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IRF7241TR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7241TR
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: P沟道 -40V -16.1A 10mΩ@-10V SO-8
    P沟道 -40V -16.1A 10mΩ@-10V SO-8
  • 库   存:160
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.2063
合计:¥6.03
标准包装数量:4000

IRFB7545 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB7545
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V);TO220
    N—Channel沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V);TO220
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.4126
合计:¥12.06
标准包装数量:1000

IRFB9N60APBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB9N60APBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220
    N—Channel沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220
  • 库   存:25
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.6537
合计:¥13.27
标准包装数量:1000

BUK765R0-100E,118-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK765R0-100E,118-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,140A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO263适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,140A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO263适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。
  • 库   存:5
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥5.4126
合计:¥27.06
标准包装数量:800

105N03L-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 105N03L-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.1113 ¥1.2348
  • 100+ ¥1.0928 ¥1.2142
  • 150+ ¥1.0651 ¥1.1834
合计:¥55.57
标准包装数量:2500

IRLZ34PBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLZ34PBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.4288 ¥1.5876
  • 100+ ¥1.405 ¥1.5611
  • 150+ ¥1.3694 ¥1.5215
合计:¥71.44
标准包装数量:1000

FI720G-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FI720G-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.7453 ¥1.9392
  • 100+ ¥1.7162 ¥1.9069
  • 150+ ¥1.6726 ¥1.8584
合计:¥87.27
标准包装数量:1000

114N03L-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 114N03L-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263 适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263 适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.0628 ¥2.292
  • 100+ ¥2.0284 ¥2.2538
  • 150+ ¥1.9769 ¥2.1965
合计:¥103.14
标准包装数量:800

FQP17P06-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQP17P06-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO-220AB
    P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO-220AB
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.0628 ¥2.292
  • 100+ ¥2.0284 ¥2.2538
  • 150+ ¥1.9769 ¥2.1965
合计:¥103.14
标准包装数量:1000

4N06L07-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4N06L07-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:1000

2N06LH5-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N06LH5-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:1000

3N10L12-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 3N10L12-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:1000

MTB09N06FP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTB09N06FP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220FP
  • 描述: TO220F;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    TO220F;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

P75NF75-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P75NF75-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

07N65C3-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 07N65C3-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
    台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

10N60-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 10N60-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
    台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

F7N60-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F7N60-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
    台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

08CNE8N-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 08CNE8N-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
    台积电流片,长电封测。 推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.9668 ¥4.4076
  • 100+ ¥3.9007 ¥4.3341
  • 150+ ¥3.8016 ¥4.224
合计:¥198.34
标准包装数量:800

11N65M5-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 11N65M5-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
    台积电流片,长电封测。 VBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:1000

HY1620P-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HY1620P-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220FB-3L
  • 描述: N—Channel沟道,200V,50A,RDS(ON),36mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO-220FB-3L
    N—Channel沟道,200V,50A,RDS(ON),36mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO-220FB-3L
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥6.3461 ¥7.0512
  • 100+ ¥6.2403 ¥6.9337
  • 100+ ¥6.2403 ¥6.9337
合计:¥317.31
标准包装数量:1000
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