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DI045N03PT-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DI045N03PT-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,60A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN8(3X3)适用于对高效率、大电流、小体积和高热性能有严格要求的场景;如智能插座中的电能控制与监测,电机驱动的H桥低侧开关,AI存储系统的板载电源分配,高性能DC-DC同步整流等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,60A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN8(3X3)适用于对高效率、大电流、小体积和高热性能有严格要求的场景;如智能插座中的电能控制与监测,电机驱动的H桥低侧开关,AI存储系统的板载电源分配,高性能DC-DC同步整流等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.2686 ¥2.388
  • 150+ ¥2.1774 ¥2.292
  • 300+ ¥2.1413 ¥2.254
  • 500+ ¥2.0872 ¥2.197
合计:¥45.37
标准包装数量:5000

SQS405ENW-T1_GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQS405ENW-T1_GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-15A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,20mΩ@2.5V,8Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:QFN8(3X3)适用于多种对空间、效率与可靠性要求较高的智能电子设备中。如扫地机器人,车载冰箱、智能净水器中的电磁阀、冲洗阀等多路独立控制。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-15A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,20mΩ@2.5V,8Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:QFN8(3X3)适用于多种对空间、效率与可靠性要求较高的智能电子设备中。如扫地机器人,车载冰箱、智能净水器中的电磁阀、冲洗阀等多路独立控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.2686 ¥2.388
  • 150+ ¥2.1774 ¥2.292
  • 300+ ¥2.1413 ¥2.254
  • 500+ ¥2.0872 ¥2.197
合计:¥45.37
标准包装数量:5000

CSD17578Q5A-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CSD17578Q5A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,30V,45A,RDS(ON)=4.4mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=1.7V,适用于低压、大电流、高效率的同步整流与负载点电源场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,30V,45A,RDS(ON)=4.4mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=1.7V,适用于低压、大电流、高效率的同步整流与负载点电源场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:5000

NTMFS4937NCT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4937NCT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,30V,50A,RDS(ON)=4mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=1.7V,适用于低压、大电流、高频开关场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,30V,50A,RDS(ON)=4mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=1.7V,适用于低压、大电流、高频开关场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:5000

TSM250NB06LCV RGG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TSM250NB06LCV RGG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,15A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V) 封装:DFN8(3X3)适用于对导通损耗、功率密度和效率要求高的中高电流开关场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,15A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V) 封装:DFN8(3X3)适用于对导通损耗、功率密度和效率要求高的中高电流开关场景。
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  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:5000

TSM052NB03CR-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TSM052NB03CR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,30V,45A,RDS(ON)=4.4mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=1.7V,适用于低压、大电流、高效率的同步整流与负载点电源场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,30V,45A,RDS(ON)=4.4mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=1.7V,适用于低压、大电流、高效率的同步整流与负载点电源场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:5000

BSC057N03MSGATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC057N03MSGATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,30V,45A,RDS(ON)=4.4mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=1.7V,适用于低压、大电流、高效率的同步整流与负载点电源场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,30V,45A,RDS(ON)=4.4mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=1.7V,适用于低压、大电流、高效率的同步整流与负载点电源场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:5000

SIHJ6N65E-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHJ6N65E-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道;VDS=650V;ID =5A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于开发各种类型的电源管理模块,如电源开关、电源逆变器等。
    台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道;VDS=650V;ID =5A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于开发各种类型的电源管理模块,如电源开关、电源逆变器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:5000

ISZ0703NLSATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ISZ0703NLSATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=60V;ID=30A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于中高功率密度、中频开关、注重导通效率与热管理的场景。
    台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=60V;ID=30A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于中高功率密度、中频开关、注重导通效率与热管理的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥2.7237 ¥2.867
  • 150+ ¥2.6344 ¥2.773
  • 300+ ¥2.5679 ¥2.703
  • 500+ ¥2.5232 ¥2.656
合计:¥40.86
标准包装数量:5000

RS1G260MNTB-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RS1G260MNTB-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,40V,85A,RDS(ON)=3mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=3V,适用于高效率、高功率密度的低压大电流开关场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,40V,85A,RDS(ON)=3mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=3V,适用于高效率、高功率密度的低压大电流开关场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

BSC026N02KSGAUMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC026N02KSGAUMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,20V,150A,RDS(ON),1.7mΩ@4.5V,1.9mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于低压、超大电流、高效率的同步整流与负载点转换场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,20V,150A,RDS(ON),1.7mΩ@4.5V,1.9mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于低压、超大电流、高效率的同步整流与负载点转换场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

BSC882N03MSGATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC882N03MSGATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于需要超低导通损耗、高电流承载与高功率密度的低压大电流场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于需要超低导通损耗、高电流承载与高功率密度的低压大电流场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

NTMFS4C03NT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4C03NT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于需要超低导通损耗、高电流承载与高功率密度的低压大电流场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于需要超低导通损耗、高电流承载与高功率密度的低压大电流场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

NTMFS4C805NAT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4C805NAT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于需要超低导通损耗、高电流承载与高功率密度的低压大电流场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于需要超低导通损耗、高电流承载与高功率密度的低压大电流场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

BSZ086P03NS3EGATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSZ086P03NS3EGATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-52A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:DFN8(3X3)适用于需要高效率、高功率密度的低压大电流主电源路径开关或高侧负载控制场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-52A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:DFN8(3X3)适用于需要高效率、高功率密度的低压大电流主电源路径开关或高侧负载控制场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

NVMFS6H824NLWFT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVMFS6H824NLWFT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,80V,140A,RDS(ON)=2.65mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=3.5V,适用于高效率、高功率密度的中高压大电流开关场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,80V,140A,RDS(ON)=2.65mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=3.5V,适用于高效率、高功率密度的中高压大电流开关场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:5000

NTMFS4C01NT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4C01NT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,128A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,1.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于高电流、高效率、高功率密度的低压同步整流与大电流开关场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,128A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,1.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于高电流、高效率、高功率密度的低压同步整流与大电流开关场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:5000

NVMFWS015N10MCLT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVMFWS015N10MCLT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,65A,RDS(ON),9mΩ@10V,12.36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于电机驱动、逆变器、电源管理系统、工业自动化与通信设备电源等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,65A,RDS(ON),9mΩ@10V,12.36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于电机驱动、逆变器、电源管理系统、工业自动化与通信设备电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:5000

NTMFSC012N15MC-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFSC012N15MC-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道;150V;70A;RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于电源管理模块、电动工具模块和汽车电子模块等领域,能够为这些领域提供稳定、高效的电源管理和功率控制解决方案。
    台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道;150V;70A;RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于电源管理模块、电动工具模块和汽车电子模块等领域,能够为这些领域提供稳定、高效的电源管理和功率控制解决方案。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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  • 10+ ¥6.8106 ¥7.169
  • 50+ ¥6.5873 ¥6.934
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  • 200+ ¥6.308 ¥6.64
合计:¥68.11
标准包装数量:5000

NVMFS5C410NWFT1G-M-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVMFS5C410NWFT1G-M-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于需要低压大电流的电源管理和电机驱动地方。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于需要低压大电流的电源管理和电机驱动地方。
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