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SI4825DY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4825DY
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: P沟道 -30V -11.6A 12.5mΩ@-10V SO-8
    P沟道 -30V -11.6A 12.5mΩ@-10V SO-8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9653
合计:¥4.83
标准包装数量:4000

STP413D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STP413D
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道 -40V -50A 12mΩ@-10V TO-252
    P沟道 -40V -50A 12mΩ@-10V TO-252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4474
合计:¥7.24
标准包装数量:2500

SI2308BDS-T1-E3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2308BDS-T1-E3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:SOT23-3
    台积电流片,长电封测。产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:SOT23-3
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥0.635 ¥0.7056
  • 100+ ¥0.6244 ¥0.6938
  • 150+ ¥0.6086 ¥0.6762
合计:¥31.75
标准包装数量:3000

4810NG-VB TO251 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4810NG-VB TO251
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.1113 ¥1.2348
  • 100+ ¥1.0928 ¥1.2142
  • 150+ ¥1.0651 ¥1.1834
合计:¥55.57
标准包装数量:4000

2N03L10-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N03L10-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.1113 ¥1.2348
  • 100+ ¥1.0928 ¥1.2142
  • 150+ ¥1.0651 ¥1.1834
合计:¥55.57
标准包装数量:2500

SiA477EDJT-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SiA477EDJT-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V);06Vth(V) 封装:DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗,尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-10A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V);06Vth(V) 封装:DFNWB2×2-6L,拥有优异的开关性能和低导通损耗,尤其在需要高效率、低热量和高稳定性的电路中表现突出。此 MOSFET 的适用电压和电流范围使其成为许多电源转换、逆变器及驱动模块的理想选择。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.4278 ¥1.5864
  • 100+ ¥1.404 ¥1.56
  • 150+ ¥1.3683 ¥1.5203
合计:¥71.39
标准包装数量:5000

2N65-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N65-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
    台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.5865 ¥1.7628
  • 100+ ¥1.5601 ¥1.7334
  • 150+ ¥1.5205 ¥1.6894
合计:¥79.33
标准包装数量:1000

02N60C3-VB TO251 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 02N60C3-VB TO251
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.5865 ¥1.7628
  • 100+ ¥1.5601 ¥1.7334
  • 150+ ¥1.5205 ¥1.6894
合计:¥79.33
标准包装数量:4000

FDMA8884-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDMA8884-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,10A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:DFNWB2×2-6L由于其低导通电阻、低功耗和高效能,适用于各种高效电源管理和功率控制的应用场合。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,10A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:DFNWB2×2-6L由于其低导通电阻、低功耗和高效能,适用于各种高效电源管理和功率控制的应用场合。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.9039 ¥2.1154
  • 100+ ¥1.8721 ¥2.0801
  • 150+ ¥1.8245 ¥2.0272
合计:¥95.20
标准包装数量:5000

4N03L03-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4N03L03-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.904 ¥2.1156
  • 100+ ¥1.8723 ¥2.0803
  • 150+ ¥1.8248 ¥2.0275
合计:¥95.20
标准包装数量:1000

NVD5484NLT4G-VF01-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVD5484NLT4G-VF01-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V)封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V)封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.904 ¥2.1156
  • 100+ ¥1.8723 ¥2.0803
  • 150+ ¥1.8248 ¥2.0275
合计:¥95.20
标准包装数量:2500

3N10L26-VB TO252 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 3N10L26-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻,非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中,它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用,确保汽车系统的稳定性和性能。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻,非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中,它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用,确保汽车系统的稳定性和性能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.3803 ¥2.6448
  • 100+ ¥2.3406 ¥2.6007
  • 150+ ¥2.2811 ¥2.5346
合计:¥119.02
标准包装数量:2500

STL8N10F7-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STL8N10F7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。100V;30A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;其小封装和高性能使其在紧凑空间和高效能要求的场合中得到广泛应用。包括汽车电子、无线通信和工业自动化等,具有广泛的应用前景。
    台积电流片,长电封测。100V;30A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;其小封装和高性能使其在紧凑空间和高效能要求的场合中得到广泛应用。包括汽车电子、无线通信和工业自动化等,具有广泛的应用前景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.3803 ¥2.6448
  • 100+ ¥2.3406 ¥2.6007
  • 150+ ¥2.2811 ¥2.5346
合计:¥119.02
标准包装数量:5000

042N03L-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 042N03L-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8Vth(V) 封装:TO263适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和太阳能逆变器等领域。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8Vth(V) 封装:TO263适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和太阳能逆变器等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:800

048N06L-VB TO263 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 048N06L-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:800

IPG20N04S4L-07-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPG20N04S4L-07-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。双N沟道,40V,60A,RDS(ON),5.5mΩ\n@10V,6.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.1Vth(V)一款双N沟道场效应管,具有良好的散热性能和紧凑的尺寸。该MOSFET具有出色的**导通电阻(RDS(on))**,可在不同栅极驱动电压下提供稳定的工作性能,并且支持较大的电流输出(60A)。
    台积电流片,长电封测。双N沟道,40V,60A,RDS(ON),5.5mΩ\n@10V,6.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.1Vth(V)一款双N沟道场效应管,具有良好的散热性能和紧凑的尺寸。该MOSFET具有出色的**导通电阻(RDS(on))**,可在不同栅极驱动电压下提供稳定的工作性能,并且支持较大的电流输出(60A)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.442 ¥4.9356
  • 100+ ¥4.368 ¥4.8533
  • 150+ ¥4.257 ¥4.73
合计:¥222.10
标准包装数量:5000

5R380CE-VB TO220 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 5R380CE-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220由于其较高的漏极-源极电压和导通电流能力,适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220由于其较高的漏极-源极电压和导通电流能力,适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:1000

5R520P-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 5R520P-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:1000

IXTH20N65X-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IXTH20N65X-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥8.7869 ¥9.7632
  • 100+ ¥8.6405 ¥9.6005
  • 150+ ¥8.4208 ¥9.3564
合计:¥439.35
标准包装数量:300

STW28NM60ND-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STW28NM60ND-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,600V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247由于其适中的漏-源电压和漏极电流能力,适用于中小功率的电源模块,如开关电源和稳压电源。
    台积电流片,长电封测。N沟道,600V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247由于其适中的漏-源电压和漏极电流能力,适用于中小功率的电源模块,如开关电源和稳压电源。
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