处理中...

{{item.name}}

SI2302 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:45
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.1442
合计:¥0.72
标准包装数量:3000

IRLML9303TR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML9303TR
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT-23
    P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT-23
  • 库   存:1000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2168
合计:¥1.08
标准包装数量:3000

MCH3376 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MCH3376
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
    P—Channel沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2411
合计:¥1.21
标准包装数量:3000

FDC8886 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDC8886
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6
    N—Channel沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.4832
合计:¥2.42
标准包装数量:3000

2SK2715 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2715
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 650V 4.5A 1.8Ω@10V TO-252
    N沟道 650V 4.5A 1.8Ω@10V TO-252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.2063
合计:¥6.03
标准包装数量:2500

IRLIZ14GPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLIZ14GPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: TO220F;N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);
    TO220F;N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.3263
合计:¥6.63
标准包装数量:1000

IRFR9120NTRPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9120NTRPBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),188mΩ@10V,195mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.77Vth(V) 封装:TO252
    P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),188mΩ@10V,195mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.77Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:199
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.3916
合计:¥6.96
标准包装数量:2500

P2204ND5G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P2204ND5G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252-4L
  • 描述: N+P沟道 40V 50A 14mΩ@10V;-40V -50A 14mΩ@-10V TO-252-4L
    N+P沟道 40V 50A 14mΩ@10V;-40V -50A 14mΩ@-10V TO-252-4L
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4474
合计:¥7.24
标准包装数量:2500

FR5505 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FR5505
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道 -60V -25A 53mΩ@-10V TO-252
    P沟道 -60V -25A 53mΩ@-10V TO-252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4474
合计:¥7.24
标准包装数量:2500

2SJ532 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SJ532
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,69mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~ -3Vth(V) 封装:TO220F
    P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,69mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~ -3Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:84
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.8095
合计:¥9.05
标准包装数量:1000

STP80NF10 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STP80NF10
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:34
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.4126
合计:¥12.06
标准包装数量:1000

STF13NM60N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STF13NM60N
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥3.34
合计:¥16.70
标准包装数量:1000

40N06-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 40N06-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.4288 ¥1.5876
  • 100+ ¥1.405 ¥1.5611
  • 150+ ¥1.3694 ¥1.5215
合计:¥71.44
标准包装数量:2500

5N60-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 5N60-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.7453 ¥1.9392
  • 100+ ¥1.7162 ¥1.9069
  • 150+ ¥1.6726 ¥1.8584
合计:¥87.27
标准包装数量:1000

90N04-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 90N04-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.904 ¥2.1156
  • 100+ ¥1.8723 ¥2.0803
  • 150+ ¥1.8248 ¥2.0275
合计:¥95.20
标准包装数量:2500

90N4F3-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 90N4F3-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.904 ¥2.1156
  • 100+ ¥1.8723 ¥2.0803
  • 150+ ¥1.8248 ¥2.0275
合计:¥95.20
标准包装数量:2500

4N0609-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4N0609-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.904 ¥2.1156
  • 100+ ¥1.8723 ¥2.0803
  • 150+ ¥1.8248 ¥2.0275
合计:¥95.20
标准包装数量:2500

HFD1N70-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HFD1N70-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
    N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.904 ¥2.1156
  • 100+ ¥1.8723 ¥2.0803
  • 150+ ¥1.8248 ¥2.0275
合计:¥95.20
标准包装数量:2500

2N04L03-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N04L03-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 可用作开关电源的主动开关器件,适用于DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 可用作开关电源的主动开关器件,适用于DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.538 ¥2.82
  • 100+ ¥2.4957 ¥2.773
  • 150+ ¥2.4323 ¥2.7025
合计:¥126.90
标准包装数量:1000

5N52K3-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 5N52K3-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
    台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
合计:¥142.78
标准包装数量:2500
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧