处理中...

{{item.name}}

2V7002LT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2V7002LT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:230
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 230+ ¥0.1748 ¥0.184
  • 690+ ¥0.1672 ¥0.176
  • 1380+ ¥0.1644 ¥0.173
  • 2100+ ¥0.1606 ¥0.169
合计:¥40.20
标准包装数量:3000

2V7002LT3G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2V7002LT3G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:230
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 230+ ¥0.1748 ¥0.184
  • 690+ ¥0.1672 ¥0.176
  • 1380+ ¥0.1644 ¥0.173
  • 2100+ ¥0.1606 ¥0.169
合计:¥40.20
标准包装数量:3000

SQ2315ES-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2315ES-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
    台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
  • 库   存:400000
  • 起订量:130
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 130+ ¥0.3135 ¥0.33
  • 390+ ¥0.3012 ¥0.317
  • 780+ ¥0.2964 ¥0.312
  • 1200+ ¥0.2888 ¥0.304
合计:¥40.76
标准包装数量:3000

3341L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 3341L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
    台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
  • 库   存:400000
  • 起订量:130
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 130+ ¥0.3135 ¥0.33
  • 390+ ¥0.3012 ¥0.317
  • 780+ ¥0.2964 ¥0.312
  • 1200+ ¥0.2888 ¥0.304
合计:¥40.76
标准包装数量:3000

318F-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 318F-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:SOT23-6适用于对空间、效率与集成度有较高要求的场景;例如工业自动化设备、便携式/电池供电设备、智能负载管理与电源域隔离等。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:SOT23-6适用于对空间、效率与集成度有较高要求的场景;例如工业自动化设备、便携式/电池供电设备、智能负载管理与电源域隔离等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 450+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 900+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1400+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥41.90
标准包装数量:3000

350N03-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 350N03-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通电阻、高电流能力和良好的栅极兼容性,适用于多种中低压、高效率、高集成度的电子系统场景。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通电阻、高电流能力和良好的栅极兼容性,适用于多种中低压、高效率、高集成度的电子系统场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:4000

3302H-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 3302H-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

35N03-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 35N03-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,80A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO252适用于需要高电流、高效率、低发热的功率控制场景;例如电源管理模块、电机驱动电路、电动车辆、储能系统、服务器与高密度计算设备等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,80A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO252适用于需要高电流、高效率、低发热的功率控制场景;例如电源管理模块、电机驱动电路、电动车辆、储能系统、服务器与高密度计算设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

NVTFS5116PLWFTAG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVTFS5116PLWFTAG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-11A,RDS(ON),60mΩ@10V,75mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:QFN8(3X3),凭借其低导通电阻(RDS(on))和良好的开关性能,VBQF2658非常适合需要负电压控制和高效率开关的场合。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-11A,RDS(ON),60mΩ@10V,75mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:QFN8(3X3),凭借其低导通电阻(RDS(on))和良好的开关性能,VBQF2658非常适合需要负电压控制和高效率开关的场合。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.919 ¥2.02
  • 150+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 300+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 500+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥47.98
标准包装数量:5000

3N65L-TF1-T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 3N65L-TF1-T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.919 ¥2.02
  • 150+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 300+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 500+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥47.98
标准包装数量:1000

SI7107DN-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7107DN-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-52A,RDS(ON),4mΩ@10V,6mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)具备高功率密度、低损耗和优异热性能;适用于主电源路径管理、高电流负载开关、电池充放电管理,电机/风扇驱动等场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-52A,RDS(ON),4mΩ@10V,6mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)具备高功率密度、低损耗和优异热性能;适用于主电源路径管理、高电流负载开关、电池充放电管理,电机/风扇驱动等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥2.2686 ¥2.388
  • 150+ ¥2.1774 ¥2.292
  • 300+ ¥2.1413 ¥2.254
  • 500+ ¥2.0872 ¥2.197
合计:¥45.37
标准包装数量:5000

2SK893-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK893-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
    台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.7237 ¥2.867
  • 150+ ¥2.6344 ¥2.773
  • 300+ ¥2.5679 ¥2.703
  • 500+ ¥2.5232 ¥2.656
合计:¥40.86
标准包装数量:1000

VBQF1104N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBQF1104N
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=100V;ID =21A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;适用于便携式电子产品、LED照明、小型家电和医疗设备等多个领域,为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。
    台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=100V;ID =21A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;适用于便携式电子产品、LED照明、小型家电和医疗设备等多个领域,为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

AOTF266L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOTF266L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源开关、工业控制和汽车电子等领域的模块中。TO220F;VDS=60V;ID =210A;RDS(ON)=2.6mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
    台积电流片,长电封测。VBsemi的是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源开关、工业控制和汽车电子等领域的模块中。TO220F;VDS=60V;ID =210A;RDS(ON)=2.6mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.4483 ¥5.735
  • 100+ ¥5.2697 ¥5.547
  • 200+ ¥5.1357 ¥5.406
  • 300+ ¥5.0464 ¥5.312
合计:¥54.48
标准包装数量:1000

WSD40120DN56-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: WSD40120DN56-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:DFN5*6-8L适用于高效率、高功率密度、中大电流的电力电子系统中;例如电机驱动、同步整流、热插拔应用、大电流负载开关与电池管理等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:DFN5*6-8L适用于高效率、高功率密度、中大电流的电力电子系统中;例如电机驱动、同步整流、热插拔应用、大电流负载开关与电池管理等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥7.6618 ¥8.065
  • 50+ ¥7.411 ¥7.801
  • 100+ ¥7.2229 ¥7.603
  • 200+ ¥7.0965 ¥7.47
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

VBGP11505 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBGP11505
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;150V;180A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;具备高电流承载能力与低导通损耗,适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的高压大电流场景。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;150V;180A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;具备高电流承载能力与低导通损耗,适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的高压大电流场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.513 ¥8.961
  • 50+ ¥8.2337 ¥8.667
  • 100+ ¥8.0247 ¥8.447
  • 200+ ¥7.885 ¥8.3
合计:¥42.57
标准包装数量:300

RBE034N15R1SZPW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RBE034N15R1SZPW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,150V,150A,RDS(ON)=6.2mΩ@10V,20Vgs(±V),3Vth(V)封装:TOLT具有超低导通损耗、高电流能力、优异热性能等特点,适用于对功率密度、效率与可靠性要求严苛的高功率场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,150V,150A,RDS(ON)=6.2mΩ@10V,20Vgs(±V),3Vth(V)封装:TOLT具有超低导通损耗、高电流能力、优异热性能等特点,适用于对功率密度、效率与可靠性要求严苛的高功率场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥17.0259 ¥17.922
  • 50+ ¥16.4673 ¥17.334
  • 100+ ¥16.0493 ¥16.894
  • 200+ ¥15.77 ¥16.6
合计:¥34.05
标准包装数量:1200

RBE015N10R1SZPW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RBE015N10R1SZPW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,415A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TOLT适用于高功率、大电流、高热密度场景;如AI服务器电源系统、电动交通工具动力系统、低空经济地面支持设备、高端工业与新能源设备等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,415A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TOLT适用于高功率、大电流、高热密度场景;如AI服务器电源系统、电动交通工具动力系统、低空经济地面支持设备、高端工业与新能源设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥20.4307 ¥21.506
  • 30+ ¥19.761 ¥20.801
  • 60+ ¥19.2584 ¥20.272
  • 100+ ¥18.924 ¥19.92
合计:¥40.86
标准包装数量:1200

RBE013N08R1SZPW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RBE013N08R1SZPW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,415A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TOLT适用于高功率、大电流、高热密度场景;如AI服务器电源系统、电动交通工具动力系统、低空经济地面支持设备、高端工业与新能源设备等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,415A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TOLT适用于高功率、大电流、高热密度场景;如AI服务器电源系统、电动交通工具动力系统、低空经济地面支持设备、高端工业与新能源设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥20.4307 ¥21.506
  • 30+ ¥19.761 ¥20.801
  • 60+ ¥19.2584 ¥20.272
  • 100+ ¥18.924 ¥19.92
合计:¥40.86
标准包装数量:1200

RBA015N10R1SBPW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RBA015N10R1SBPW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,415A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TOLT适用于高功率、大电流、高热密度场景;如AI服务器电源系统、电动交通工具动力系统、低空经济地面支持设备、高端工业与新能源设备等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,415A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TOLT适用于高功率、大电流、高热密度场景;如AI服务器电源系统、电动交通工具动力系统、低空经济地面支持设备、高端工业与新能源设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥20.4307 ¥21.506
  • 30+ ¥19.761 ¥20.801
  • 60+ ¥19.2584 ¥20.272
  • 60+ ¥19.2584 ¥20.272
合计:¥40.86
标准包装数量:1200
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧