P—Channel沟道,-60V,-110A,RDS(ON),8mΩ@10V,9.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.7893 ¥6.094
  • 50+ ¥5.5993 ¥5.894
  • 100+ ¥5.4568 ¥5.744
  • 100+ ¥5.4568 ¥5.744
合计:¥57.89
标准包装数量:800
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