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AO3407 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3407
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT-23-3
    P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT-23-3
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.1378 ¥0.145
合计:¥0.14
标准包装数量:3000

AO6405 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO6405
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
    P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:2516
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3325 ¥0.35
  • 100+ ¥0.285 ¥0.3
  • 300+ ¥0.266 ¥0.28
  • 1000+ ¥0.2375 ¥0.25
  • 2000+ ¥0.228 ¥0.24
合计:¥3.33
标准包装数量:3000

IRLR7821TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR7821TRPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:609
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5225 ¥0.55
  • 100+ ¥0.5035 ¥0.53
  • 300+ ¥0.475 ¥0.5
  • 500+ ¥0.4513 ¥0.475
合计:¥5.23
标准包装数量:2500

VBTA3230NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBTA3230NS
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-89
  • 描述: N—Channel沟道,20V,0.2A,RDS(ON),300mΩ@4.5V,350mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.3Vth(V) 封装:SC-89
    N—Channel沟道,20V,0.2A,RDS(ON),300mΩ@4.5V,350mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.3Vth(V) 封装:SC-89
  • 库   存:698
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5396 ¥0.568
  • 10+ ¥0.5208 ¥0.5482
  • 100+ ¥0.5014 ¥0.5278
  • 500+ ¥0.4777 ¥0.5028
  • 1000+ ¥0.4655 ¥0.49
合计:¥0.54
标准包装数量:3000

ZXMP3A16GTA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMP3A16GTA
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: P沟道 -35V -6.2A 50mΩ@-10V SOT223
    P沟道 -35V -6.2A 50mΩ@-10V SOT223
  • 库   存:2205
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.57 ¥0.6
  • 50+ ¥0.5225 ¥0.55
  • 150+ ¥0.5064 ¥0.533
  • 500+ ¥0.475 ¥0.5
合计:¥7.41
标准包装数量:2500

STD30NF04LT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD30NF04LT
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 40V 55A 13mΩ@10V TO252
    N沟道 40V 55A 13mΩ@10V TO252
  • 库   存:2475
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.665 ¥0.7
  • 100+ ¥0.6175 ¥0.65
  • 200+ ¥0.5225 ¥0.55
  • 1000+ ¥0.475 ¥0.5
合计:¥6.65
标准包装数量:2500

AO4407A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4407A
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 -30V -11.6A 12.5mΩ@-10V SOP8
    P沟道 -30V -11.6A 12.5mΩ@-10V SOP8
  • 库   存:463
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.665 ¥0.7
  • 50+ ¥0.608 ¥0.64
  • 300+ ¥0.57 ¥0.6
合计:¥6.65
标准包装数量:4000

AOD4184 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD4184
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 40V 85A 5mΩ@10V TO-252
    N沟道 40V 85A 5mΩ@10V TO-252
  • 库   存:32
  • 起订量:7
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.95 ¥1
  • 10+ ¥0.855 ¥0.9
  • 100+ ¥0.76 ¥0.8
  • 300+ ¥0.7125 ¥0.75
合计:¥6.65
标准包装数量:2500

2SJ327-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SJ327-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道,-60V,-25A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.43Vth(V) 封装:TO251适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。
    台积电流片,长电封测。 P沟道,-60V,-25A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.43Vth(V) 封装:TO251适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。
  • 库   存:1589
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.14 ¥1.2
  • 10+ ¥1.045 ¥1.1
  • 30+ ¥0.95 ¥1
  • 100+ ¥0.9025 ¥0.95
  • 500+ ¥0.855 ¥0.9
合计:¥1.14
标准包装数量:80

SPD04P10PLG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPD04P10PLG
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 32.1W 20V 11.7nC 1个P沟道 100V 0.350Ω VGS = - 4.5 V,ID = - 3.4 A 8.8A TO-252 贴片安装
    32.1W 20V 11.7nC 1个P沟道 100V 0.350Ω VGS = - 4.5 V,ID = - 3.4 A 8.8A TO-252 贴片安装
  • 库   存:2499
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.4706 ¥2.6006
  • 10+ ¥2.1176 ¥2.2291
  • 30+ ¥1.853 ¥1.9505
  • 100+ ¥1.5604 ¥1.6425
  • 500+ ¥1.4824 ¥1.5604
合计:¥2.47
标准包装数量:2500

VBZE50P06 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZE50P06
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
    P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
  • 库   存:4995
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.3442
  • 10+ ¥4.3759
  • 30+ ¥3.8944
  • 100+ ¥3.4143
  • 500+ ¥2.7276
  • 1000+ ¥2.577
合计:¥5.34
标准包装数量:2500

AO4408 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4408
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N沟道 20V 12A 12mΩ@10V SO-8
    N沟道 20V 12A 12mΩ@10V SO-8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7232
合计:¥3.62
标准包装数量:4000

APM9926AKC-TRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: APM9926AKC-TRL
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:88
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7232
合计:¥3.62
标准包装数量:4000

IRF7821TRPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7821TRPBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • 库   存:48
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9274
合计:¥4.64
标准包装数量:4000

12P10 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 12P10
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 32.1W 1个P沟道 100V 0.35Ω@VGS = -4.5 V,ID = -3.4 A 8.8A TO-252 贴片安装
    32.1W 1个P沟道 100V 0.35Ω@VGS = -4.5 V,ID = -3.4 A 8.8A TO-252 贴片安装
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.2063
合计:¥6.03
标准包装数量:2500

TPC8223-H 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TPC8223-H
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N+N沟道 30V 12A 10mΩ@10V SO-8
    N+N沟道 30V 12A 10mΩ@10V SO-8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.2063
合计:¥6.03
标准包装数量:4000

NCE6008AS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NCE6008AS
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,60V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,60V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.2063
合计:¥6.03
标准包装数量:4000

STS4NF100 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STS4NF100
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N沟道 100V 6.4A 40mΩ@10V SO-8
    N沟道 100V 6.4A 40mΩ@10V SO-8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.3263
合计:¥6.63
标准包装数量:4000

ZXMC6A09DN8TC 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMC6A09DN8TC
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N+P—Channel沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8
    N+P—Channel沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4474
合计:¥7.24
标准包装数量:4000

NCE01P30K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NCE01P30K
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-100V,-40A,RDS(ON),33mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.92Vth(V) 封装:TO252
    P—Channel沟道,-100V,-40A,RDS(ON),33mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.92Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:70
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4474
合计:¥16.28
标准包装数量:2500
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