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RYU002N05T306 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RYU002N05T306
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: N沟道 60V 0.3A 2Ω@10V SC70-3
    N沟道 60V 0.3A 2Ω@10V SC70-3
  • 库   存:129
  • 起订量:56
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 56+ ¥0.1285
合计:¥7.20
标准包装数量:3000

BVSS138LT1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BVSS138LT1G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:967
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.245
  • 100+ ¥0.21
  • 300+ ¥0.1838
  • 1000+ ¥0.1547
  • 5000+ ¥0.147
合计:¥2.45
标准包装数量:3000

VB162K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB162K
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
  • 库   存:2953
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3102
  • 10+ ¥0.247
  • 30+ ¥0.2052
  • 100+ ¥0.1906
  • 500+ ¥0.177
  • 1000+ ¥0.165
合计:¥0.31
标准包装数量:3000

SI2305DS-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305DS-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
    台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
  • 库   存:2989
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.4167
  • 100+ ¥0.331
  • 300+ ¥0.2882
  • 3000+ ¥0.2257
  • 6000+ ¥0.1999
  • 9000+ ¥0.187
合计:¥4.17
标准包装数量:3000

SI4542DY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4542DY
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N+P沟道 30V 8A 18mΩ@10V;-30V -8A 32mΩ@-10V SO-8
    N+P沟道 30V 8A 18mΩ@10V;-30V -8A 32mΩ@-10V SO-8
  • 库   存:340
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.48
  • 50+ ¥0.45
  • 300+ ¥0.43
  • 500+ ¥0.4
合计:¥6.24
标准包装数量:4000

IRLR7821TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR7821TRPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:49
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.55
  • 100+ ¥0.53
  • 300+ ¥0.5
  • 500+ ¥0.475
合计:¥5.50
标准包装数量:2500

AOD444 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD444
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
    N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
  • 库   存:672
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.59
  • 100+ ¥0.55
  • 300+ ¥0.5335
  • 500+ ¥0.5
合计:¥7.67
标准包装数量:2500

VB1330 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB1330
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT23-3具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点,特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT23-3具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点,特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。
  • 库   存:1294
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.6226
  • 50+ ¥0.5001
  • 150+ ¥0.44
  • 500+ ¥0.3948
  • 3000+ ¥0.3109
  • 6000+ ¥0.2929
合计:¥3.11
标准包装数量:3000

AO4447A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4447A
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 -30V -13.5A 11mΩ@-10V SOP-8
    P沟道 -30V -13.5A 11mΩ@-10V SOP-8
  • 库   存:1082
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7
  • 100+ ¥0.6
  • 300+ ¥0.58
  • 500+ ¥0.55
合计:¥0.70
标准包装数量:4000

NTD3055L170T4G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD3055L170T4G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
    N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
  • 库   存:4993
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.1
  • 50+ ¥1
  • 150+ ¥0.95
  • 1000+ ¥0.93
合计:¥1.10
标准包装数量:2500

IRFR540ZPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR540ZPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 100V 40A 30mΩ@10V TO-252
    N沟道 100V 40A 30mΩ@10V TO-252
  • 库   存:373
  • 起订量:6
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.6
  • 50+ ¥1.45
  • 150+ ¥1.4
  • 400+ ¥1.3
合计:¥9.60
标准包装数量:2500

VBFB1630 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBFB1630
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,35A,RDS(ON),32mΩ@10V,37mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V),封装:TO251适用于电机驱动、负载开关、电源路径管理、紧凑型电源适配器、工业与汽车辅助系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,35A,RDS(ON),32mΩ@10V,37mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V),封装:TO251适用于电机驱动、负载开关、电源路径管理、紧凑型电源适配器、工业与汽车辅助系统。
  • 库   存:299
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2
  • 10+ ¥1.8086
  • 30+ ¥1.5825
  • 100+ ¥1.3326
合计:¥2.00
标准包装数量:80

IPD70N10S3L-12 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD70N10S3L-12
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:52
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.034
合计:¥2.03
标准包装数量:2500

FDD390N15A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD390N15A
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),42mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),42mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:211
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.2
  • 10+ ¥2
  • 30+ ¥1.98
  • 100+ ¥1.95
合计:¥2.20
标准包装数量:2500

IRF9530NS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9530NS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-12A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO263具有封装兼容性好、参数对标精准、导通电阻低的特性,适用于多种需要高压侧开关、电源路径管理或保护控制的场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-12A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO263具有封装兼容性好、参数对标精准、导通电阻低的特性,适用于多种需要高压侧开关、电源路径管理或保护控制的场景。
  • 库   存:499
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.3
  • 10+ ¥2.1
  • 30+ ¥1.9
  • 100+ ¥1.88
  • 300+ ¥1.78
合计:¥2.30
标准包装数量:800

VBI2658 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBI2658
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-89-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,65mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOT-89-3可用作开关模块;如智能电动滑板车的电池主放电开关 、轻量化人形机器人的安全锁止或紧急断电电路 、智能安防巡逻机器人的云台、机械臂等子系统的总电源通断等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,65mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOT-89-3可用作开关模块;如智能电动滑板车的电池主放电开关 、轻量化人形机器人的安全锁止或紧急断电电路 、智能安防巡逻机器人的云台、机械臂等子系统的总电源通断等。
  • 库   存:4531
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.4912
  • 10+ ¥1.9786
  • 30+ ¥1.758
  • 100+ ¥1.4803
  • 500+ ¥1.2646
  • 1000+ ¥1.1861
合计:¥2.49
标准包装数量:1000

CEB75N10-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CEB75N10-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263 可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263 可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
  • 库   存:99
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3
  • 10+ ¥2.6
  • 30+ ¥2.45
  • 50+ ¥2.2
合计:¥3.30
标准包装数量:50

AOB414 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOB414
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 3.1W 1个N沟道 100V 0.020Ω(typ) VGS = 10 V,ID = 11 A 70A TO-263 贴片安装
    3.1W 1个N沟道 100V 0.020Ω(typ) VGS = 10 V,ID = 11 A 70A TO-263 贴片安装
  • 库   存:99
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.2014
  • 10+ ¥4.0311
  • 100+ ¥3.8244
  • 500+ ¥3.6378
  • 1000+ ¥3.5094
合计:¥4.20
标准包装数量:1

VBE2625 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBE2625
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
    P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
  • 库   存:2178
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.076
  • 10+ ¥4.1199
  • 30+ ¥3.6419
  • 100+ ¥3.159
  • 500+ ¥2.7005
  • 1000+ ¥2.5513
合计:¥5.08
标准包装数量:2500

FDP18N50-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDP18N50-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
  • 库   存:99
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.1
  • 10+ ¥5.8
  • 30+ ¥5.5
  • 30+ ¥5.5
合计:¥6.10
标准包装数量:50
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