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SI2316BDS-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2316BDS-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥0.2851 ¥0.3168
  • 100+ ¥0.2804 ¥0.3115
  • 150+ ¥0.2732 ¥0.3036
合计:¥14.26
标准包装数量:3000

WTK9410-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: WTK9410-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性: - 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。 - 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。 - 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
    台积电流片,长电封测。 该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性: - 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。 - 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。 - 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.3489 ¥1.4988
  • 100+ ¥1.3264 ¥1.4738
  • 150+ ¥1.2928 ¥1.4364
合计:¥67.45
标准包装数量:4000

11N10-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 11N10-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
    台积电流片,长电封测。 一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.4288 ¥1.5876
  • 100+ ¥1.405 ¥1.5611
  • 150+ ¥1.3694 ¥1.5215
合计:¥71.44
标准包装数量:2500

SI7326DN-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7326DN-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域,可用于开关电源、电动车、光伏发电系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。 N沟道,30V,40A,RDS(ON),11mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.3Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
    台积电流片,长电封测。 适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域,可用于开关电源、电动车、光伏发电系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。 N沟道,30V,40A,RDS(ON),11mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.3Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.4645 ¥1.6272
  • 100+ ¥1.4401 ¥1.6001
  • 150+ ¥1.4035 ¥1.5594
合计:¥73.23
标准包装数量:5000

2N62K3-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N62K3-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和适中的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和适中的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.5865 ¥1.7628
  • 100+ ¥1.5601 ¥1.7334
  • 150+ ¥1.5205 ¥1.6894
合计:¥79.33
标准包装数量:1000

DTL2N70SJ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DTL2N70SJ-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO251
    N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.7453 ¥1.9392
  • 100+ ¥1.7162 ¥1.9069
  • 150+ ¥1.6726 ¥1.8584
合计:¥87.27
标准包装数量:4000

2SK3462-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK3462-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,250V,4A,RDS(ON),800mΩ@10V,960mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V);TO252
    N—Channel沟道,250V,4A,RDS(ON),800mΩ@10V,960mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V);TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.3803 ¥2.6448
  • 100+ ¥2.3406 ¥2.6007
  • 150+ ¥2.2811 ¥2.5346
合计:¥119.02
标准包装数量:2500

SIHFR224TL-E3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHFR224TL-E3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,250V,4A,RDS(ON),800mΩ@10V,960mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V);TO252
    N—Channel沟道,250V,4A,RDS(ON),800mΩ@10V,960mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V);TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.3803 ¥2.6448
  • 100+ ¥2.3406 ¥2.6007
  • 150+ ¥2.2811 ¥2.5346
合计:¥119.02
标准包装数量:2500

024N06N-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 024N06N-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:2500

048N06L-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 048N06L-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:2500

2N06L06-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N06L06-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:1000

07N60S5-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 07N60S5-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
    台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:2500

07N60CFD-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 07N60CFD-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

100N08N-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 100N08N-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

13NM60ND-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 13NM60ND-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
    台积电流片,长电封测。 VBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:1000

13NK60Z-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 13NK60Z-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,封装为 TO263。该产品具有650V 的 VDS 额定电压,30V 的 VGS 最大偏置电压,以及3.5V 的阈值电压。它的导通电阻(VGS=10V)为430m?,最大漏极电流为18A,适用于各种高压应用场景。
    台积电流片,长电封测。 一款单 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,封装为 TO263。该产品具有650V 的 VDS 额定电压,30V 的 VGS 最大偏置电压,以及3.5V 的阈值电压。它的导通电阻(VGS=10V)为430m?,最大漏极电流为18A,适用于各种高压应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:800

BSC042NE7NS3 G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC042NE7NS3 G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(5X6);N—Channel沟道,80V;60A;RDS(ON)=6.1mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
    DFN8(5X6);N—Channel沟道,80V;60A;RDS(ON)=6.1mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥5.0771 ¥5.6412
  • 100+ ¥4.9925 ¥5.5472
  • 150+ ¥4.8656 ¥5.4062
合计:¥253.86
标准包装数量:5000

BUK428-800A-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK428-800A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
    TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥5.5534 ¥6.1704
  • 100+ ¥5.4608 ¥6.0676
  • 150+ ¥5.322 ¥5.9133
合计:¥277.67
标准包装数量:1000

08N80C3-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 08N80C3-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,9A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F产品简产品在电源逆变器、风能变流器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性,展示了其广泛的应用前景和潜力。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,9A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F产品简产品在电源逆变器、风能变流器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性,展示了其广泛的应用前景和潜力。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥7.9326 ¥8.814
  • 100+ ¥7.8004 ¥8.6671
  • 150+ ¥7.6021 ¥8.4468
合计:¥396.63
标准包装数量:1000

18NM60N-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 18NM60N-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
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