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TPC8223-H 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TPC8223-H
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N+N沟道 30V 12A 10mΩ@10V SO-8
    N+N沟道 30V 12A 10mΩ@10V SO-8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.2063
合计:¥6.03
标准包装数量:4000

4423M-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4423M-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-9A,RDS(ON),18mΩ@10V,24mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8广泛用于中低压、中高电流的开关应用,尤其适合对效率、成本和供应链稳定性有要求的场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-9A,RDS(ON),18mΩ@10V,24mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8广泛用于中低压、中高电流的开关应用,尤其适合对效率、成本和供应链稳定性有要求的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.1343 ¥1.194
  • 300+ ¥1.0887 ¥1.146
  • 600+ ¥1.0707 ¥1.127
  • 900+ ¥1.0431 ¥1.098
合计:¥39.70
标准包装数量:4000

2SK801-Z-E1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK801-Z-E1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

4416GH-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4416GH-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,80A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO252适用于需要高电流、高效率、低发热的功率控制场景;例如电源管理模块、电机驱动电路、电动车辆、储能系统、服务器与高密度计算设备等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,80A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO252适用于需要高电流、高效率、低发热的功率控制场景;例如电源管理模块、电机驱动电路、电动车辆、储能系统、服务器与高密度计算设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

ELM34814AA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ELM34814AA-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,8.5A,RDS(ON),16mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于多种对效率、空间和可靠性有较高要求的电源管理与功率控制场景;例如5G路由器/通信设备电源管理、高密度电源模块设计、多路负载开关与电源分配等。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,8.5A,RDS(ON),16mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于多种对效率、空间和可靠性有较高要求的电源管理与功率控制场景;例如5G路由器/通信设备电源管理、高密度电源模块设计、多路负载开关与电源分配等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:4000

4426AGM-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4426AGM-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性: - 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。 - 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。 - 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
    台积电流片,长电封测。 该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性: - 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。 - 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。 - 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.483 ¥1.561
  • 200+ ¥1.4241 ¥1.499
  • 400+ ¥1.4003 ¥1.474
  • 600+ ¥1.3642 ¥1.436
合计:¥44.49
标准包装数量:4000

EMB06N03G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: EMB06N03G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性: - 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。 - 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。 - 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
    台积电流片,长电封测。 该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性: - 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。 - 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。 - 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.483 ¥1.561
  • 200+ ¥1.4241 ¥1.499
  • 400+ ¥1.4003 ¥1.474
  • 600+ ¥1.3642 ¥1.436
合计:¥44.49
标准包装数量:4000

DMP3028LSD-13-F-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3028LSD-13-F-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-8A,RDS(ON),21mΩ@10V,28mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通损耗、高集成度和宽栅极驱动电压范围的特点;适用于需要高效电源管理、空间受限布局和智能负载控制的场景。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-8A,RDS(ON),21mΩ@10V,28mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通损耗、高集成度和宽栅极驱动电压范围的特点;适用于需要高效电源管理、空间受限布局和智能负载控制的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:4000

MTB020P03KV8-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTB020P03KV8-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-24A,RDS(ON),17mΩ@10V,21.25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:QFN8(3X3)可用作电机驱动、高效率电源管理、大电流负载开关、反极性保护与电源路径管理等场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-24A,RDS(ON),17mΩ@10V,21.25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:QFN8(3X3)可用作电机驱动、高效率电源管理、大电流负载开关、反极性保护与电源路径管理等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:5000

SI7613DN-T1-E3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7613DN-T1-E3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-52A,RDS(ON),4mΩ@10V,6mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)具备高功率密度、低损耗和优异热性能;适用于主电源路径管理、高电流负载开关、电池充放电管理,电机/风扇驱动等场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-52A,RDS(ON),4mΩ@10V,6mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)具备高功率密度、低损耗和优异热性能;适用于主电源路径管理、高电流负载开关、电池充放电管理,电机/风扇驱动等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.2686 ¥2.388
  • 150+ ¥2.1774 ¥2.292
  • 300+ ¥2.1413 ¥2.254
  • 500+ ¥2.0872 ¥2.197
合计:¥45.37
标准包装数量:5000

SQS121ELNW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQS121ELNW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-52A,RDS(ON),4mΩ@10V,6mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)具备高功率密度、低损耗和优异热性能;适用于主电源路径管理、高电流负载开关、电池充放电管理,电机/风扇驱动等场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-52A,RDS(ON),4mΩ@10V,6mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)具备高功率密度、低损耗和优异热性能;适用于主电源路径管理、高电流负载开关、电池充放电管理,电机/风扇驱动等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.2686 ¥2.388
  • 150+ ¥2.1774 ¥2.292
  • 300+ ¥2.1413 ¥2.254
  • 500+ ¥2.0872 ¥2.197
合计:¥45.37
标准包装数量:5000

DMT69M8LFV-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMT69M8LFV-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=60V;ID =30A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;可用作电机驱动、高效率开关电源、智能舞台灯光调光器、负载点电源与电源路径管理等。
    台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=60V;ID =30A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;可用作电机驱动、高效率开关电源、智能舞台灯光调光器、负载点电源与电源路径管理等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:5000

D7N65-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: D7N65-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.2471 ¥3.418
  • 100+ ¥3.1407 ¥3.306
  • 200+ ¥3.0609 ¥3.222
  • 300+ ¥3.0077 ¥3.166
合计:¥48.71
标准包装数量:2500

IRFH8303-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFH8303-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,128A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,1.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN8(5X6)具有超低导通电阻和高连续电流能力,适用于对功率密度、效率和热性能要求严苛的场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,128A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,1.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN8(5X6)具有超低导通电阻和高连续电流能力,适用于对功率密度、效率和热性能要求严苛的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

DMTH31M7LPSQ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH31M7LPSQ-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,128A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,1.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN8(5X6)具有超低导通电阻和高连续电流能力,适用于对功率密度、效率和热性能要求严苛的场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,128A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,1.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN8(5X6)具有超低导通电阻和高连续电流能力,适用于对功率密度、效率和热性能要求严苛的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

SW110R06VT-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SW110R06VT-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于需要低导通损耗、高电流能力、优异热性能的场景;例如高密度电源模块、工业自动化设备、机器人与智能装备等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于需要低导通损耗、高电流能力、优异热性能的场景;例如高密度电源模块、工业自动化设备、机器人与智能装备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

F3710S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F3710S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
    N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.573 ¥3.761
  • 100+ ¥3.4561 ¥3.638
  • 200+ ¥3.3678 ¥3.545
  • 300+ ¥3.3098 ¥3.484
合计:¥53.60
标准包装数量:800

DON50N10-TL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DON50N10-TL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,65A,RDS(ON),9mΩ@10V,12.36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于对功率密度、效率和热性能要求高的中高压大电流场景;例如电池管理系统、同步整流电路、电机驱动与逆变器等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,65A,RDS(ON),9mΩ@10V,12.36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于对功率密度、效率和热性能要求高的中高压大电流场景;例如电池管理系统、同步整流电路、电机驱动与逆变器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥4.257 ¥4.481
  • 100+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 300+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥42.57
标准包装数量:5000

SW069R06VT-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SW069R06VT-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于高效率、高功率密度的电源与驱动系统等,例如高端无人机电调、超快充电器、PD适配器、工业与电机控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于高效率、高功率密度的电源与驱动系统等,例如高端无人机电调、超快充电器、PD适配器、工业与电机控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥4.257 ¥4.481
  • 100+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 300+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥42.57
标准包装数量:5000

F3415S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F3415S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,150V,45A,RDS(ON),35mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO263适用于中高功率、高效率的工业与消费电子场景;如人形机器人中央电源分配、电机驱动、汽车暖风系统控制器、工业电源与功率分配模块等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,150V,45A,RDS(ON),35mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO263适用于中高功率、高效率的工业与消费电子场景;如人形机器人中央电源分配、电机驱动、汽车暖风系统控制器、工业电源与功率分配模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.4961 ¥6.838
  • 50+ ¥6.2833 ¥6.614
  • 100+ ¥6.1237 ¥6.446
  • 100+ ¥6.1237 ¥6.446
合计:¥64.96
标准包装数量:800
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