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NX7002BKW,115-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NX7002BKW,115-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT23-3适用于小型伺服电机与步进电机控制,消费电子与物联网设备,电池供电设备与便携式电子产品等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT23-3适用于小型伺服电机与步进电机控制,消费电子与物联网设备,电池供电设备与便携式电子产品等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:230
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 230+ ¥0.1748 ¥0.184
  • 690+ ¥0.1672 ¥0.176
  • 1380+ ¥0.1644 ¥0.173
  • 2100+ ¥0.1606 ¥0.169
合计:¥40.20
标准包装数量:3000

SQ2351ES-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2351ES-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
    台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:190
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 190+ ¥0.209 ¥0.22
  • 570+ ¥0.2005 ¥0.211
  • 1140+ ¥0.1976 ¥0.208
  • 1800+ ¥0.1919 ¥0.202
合计:¥39.71
标准包装数量:3000

PMV74EPER-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMV74EPER-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),46mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOT23-3适用于对供电效率、热管理、供应链安全有较高要求的应用场景;例如负载开关、电源路径管理、便携设备电源、信号切换、电动工具、电池管理与充电保护等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),46mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOT23-3适用于对供电效率、热管理、供应链安全有较高要求的应用场景;例如负载开关、电源路径管理、便携设备电源、信号切换、电动工具、电池管理与充电保护等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:130
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 130+ ¥0.3135 ¥0.33
  • 390+ ¥0.3012 ¥0.317
  • 780+ ¥0.2964 ¥0.312
  • 1200+ ¥0.2888 ¥0.304
合计:¥40.76
标准包装数量:3000

PMV50ENEA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMV50ENEA-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT23-3具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点,特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT23-3具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点,特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:130
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 130+ ¥0.3135 ¥0.33
  • 390+ ¥0.3012 ¥0.317
  • 780+ ¥0.2964 ¥0.312
  • 1200+ ¥0.2888 ¥0.304
合计:¥40.76
标准包装数量:3000

SPP6506S26RGB-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPP6506S26RGB-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:SOT23-6适用于对空间、效率与集成度有较高要求的场景;例如工业自动化设备、便携式/电池供电设备、智能负载管理与电源域隔离等。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:SOT23-6适用于对空间、效率与集成度有较高要求的场景;例如工业自动化设备、便携式/电池供电设备、智能负载管理与电源域隔离等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 450+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 900+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1400+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥41.90
标准包装数量:3000

2SK1848-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK1848-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。 N沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
    台积电流片,长电封测。 产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。 N沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 450+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 900+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1400+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥41.90
标准包装数量:3000

12N03SC-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 12N03SC-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8适用于中低压、大电流的开关场景,尤其适合对效率、热管理有要求的设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:4000

F7338-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F7338-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±30V,±8A,RDS(ON),18/40mΩ@10V,25/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6/-1.7Vth(V)封装:SOP8适用于需要紧凑布局、高效率和中等功率驱动的场景;例如在电池供电设备中实现充放电回路切换、电源通断控制,尤其适用于对导通损耗敏感的应用。
    台积电流片,长电封测。N+P沟道,±30V,±8A,RDS(ON),18/40mΩ@10V,25/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6/-1.7Vth(V)封装:SOP8适用于需要紧凑布局、高效率和中等功率驱动的场景;例如在电池供电设备中实现充放电回路切换、电源通断控制,尤其适用于对导通损耗敏感的应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:4000

1203GH-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 1203GH-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.2208 ¥1.285
  • 250+ ¥1.1723 ¥1.234
  • 500+ ¥1.1524 ¥1.213
  • 800+ ¥1.1229 ¥1.182
合计:¥42.73
标准包装数量:2500

FDMA1027P-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDMA1027P-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-5.3A,RDS(ON),40mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:QFN6(2X2)具有高集成度、低导通损耗、小尺寸和高侧开关能力,适用于多种需要智能电源管理、多路负载控制或空间受限的场景。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-5.3A,RDS(ON),40mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:QFN6(2X2)具有高集成度、低导通损耗、小尺寸和高侧开关能力,适用于多种需要智能电源管理、多路负载控制或空间受限的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 30+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 250+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 800+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥41.87
标准包装数量:5000

NTLJD2104PTBG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTLJD2104PTBG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-5.3A,RDS(ON),40mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:QFN6(2X2)具有高集成度、低导通损耗、小尺寸和高侧开关能力,适用于多种需要智能电源管理、多路负载控制或空间受限的场景。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-20V,-5.3A,RDS(ON),40mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V)封装:QFN6(2X2)具有高集成度、低导通损耗、小尺寸和高侧开关能力,适用于多种需要智能电源管理、多路负载控制或空间受限的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 30+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 250+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 800+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥41.87
标准包装数量:5000

F7343Q-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F7343Q-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±60V,5.3/-4.9A,RDS(ON),26/55mΩ@10V,29/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8/-1.7Vth(V)封装:SOP8具备低导通电阻和高集成度的特性,适用于多种中低功率、高效率的电力电子场景。
    台积电流片,长电封测。N+P沟道,±60V,5.3/-4.9A,RDS(ON),26/55mΩ@10V,29/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8/-1.7Vth(V)封装:SOP8具备低导通电阻和高集成度的特性,适用于多种中低功率、高效率的电力电子场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.996 ¥2.101
  • 150+ ¥1.9162 ¥2.017
  • 300+ ¥1.8848 ¥1.984
  • 500+ ¥1.8364 ¥1.933
合计:¥39.92
标准包装数量:4000

F540B-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F540B-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.3845 ¥2.51
  • 150+ ¥2.3057 ¥2.427
  • 300+ ¥2.2477 ¥2.366
  • 500+ ¥2.2078 ¥2.324
合计:¥47.69
标准包装数量:1000

NTMFS008N12MCT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS008N12MCT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;N沟道;VDS=100V;ID =75A;RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;适用于高效率、高功率密度、高温或空间受限的开关电源与电机驱动场景;例如太阳能智能表计电源模块、高功率密度隔离式辅助电源、高可靠性电机驱动与工业电源等。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6-8L;N沟道;VDS=100V;ID =75A;RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;适用于高效率、高功率密度、高温或空间受限的开关电源与电机驱动场景;例如太阳能智能表计电源模块、高功率密度隔离式辅助电源、高可靠性电机驱动与工业电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:5000

F7705-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F7705-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-9A,RDS(ON),16mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TSSOP8适用于高侧电源开关、外围接口与传感器电源分配、车载电子系统中的模块电源控制等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-9A,RDS(ON),16mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TSSOP8适用于高侧电源开关、外围接口与传感器电源分配、车载电子系统中的模块电源控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:3000

DMTH15H053SPSW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH15H053SPSW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:PDFN-5
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,150V,25A,RDS(ON),68mΩ@10V,20Vgs(±V);4Vth(V) 封装:PDFN5*6。
    台积电流片,长电封测。N沟道,150V,25A,RDS(ON),68mΩ@10V,20Vgs(±V);4Vth(V) 封装:PDFN5*6。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:5000

NTMFS0D5N04XL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS0D5N04XL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:5000

SQRS144ELP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQRS144ELP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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13N40L-TF3-T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 13N40L-TF3-T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
  • 库   存:400000
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标准包装数量:1000

DMTH4M75SPSW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH4M75SPSW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN5*6-8L适用于对超低导通损耗、高电流密度和紧凑空间有严苛要求的低压大电流场景;例如电池管理系统、大功率电机驱动、分布式电源配电与负载开关等。
  • 库   存:400000
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