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2SK1960-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK1960-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-89-3
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
    N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
  • 库   存:400000
  • 起订量:55
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 55+ ¥0.7847 ¥0.826
  • 400+ ¥0.7534 ¥0.793
  • 800+ ¥0.741 ¥0.78
  • 1200+ ¥0.722 ¥0.76
合计:¥43.16
标准包装数量:1000

2SK2440-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2440-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:4000

F7410G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F7410G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-12V,-16A,RDS(ON),5mΩ@4.5V,6.5mΩ@2.5V,8Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:SOP8具有超低导通电阻和高电流能力,适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-12V,-16A,RDS(ON),5mΩ@4.5V,6.5mΩ@2.5V,8Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:SOP8具有超低导通电阻和高电流能力,适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:4000

SPU09N05-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPU09N05-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,35A,RDS(ON),32mΩ@10V,37mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V),封装:TO251适用于电机驱动、负载开关、电源路径管理、紧凑型电源适配器、工业与汽车辅助系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,35A,RDS(ON),32mΩ@10V,37mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V),封装:TO251适用于电机驱动、负载开关、电源路径管理、紧凑型电源适配器、工业与汽车辅助系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 250+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 800+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥41.87
标准包装数量:4000

EMB25N06A-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: EMB25N06A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.5704 ¥1.653
  • 200+ ¥1.5067 ¥1.586
  • 400+ ¥1.482 ¥1.56
  • 600+ ¥1.444 ¥1.52
合计:¥47.11
标准包装数量:2500

F3704S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F3704S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.8~2.0Vth(V) 封装:TO263 适用于各种电源和功率控制应用,特别是在需要高效能和低导通电阻的场合,包括电源模块、电机驱动模块、电动车充放电模块以及LED驱动模块等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.8~2.0Vth(V) 封装:TO263 适用于各种电源和功率控制应用,特别是在需要高效能和低导通电阻的场合,包括电源模块、电机驱动模块、电动车充放电模块以及LED驱动模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.5704 ¥1.653
  • 200+ ¥1.5067 ¥1.586
  • 400+ ¥1.482 ¥1.56
  • 600+ ¥1.444 ¥1.52
合计:¥47.11
标准包装数量:800

F7328-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F7328-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-8A,RDS(ON),21mΩ@10V,28mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通损耗、高集成度和宽栅极驱动电压范围的特点;适用于需要高效电源管理、空间受限布局和智能负载控制的场景。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-8A,RDS(ON),21mΩ@10V,28mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通损耗、高集成度和宽栅极驱动电压范围的特点;适用于需要高效电源管理、空间受限布局和智能负载控制的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:4000

F3709-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F3709-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.0938 ¥2.204
  • 150+ ¥2.0102 ¥2.116
  • 300+ ¥1.976 ¥2.08
  • 500+ ¥1.9257 ¥2.027
合计:¥41.88
标准包装数量:1000

MTN4N65BF3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTN4N65BF3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=650V;ID =4A;RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;作为LED驱动电路中的功率开关,该产品可用于工业照明和商业照明领域,如街道灯和办公室照明系统。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=650V;ID =4A;RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;作为LED驱动电路中的功率开关,该产品可用于工业照明和商业照明领域,如街道灯和办公室照明系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.0938 ¥2.204
  • 150+ ¥2.0102 ¥2.116
  • 300+ ¥1.976 ¥2.08
  • 500+ ¥1.9257 ¥2.027
合计:¥41.88
标准包装数量:800

2SK1445LS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK1445LS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
    台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:1000

2SK1819-01MR-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK1819-01MR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
    台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:1000

F7351-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F7351-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,10A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8具有引脚兼容、性能增强的特点,适用于多种需要高集成度、低导通损耗、多路负载控制的功率电子场景。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,10A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8具有引脚兼容、性能增强的特点,适用于多种需要高集成度、低导通损耗、多路负载控制的功率电子场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.2471 ¥3.418
  • 100+ ¥3.1407 ¥3.306
  • 200+ ¥3.0609 ¥3.222
  • 300+ ¥3.0077 ¥3.166
合计:¥48.71
标准包装数量:4000

2SK1869-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK1869-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
    台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:2500

F6NK70Z-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F6NK70Z-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,700V,7A,RDS(ON),800mΩ@10V,1000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,700V,7A,RDS(ON),800mΩ@10V,1000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 200+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 300+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥56.19
标准包装数量:1000

IXCY01N90E-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IXCY01N90E-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=900V;ID =2A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器中的功率开关,用于将太阳能光伏板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭或工业用电网络。
    台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=900V;ID =2A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器中的功率开关,用于将太阳能光伏板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭或工业用电网络。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.257 ¥4.481
  • 100+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 300+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥42.57
标准包装数量:2500

IPB60R299CP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB60R299CP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;具备高耐压和适中的导通电阻,非常适合用于高压开关和功率管理应用。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;具备高耐压和适中的导通电阻,非常适合用于高压开关和功率管理应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.257 ¥4.481
  • 100+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 300+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥42.57
标准包装数量:800

F650-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F650-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,200V,35A,RDS(ON),58mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,200V,35A,RDS(ON),58mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.9594 ¥6.273
  • 50+ ¥5.7646 ¥6.068
  • 100+ ¥5.6174 ¥5.913
  • 200+ ¥5.5195 ¥5.81
合计:¥59.59
标准包装数量:1000

AUIRF3315S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AUIRF3315S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,150V,45A,RDS(ON),35mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO263适用于中高功率、高效率的工业与消费电子场景;如人形机器人中央电源分配、电机驱动、汽车暖风系统控制器、工业电源与功率分配模块等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,150V,45A,RDS(ON),35mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO263适用于中高功率、高效率的工业与消费电子场景;如人形机器人中央电源分配、电机驱动、汽车暖风系统控制器、工业电源与功率分配模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8106 ¥7.169
  • 50+ ¥6.5873 ¥6.934
  • 100+ ¥6.4192 ¥6.757
  • 200+ ¥6.308 ¥6.64
合计:¥68.11
标准包装数量:800

F21NM60N-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F21NM60N-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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    4-6工作日
  • 5+ ¥10.2154 ¥10.753
  • 50+ ¥9.881 ¥10.401
  • 100+ ¥9.6292 ¥10.136
  • 200+ ¥9.462 ¥9.96
合计:¥51.08
标准包装数量:1000

IPW60R280C6-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW60R280C6-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种电力电子模块,如逆变器、整流器和电源开关,可用于工业控制、电力传输和能源转换等领域。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种电力电子模块,如逆变器、整流器和电源开关,可用于工业控制、电力传输和能源转换等领域。
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  • 5+ ¥11.001 ¥11.58
  • 50+ ¥10.641 ¥11.201
  • 100+ ¥10.3702 ¥10.916
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