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BSS670S2L H6327-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS670S2L H6327-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,4A,RDS(ON),75mΩ@10V,86mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7th(V) 封装:SOT23-3.
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,4A,RDS(ON),75mΩ@10V,86mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7th(V) 封装:SOT23-3.
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 450+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 900+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1400+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥41.90
标准包装数量:3000

RAQ045P01MGTCR-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RAQ045P01MGTCR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于电源管理模块,负载开关与电源路径管理,电池供电设备等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于电源管理模块,负载开关与电源路径管理,电池供电设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 450+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 900+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1400+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥41.90
标准包装数量:3000

W111-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: W111-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-7.3A,RDS(ON),35mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8具有高集成度、低导通电阻和高电流能力等优势;适用于中央空调智能控制系统、汽车电子系统、电源多路分配与负载开关等。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-7.3A,RDS(ON),35mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8具有高集成度、低导通电阻和高电流能力等优势;适用于中央空调智能控制系统、汽车电子系统、电源多路分配与负载开关等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:4000

NTLJD2104PTBG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTLJD2104PTBG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-5.3A,RDS(ON),40mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:QFN6(2X2)具有高集成度、低导通损耗、小尺寸和高侧开关能力,适用于多种需要智能电源管理、多路负载控制或空间受限的场景。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-5.3A,RDS(ON),40mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:QFN6(2X2)具有高集成度、低导通损耗、小尺寸和高侧开关能力,适用于多种需要智能电源管理、多路负载控制或空间受限的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 30+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 250+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 800+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥41.87
标准包装数量:5000

BSP126/S911115-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSP126/S911115-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,250V,0.79A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:SOT223-3适用于低功率电源、电源开关、LED照明、传感器接口和便携式电子产品等多个领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,250V,0.79A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:SOT223-3适用于低功率电源、电源开关、LED照明、传感器接口和便携式电子产品等多个领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:2500

BSR92P H6327-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSR92P H6327-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SOT23-3;P沟道,-200V;-0.8A;RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=-3V.
    台积电流片,长电封测。SOT23-3;P沟道,-200V;-0.8A;RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=-3V.
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:3000

W351-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: W351-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±60V,5.3/-4.9A,RDS(ON),26/55mΩ@10V,29/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8/-1.7Vth(V)封装:SOP8具备低导通电阻和高集成度的特性,适用于多种中低功率、高效率的电力电子场景。
    台积电流片,长电封测。N+P沟道,±60V,5.3/-4.9A,RDS(ON),26/55mΩ@10V,29/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8/-1.7Vth(V)封装:SOP8具备低导通电阻和高集成度的特性,适用于多种中低功率、高效率的电力电子场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.0938 ¥2.204
  • 150+ ¥2.0102 ¥2.116
  • 300+ ¥1.976 ¥2.08
  • 500+ ¥1.9257 ¥2.027
合计:¥41.88
标准包装数量:4000

DMG8601UFG-7-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMG8601UFG-7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,20V,9.4A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:DFN8(3X3)以其低导通电阻和高电流处理能力,适合各种需要高效开关和低功耗的应用场景,确保系统的高效性和可靠性。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,20V,9.4A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:DFN8(3X3)以其低导通电阻和高电流处理能力,适合各种需要高效开关和低功耗的应用场景,确保系统的高效性和可靠性。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:5000

NTMFS008N12MCT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS008N12MCT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;N沟道;VDS=100V;ID =75A;RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;适用于高效率、高功率密度、高温或空间受限的开关电源与电机驱动场景;例如太阳能智能表计电源模块、高功率密度隔离式辅助电源、高可靠性电机驱动与工业电源等。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;N沟道;VDS=100V;ID =75A;RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;适用于高效率、高功率密度、高温或空间受限的开关电源与电机驱动场景;例如太阳能智能表计电源模块、高功率密度隔离式辅助电源、高可靠性电机驱动与工业电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:5000

DMTH15H053SPSW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH15H053SPSW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:PDFN-5
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,150V,25A,RDS(ON),68mΩ@10V,20Vgs(±V);4Vth(V) 封装:PDFN5*6。
    台积电流片,长电封测。N沟道,150V,25A,RDS(ON),68mΩ@10V,20Vgs(±V);4Vth(V) 封装:PDFN5*6。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

K891-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: K891-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

AONY36304-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AONY36304-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,60A,RDS(ON),3.4mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)可用于高效率、高功率密度的电源与驱动应用场景。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,60A,RDS(ON),3.4mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)可用于高效率、高功率密度的电源与驱动应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

SIZ998BDT-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIZ998BDT-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);2个N沟道,30V;100A;RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1.7V;适用于电池端大电流充放电管理,常出现在储能系统和BMS保护回路等。
    台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);2个N沟道,30V;100A;RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1.7V;适用于电池端大电流充放电管理,常出现在储能系统和BMS保护回路等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

VBGQF1302 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBGQF1302
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3.3X3.3-8L;N沟道;VDS=30V;ID =70A;RDS(ON)1.8mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V。
    台积电流片,长电封测。DFN3.3X3.3-8L;N沟道;VDS=30V;ID =70A;RDS(ON)1.8mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

DMNH6021SPDQ-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMNH6021SPDQ-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,30A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN5X6用于需高集成度、低导通损耗与中高电流开关的场景。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,60V,30A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN5X6用于需高集成度、低导通损耗与中高电流开关的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

DMTH4014LPD-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH4014LPD-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;2个N沟道,40V;90A;RDS(ON)=2.2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;具有超低导通电阻和高功率密度集成,适用于对效率、电流能力与空间利用率要求严苛的场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;2个N沟道,40V;90A;RDS(ON)=2.2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=3V;具有超低导通电阻和高功率密度集成,适用于对效率、电流能力与空间利用率要求严苛的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥4.5971 ¥4.839
  • 100+ ¥4.446 ¥4.68
  • 200+ ¥4.333 ¥4.561
  • 300+ ¥4.2579 ¥4.482
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

NTMFS0D5N04XL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS0D5N04XL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:5000

SQRS144ELP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQRS144ELP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:5000

DMTH4M75SPSW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH4M75SPSW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:5000

AOTF240L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOTF240L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=40V;ID =180A;RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=3mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=40V;ID =180A;RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=3mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
合计:¥51.08
标准包装数量:1000
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