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2V7002LT3G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2V7002LT3G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:230
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 230+ ¥0.1748 ¥0.184
  • 690+ ¥0.1672 ¥0.176
  • 1380+ ¥0.1644 ¥0.173
  • 2100+ ¥0.1606 ¥0.169
合计:¥40.20
标准包装数量:3000

ELM33410CA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ELM33410CA-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
    台积电流片,长电封测。 20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
  • 库   存:400000
  • 起订量:190
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 190+ ¥0.209 ¥0.22
  • 570+ ¥0.2005 ¥0.211
  • 1140+ ¥0.1976 ¥0.208
  • 1800+ ¥0.1919 ¥0.202
合计:¥39.71
标准包装数量:3000

3341L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 3341L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
    台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
  • 库   存:400000
  • 起订量:130
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 130+ ¥0.3135 ¥0.33
  • 390+ ¥0.3012 ¥0.317
  • 780+ ¥0.2964 ¥0.312
  • 1200+ ¥0.2888 ¥0.304
合计:¥40.76
标准包装数量:3000

350N03-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 350N03-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通电阻、高电流能力和良好的栅极兼容性,适用于多种中低压、高效率、高集成度的电子系统场景。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通电阻、高电流能力和良好的栅极兼容性,适用于多种中低压、高效率、高集成度的电子系统场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:4000

4172WS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4172WS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:4000

ELM34812AA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ELM34812AA-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,20V,7.1A,RDS(ON),19mΩ@10V,26mΩ@4.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SOP8在3D打印机、高密度存储服务器等设备中,用于智能供电管理,根据工作状态动态调节风扇、加热器、外设等模块的电源通断,实现能效优化与热管理;除此之外也适用于太阳能充电宝、便携设备、电机驱动、工业控制与制冷系统等。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,20V,7.1A,RDS(ON),19mΩ@10V,26mΩ@4.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SOP8在3D打印机、高密度存储服务器等设备中,用于智能供电管理,根据工作状态动态调节风扇、加热器、外设等模块的电源通断,实现能效优化与热管理;除此之外也适用于太阳能充电宝、便携设备、电机驱动、工业控制与制冷系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:4000

EMB09N03G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: EMB09N03G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:4000

ELM18818BA-S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ELM18818BA-S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,8.6A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TSSOP8利用其低导通电阻和共漏极结构,可实现电池放电路径管理或输入电源与电池之间的无缝切换,防止电流倒灌。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,8.6A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TSSOP8利用其低导通电阻和共漏极结构,可实现电池放电路径管理或输入电源与电池之间的无缝切换,防止电流倒灌。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.1343 ¥1.194
  • 300+ ¥1.0887 ¥1.146
  • 600+ ¥1.0707 ¥1.127
  • 900+ ¥1.0431 ¥1.098
合计:¥39.70
标准包装数量:3000

3302H-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 3302H-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

35N03-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 35N03-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,80A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO252适用于需要高电流、高效率、低发热的功率控制场景;例如电源管理模块、电机驱动电路、电动车辆、储能系统、服务器与高密度计算设备等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,80A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO252适用于需要高电流、高效率、低发热的功率控制场景;例如电源管理模块、电机驱动电路、电动车辆、储能系统、服务器与高密度计算设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

EMA30N03A-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: EMA30N03A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

4226GM-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4226GM-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,8.5A,RDS(ON),16mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于多种对效率、空间和可靠性有较高要求的电源管理与功率控制场景;例如5G路由器/通信设备电源管理、高密度电源模块设计、多路负载开关与电源分配等。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,8.5A,RDS(ON),16mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于多种对效率、空间和可靠性有较高要求的电源管理与功率控制场景;例如5G路由器/通信设备电源管理、高密度电源模块设计、多路负载开关与电源分配等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:4000

F7338-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F7338-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±30V,±8A,RDS(ON),18/40mΩ@10V,25/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6/-1.7Vth(V)封装:SOP8适用于需要紧凑布局、高效率和中等功率驱动的场景;例如在电池供电设备中实现充放电回路切换、电源通断控制,尤其适用于对导通损耗敏感的应用。
    台积电流片,长电封测。N+P沟道,±30V,±8A,RDS(ON),18/40mΩ@10V,25/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6/-1.7Vth(V)封装:SOP8适用于需要紧凑布局、高效率和中等功率驱动的场景;例如在电池供电设备中实现充放电回路切换、电源通断控制,尤其适用于对导通损耗敏感的应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:4000

301SP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 301SP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种多功能、高性能的电子器件,适用于许多不同的应用领域和模块。 具有参数:VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-2.5V。在VGS=4.5V时的导通电阻为15mΩ,在VGS=10V时为11mΩ,最大漏极电流(ID)为-13.5A。这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOP8。
    台积电流片,长电封测。 P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种多功能、高性能的电子器件,适用于许多不同的应用领域和模块。 具有参数:VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-2.5V。在VGS=4.5V时的导通电阻为15mΩ,在VGS=10V时为11mΩ,最大漏极电流(ID)为-13.5A。这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOP8。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:4000

3N65L-TF1-T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 3N65L-TF1-T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.919 ¥2.02
  • 150+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 300+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 500+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥47.98
标准包装数量:1000

F530NS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F530NS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
    N—Channel沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.996 ¥2.101
  • 150+ ¥1.9162 ¥2.017
  • 300+ ¥1.8848 ¥1.984
  • 500+ ¥1.8364 ¥1.933
合计:¥39.92
标准包装数量:800

F7343Q-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F7343Q-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±60V,5.3/-4.9A,RDS(ON),26/55mΩ@10V,29/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8/-1.7Vth(V)封装:SOP8具备低导通电阻和高集成度的特性,适用于多种中低功率、高效率的电力电子场景。
    台积电流片,长电封测。N+P沟道,±60V,5.3/-4.9A,RDS(ON),26/55mΩ@10V,29/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8/-1.7Vth(V)封装:SOP8具备低导通电阻和高集成度的特性,适用于多种中低功率、高效率的电力电子场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.996 ¥2.101
  • 150+ ¥1.9162 ¥2.017
  • 300+ ¥1.8848 ¥1.984
  • 500+ ¥1.8364 ¥1.933
合计:¥39.92
标准包装数量:4000

F540B-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F540B-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.3845 ¥2.51
  • 150+ ¥2.3057 ¥2.427
  • 300+ ¥2.2477 ¥2.366
  • 500+ ¥2.2078 ¥2.324
合计:¥47.69
标准包装数量:1000

F7705-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F7705-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-9A,RDS(ON),16mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TSSOP8适用于高侧电源开关、外围接口与传感器电源分配、车载电子系统中的模块电源控制等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-9A,RDS(ON),16mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TSSOP8适用于高侧电源开关、外围接口与传感器电源分配、车载电子系统中的模块电源控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:3000

F4905NS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F4905NS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-110A,RDS(ON),8mΩ@10V,9.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO263
    P—Channel沟道,-60V,-110A,RDS(ON),8mΩ@10V,9.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.7893 ¥6.094
  • 50+ ¥5.5993 ¥5.894
  • 100+ ¥5.4568 ¥5.744
  • 100+ ¥5.4568 ¥5.744
合计:¥57.89
标准包装数量:800
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