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RYU002N05T306 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RYU002N05T306
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: N沟道 60V 0.3A 2Ω@10V SC70-3
    N沟道 60V 0.3A 2Ω@10V SC70-3
  • 库   存:129
  • 起订量:56
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 56+ ¥0.1221 ¥0.1285
合计:¥6.84
标准包装数量:3000

BVSS138LT1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BVSS138LT1G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:967
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.2328 ¥0.245
  • 100+ ¥0.1995 ¥0.21
  • 300+ ¥0.1746 ¥0.1838
  • 1000+ ¥0.147 ¥0.1547
  • 5000+ ¥0.1397 ¥0.147
合计:¥2.33
标准包装数量:3000

2SK2615 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2615
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-89-3
  • 描述: N沟道 60V 6.7A 88mΩ@10V SOT89-3
    N沟道 60V 6.7A 88mΩ@10V SOT89-3
  • 库   存:15
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3444 ¥0.3625
合计:¥0.34
标准包装数量:1000

IRLML6346TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6346TRPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:194
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.418 ¥0.44
  • 100+ ¥0.3582 ¥0.3771
  • 300+ ¥0.3135 ¥0.33
  • 1000+ ¥0.264 ¥0.2779
  • 5000+ ¥0.2508 ¥0.264
合计:¥4.18
标准包装数量:3000

SI4542DY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4542DY
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N+P沟道 30V 8A 18mΩ@10V;-30V -8A 32mΩ@-10V SO-8
    N+P沟道 30V 8A 18mΩ@10V;-30V -8A 32mΩ@-10V SO-8
  • 库   存:340
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.456 ¥0.48
  • 50+ ¥0.4275 ¥0.45
  • 300+ ¥0.4085 ¥0.43
  • 500+ ¥0.38 ¥0.4
合计:¥5.93
标准包装数量:4000

AOD444 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD444
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
    N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
  • 库   存:672
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5605 ¥0.59
  • 100+ ¥0.5225 ¥0.55
  • 300+ ¥0.5068 ¥0.5335
  • 500+ ¥0.475 ¥0.5
合计:¥7.29
标准包装数量:2500

VB1330 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB1330
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。 一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
  • 库   存:2148
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.622
  • 50+ ¥0.4998
  • 150+ ¥0.4394
  • 500+ ¥0.3945
  • 3000+ ¥0.3108
  • 6000+ ¥0.2929
合计:¥3.11
标准包装数量:3000

AO4447A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4447A
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 -30V -13.5A 11mΩ@-10V SOP-8
    P沟道 -30V -13.5A 11mΩ@-10V SOP-8
  • 库   存:1082
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.665 ¥0.7
  • 100+ ¥0.57 ¥0.6
  • 300+ ¥0.551 ¥0.58
  • 500+ ¥0.5225 ¥0.55
合计:¥0.67
标准包装数量:4000

NTD3055L170T4G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD3055L170T4G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
    N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
  • 库   存:4993
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.045 ¥1.1
  • 50+ ¥0.95 ¥1
  • 150+ ¥0.9025 ¥0.95
  • 1000+ ¥0.8835 ¥0.93
合计:¥1.05
标准包装数量:2500

IRFR540ZPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR540ZPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 100V 40A 30mΩ@10V TO-252
    N沟道 100V 40A 30mΩ@10V TO-252
  • 库   存:373
  • 起订量:6
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.52 ¥1.6
  • 50+ ¥1.3775 ¥1.45
  • 150+ ¥1.33 ¥1.4
  • 400+ ¥1.235 ¥1.3
合计:¥9.12
标准包装数量:2500

NTD25P03LT4G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD25P03LT4G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
    P—Channel沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:63
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.7544 ¥1.8467
  • 10+ ¥1.5038 ¥1.5829
  • 30+ ¥1.3158 ¥1.385
  • 100+ ¥1.108 ¥1.1663
  • 500+ ¥1.0526 ¥1.108
合计:¥1.75
标准包装数量:2500

VBFB1630 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBFB1630
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,25A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.4Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中大功率场效应管的应用场景,例如电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,25A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.4Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中大功率场效应管的应用场景,例如电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。
  • 库   存:299
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.9 ¥2
  • 10+ ¥1.7182 ¥1.8086
  • 30+ ¥1.5034 ¥1.5825
  • 100+ ¥1.266 ¥1.3326
合计:¥1.90
标准包装数量:80

IPD70N10S3L-12 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD70N10S3L-12
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:52
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.9323 ¥2.034
合计:¥1.93
标准包装数量:2500

FDD390N15A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD390N15A
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),42mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),42mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:211
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.09 ¥2.2
  • 10+ ¥1.9 ¥2
  • 30+ ¥1.881 ¥1.98
  • 100+ ¥1.8525 ¥1.95
合计:¥2.09
标准包装数量:2500

IRF9530NS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9530NS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2~-4Vth(V) 封装:TO263
    P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2~-4Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:499
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.254 ¥2.3
  • 10+ ¥2.058 ¥2.1
  • 30+ ¥1.862 ¥1.9
  • 100+ ¥1.8424 ¥1.88
  • 300+ ¥1.7444 ¥1.78
合计:¥2.25
标准包装数量:800

VBI2658 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBI2658
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-89-3
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT-89-3
    P—Channel沟道,-60V,-5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT-89-3
  • 库   存:6292
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.3578
  • 10+ ¥1.872
  • 30+ ¥1.6669
  • 100+ ¥1.4059
  • 500+ ¥1.201
  • 1000+ ¥1.1265
合计:¥2.36
标准包装数量:1000

ZVP4525GTA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZVP4525GTA
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223-3
  • 描述: P—Channel沟道,-250V,-0.265A,RDS(ON),1400mΩ@10V,1680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V);SOT223
    P—Channel沟道,-250V,-0.265A,RDS(ON),1400mΩ@10V,1680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V);SOT223
  • 库   存:156
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.4809 ¥2.6115
  • 10+ ¥2.1266 ¥2.2385
  • 30+ ¥1.8608 ¥1.9587
  • 100+ ¥1.5669 ¥1.6494
  • 500+ ¥1.4886 ¥1.5669
合计:¥2.48
标准包装数量:2500

CEB75N10-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CEB75N10-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263 可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263 可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
  • 库   存:99
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.135 ¥3.3
  • 10+ ¥2.47 ¥2.6
  • 30+ ¥2.3275 ¥2.45
  • 50+ ¥2.09 ¥2.2
合计:¥3.14
标准包装数量:50

VBE2625 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBE2625
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
    P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
  • 库   存:2314
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.1379
  • 10+ ¥4.132
  • 30+ ¥3.6456
  • 100+ ¥3.1609
  • 500+ ¥2.7019
  • 1000+ ¥2.5518
合计:¥5.14
标准包装数量:2500

FDP18N50-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDP18N50-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
  • 库   存:99
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.795 ¥6.1
  • 10+ ¥5.51 ¥5.8
  • 30+ ¥5.225 ¥5.5
  • 30+ ¥5.225 ¥5.5
合计:¥5.80
标准包装数量:50
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