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4810NG-VB TO251 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4810NG-VB TO251
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.1113 ¥1.2348
  • 100+ ¥1.0928 ¥1.2142
  • 150+ ¥1.0651 ¥1.1834
合计:¥55.57
标准包装数量:4000

11N10-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 11N10-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
    台积电流片,长电封测。 一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.4288 ¥1.5876
  • 100+ ¥1.405 ¥1.5611
  • 150+ ¥1.3694 ¥1.5215
合计:¥71.44
标准包装数量:2500

2N65-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N65-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
    台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.5865 ¥1.7628
  • 100+ ¥1.5601 ¥1.7334
  • 150+ ¥1.5205 ¥1.6894
合计:¥79.33
标准包装数量:1000

02N60C3-VB TO251 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 02N60C3-VB TO251
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.5865 ¥1.7628
  • 100+ ¥1.5601 ¥1.7334
  • 150+ ¥1.5205 ¥1.6894
合计:¥79.33
标准包装数量:4000

4N0609-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4N0609-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.904 ¥2.1156
  • 100+ ¥1.8723 ¥2.0803
  • 150+ ¥1.8248 ¥2.0275
合计:¥95.20
标准包装数量:2500

114N03L-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 114N03L-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263 适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263 适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.0628 ¥2.292
  • 100+ ¥2.0284 ¥2.2538
  • 150+ ¥1.9769 ¥2.1965
合计:¥103.14
标准包装数量:800

FQP17P06-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQP17P06-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO-220AB
    P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO-220AB
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.0628 ¥2.292
  • 100+ ¥2.0284 ¥2.2538
  • 150+ ¥1.9769 ¥2.1965
合计:¥103.14
标准包装数量:1000

048N06L-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 048N06L-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:800

N10L-16-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: N10L-16-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:1000

07N60CFD-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 07N60CFD-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

100N08N-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 100N08N-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

P75NF75-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P75NF75-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

08CNE8N-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 08CNE8N-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
    台积电流片,长电封测。 推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.9668 ¥4.4076
  • 100+ ¥3.9007 ¥4.3341
  • 150+ ¥3.8016 ¥4.224
合计:¥198.34
标准包装数量:800

5R380CE-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 5R380CE-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220由于其较高的漏极-源极电压和导通电流能力,适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220由于其较高的漏极-源极电压和导通电流能力,适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:1000

5R520P-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 5R520P-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:1000

13NM60ND-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 13NM60ND-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
    台积电流片,长电封测。 VBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:1000

13NK60Z-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 13NK60Z-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,封装为 TO263。该产品具有650V 的 VDS 额定电压,30V 的 VGS 最大偏置电压,以及3.5V 的阈值电压。它的导通电阻(VGS=10V)为430m?,最大漏极电流为18A,适用于各种高压应用场景。
    台积电流片,长电封测。 一款单 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,封装为 TO263。该产品具有650V 的 VDS 额定电压,30V 的 VGS 最大偏置电压,以及3.5V 的阈值电压。它的导通电阻(VGS=10V)为430m?,最大漏极电流为18A,适用于各种高压应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:800

13NM60N-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 13NM60N-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,封装为 TO263。该产品具有650V 的 VDS 额定电压,30V 的 VGS 最大偏置电压,以及3.5V 的阈值电压。它的导通电阻(VGS=10V)为430m?,最大漏极电流为18A,适用于各种高压应用场景。
    台积电流片,长电封测。 一款单 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,封装为 TO263。该产品具有650V 的 VDS 额定电压,30V 的 VGS 最大偏置电压,以及3.5V 的阈值电压。它的导通电阻(VGS=10V)为430m?,最大漏极电流为18A,适用于各种高压应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:800

08N80C3-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 08N80C3-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,9A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F产品简产品在电源逆变器、风能变流器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性,展示了其广泛的应用前景和潜力。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,9A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F产品简产品在电源逆变器、风能变流器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性,展示了其广泛的应用前景和潜力。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥7.9326 ¥8.814
  • 100+ ¥7.8004 ¥8.6671
  • 150+ ¥7.6021 ¥8.4468
合计:¥396.63
标准包装数量:1000

18NM60N-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 18NM60N-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
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  • 100+ ¥9.3605 ¥10.4005
  • 100+ ¥9.3605 ¥10.4005
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