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IRFI1310NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFI1310NPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:930
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.6884
合计:¥8.44
标准包装数量:1000

DMC2700UDM-7-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMC2700UDM-7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N+P沟道,±20V,7 /-4.5A,RDS(ON),20 / 70mΩ@4.5V,29 / 106mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.71 / -0.81Vth(V) 封装:SOT23-6可用于电源管理系统中的电流调节和电路保护模块,提供高效的功率控制和稳定的电流输出。
    台积电流片,长电封测。 N+P沟道,±20V,7 /-4.5A,RDS(ON),20 / 70mΩ@4.5V,29 / 106mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.71 / -0.81Vth(V) 封装:SOT23-6可用于电源管理系统中的电流调节和电路保护模块,提供高效的功率控制和稳定的电流输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥0.635 ¥0.7056
  • 100+ ¥0.6244 ¥0.6938
  • 150+ ¥0.6086 ¥0.6762
合计:¥31.75
标准包装数量:3000

78N03G-VB TO251 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 78N03G-VB TO251
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.76Vth(V) 封装:TO251 该产品是单N沟道MOSFET,具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.76Vth(V) 封装:TO251 该产品是单N沟道MOSFET,具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.3489 ¥1.4988
  • 100+ ¥1.3264 ¥1.4738
  • 150+ ¥1.2928 ¥1.4364
合计:¥67.45
标准包装数量:4000

DMPH6050SFGQ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMPH6050SFGQ-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-11A,RDS(ON),60mΩ@10V,75mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:QFN8(3X3),凭借其低导通电阻(RDS(on))和良好的开关性能,VBQF2658非常适合需要负电压控制和高效率开关的场合。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-11A,RDS(ON),60mΩ@10V,75mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:QFN8(3X3),凭借其低导通电阻(RDS(on))和良好的开关性能,VBQF2658非常适合需要负电压控制和高效率开关的场合。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.7453 ¥1.9392
  • 100+ ¥1.7162 ¥1.9069
  • 150+ ¥1.6726 ¥1.8584
合计:¥87.27
标准包装数量:5000

F1S45N06-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F1S45N06-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.2216 ¥2.4684
  • 100+ ¥2.1846 ¥2.4273
  • 150+ ¥2.129 ¥2.3656
合计:¥111.08
标准包装数量:800

DMTH10H015SK3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH10H015SK3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=100V;ID =35A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;作为一款高性能的单通道N沟道场效应管,适用于电源模块、驱动模块、LED照明、电动工具等多种领域和模块,可为各种电力电子应用提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
    台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=100V;ID =35A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;作为一款高性能的单通道N沟道场效应管,适用于电源模块、驱动模块、LED照明、电动工具等多种领域和模块,可为各种电力电子应用提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.3803 ¥2.6448
  • 100+ ¥2.3406 ¥2.6007
  • 150+ ¥2.2811 ¥2.5346
合计:¥119.02
标准包装数量:2500

DMP6023LFG-7-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP6023LFG-7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);P沟道,-60V;-20A;RDS(ON)=37mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;具有小型封装和高性能特点,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
    台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);P沟道,-60V;-20A;RDS(ON)=37mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;具有小型封装和高性能特点,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.3803 ¥2.6448
  • 100+ ¥2.3406 ¥2.6007
  • 150+ ¥2.2811 ¥2.5346
合计:¥119.02
标准包装数量:5000

IRLH5030-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLH5030-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。100A,RDS(ON),9.5mΩ@10V,11.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2..5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于车载电源管理、车辆电力系统和车辆控制单元等应用。其高性能和可靠性使其能够满足汽车行业对稳定性和安全性的严格要求。
    台积电流片,长电封测。100A,RDS(ON),9.5mΩ@10V,11.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2..5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于车载电源管理、车辆电力系统和车辆控制单元等应用。其高性能和可靠性使其能够满足汽车行业对稳定性和安全性的严格要求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.6968 ¥2.9964
  • 100+ ¥2.6519 ¥2.9465
  • 150+ ¥2.5844 ¥2.8716
合计:¥134.84
标准包装数量:5000

IAUC60N10S5L110-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IAUC60N10S5L110-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。100A,RDS(ON),9.5mΩ@10V,11.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2..5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于车载电源管理、车辆电力系统和车辆控制单元等应用。其高性能和可靠性使其能够满足汽车行业对稳定性和安全性的严格要求。
    台积电流片,长电封测。100A,RDS(ON),9.5mΩ@10V,11.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2..5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于车载电源管理、车辆电力系统和车辆控制单元等应用。其高性能和可靠性使其能够满足汽车行业对稳定性和安全性的严格要求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.6968 ¥2.9964
  • 100+ ¥2.6519 ¥2.9465
  • 150+ ¥2.5844 ¥2.8716
合计:¥134.84
标准包装数量:5000

NCE07TD60BK-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NCE07TD60BK-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;
    TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.6968 ¥2.9964
  • 100+ ¥2.6519 ¥2.9465
  • 150+ ¥2.5844 ¥2.8716
合计:¥134.84
标准包装数量:2500

DMP4011SPSQ-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP4011SPSQ-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-38A,RDS(ON),12mΩ@10V,14.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)该MOSFET可用于工业自动化模块,如工业机器人、自动化控制系统和生产线设备。其高性能和可靠性能够满足工业环境中的高负载和频繁的开关操作。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-38A,RDS(ON),12mΩ@10V,14.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)该MOSFET可用于工业自动化模块,如工业机器人、自动化控制系统和生产线设备。其高性能和可靠性能够满足工业环境中的高负载和频繁的开关操作。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:5000

BSC155N06ND-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC155N06ND-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V)封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N型MOSFET,提供了优异的开关性能、低导通电阻和高可靠性,广泛应用于电源管理、功率转换、汽车电子和其他高电流负载的模块中。
    台积电流片,长电封测。30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V)封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N型MOSFET,提供了优异的开关性能、低导通电阻和高可靠性,广泛应用于电源管理、功率转换、汽车电子和其他高电流负载的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:5000

DMTH8003SPSW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH8003SPSW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。80V,80A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:QFN8(5X6)一款单N型场效应晶体管,凭借其低导通电阻和高电流能力,这款 MOSFET 非常适用于需要高效能和低热量积聚的功率控制领域。
    台积电流片,长电封测。80V,80A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:QFN8(5X6)一款单N型场效应晶体管,凭借其低导通电阻和高电流能力,这款 MOSFET 非常适用于需要高效能和低热量积聚的功率控制领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:5000

DMTH6016LPD-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH6016LPD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V)封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N型MOSFET,提供了优异的开关性能、低导通电阻和高可靠性,广泛应用于电源管理、功率转换、汽车电子和其他高电流负载的模块中。
    台积电流片,长电封测。30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V)封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N型MOSFET,提供了优异的开关性能、低导通电阻和高可靠性,广泛应用于电源管理、功率转换、汽车电子和其他高电流负载的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:5000

7N60-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 7N60-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
    台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:2500

MTB1K0P25J3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTB1K0P25J3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-250V;ID =-6A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1200mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;特性使其在多个领域的功率控制和电源管理模块中表现出色,为各种应用提供可靠的性能和高效的能源转换。
    台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-250V;ID =-6A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1200mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;特性使其在多个领域的功率控制和电源管理模块中表现出色,为各种应用提供可靠的性能和高效的能源转换。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:2500

6R299P-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 6R299P-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
    台积电流片,长电封测。 VBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:1000

DMTH8003SPS-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH8003SPS-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款单N型沟道MOSFET,适用于工作在80V的电路中。其栅极-源极电压范围为±20V,阈值电压为3.5V。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为2.65mΩ。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为DFN8(5X6)。可用于功率开关模块,保障电力系统的稳定供电,确保设备和系统的持续运行。
    台积电流片,长电封测。一款单N型沟道MOSFET,适用于工作在80V的电路中。其栅极-源极电压范围为±20V,阈值电压为3.5V。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为2.65mΩ。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为DFN8(5X6)。可用于功率开关模块,保障电力系统的稳定供电,确保设备和系统的持续运行。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:5000

IRFB4229-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4229-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,250V,50A,Power MOSFET RDS(ON)0.041mΩ@10V,±20Vgs(±V);Vth=2-4V;封装TO220
    N—Channel沟道,250V,50A,Power MOSFET RDS(ON)0.041mΩ@10V,±20Vgs(±V);Vth=2-4V;封装TO220
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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标准包装数量:1000

IXTQ86N25T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IXTQ86N25T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-3P
  • 描述: N-Channel 250V(D-S) MOSFET,100A, RDS(ON)0.016mΩ@10V,±20Vgs(±V);Vth=2.5-4.5V;封装TO3P
    N-Channel 250V(D-S) MOSFET,100A, RDS(ON)0.016mΩ@10V,±20Vgs(±V);Vth=2.5-4.5V;封装TO3P
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