处理中...

{{item.name}}

SI1900DL-T1-E3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1900DL-T1-E3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,0.45A,RDS(ON),500mΩ@10V,12Vgs(±V);0.8Vth(V)封装:SC70-6。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,30V,0.45A,RDS(ON),500mΩ@10V,12Vgs(±V);0.8Vth(V)封装:SC70-6。
  • 库   存:400000
  • 起订量:120
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 120+ ¥0.5235 ¥0.551
  • 360+ ¥0.5026 ¥0.529
  • 1080+ ¥0.494 ¥0.52
  • 1620+ ¥0.4817 ¥0.507
合计:¥62.82
标准包装数量:3000

PMN40LN,135-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMN40LN,135-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),26mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于便携式电子设备电源管理,负载开关与电源通断控制,小型电机驱动,电池保护电路等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),26mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于便携式电子设备电源管理,负载开关与电源通断控制,小型电机驱动,电池保护电路等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:90
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 90+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 270+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 810+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1215+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥62.85
标准包装数量:3000

PMV16UN,215-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMV16UN,215-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,20V,9A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SOT23-3适用于对效率、空间和响应速度 有较高要求的低压大电流场景;例如电源路径管理、负载开关,航电、医疗或工业设备中的智能配电与冗余切换等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,20V,9A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SOT23-3适用于对效率、空间和响应速度 有较高要求的低压大电流场景;例如电源路径管理、负载开关,航电、医疗或工业设备中的智能配电与冗余切换等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥1.046 ¥1.101
  • 360+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 1080+ ¥0.988 ¥1.04
  • 1620+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥62.76
标准包装数量:3000

TK5A60D(STA4,Q,M)-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TK5A60D(STA4,Q,M)-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,600V,5A,RDS(ON),1120mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220F适用于储能系统低压侧智能控制、辅助电源管理及中小功率 DC-DC 转换场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,600V,5A,RDS(ON),1120mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220F适用于储能系统低压侧智能控制、辅助电源管理及中小功率 DC-DC 转换场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.919 ¥2.02
  • 200+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 600+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 900+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥67.17
标准包装数量:1000

NTTFS6H888NTAG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTTFS6H888NTAG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=80V;ID =51A;RDS(ON)9.5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;适用于高功率密度、高效率的中压大电流开关场景;如高频 DC-DC 电源转换、电池管理系统、电机驱动与控制等。
    台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=80V;ID =51A;RDS(ON)9.5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;适用于高功率密度、高效率的中压大电流开关场景;如高频 DC-DC 电源转换、电池管理系统、电机驱动与控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 450+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 675+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥63.87
标准包装数量:5000

AUIRLZ44ZL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AUIRLZ44ZL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO220适用于低压大电流开关电源、电机驱动及高能效功率转换场景。
    台积电流片,长电封测。60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO220适用于低压大电流开关电源、电机驱动及高能效功率转换场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 450+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 675+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥63.87
标准包装数量:1000

FS50KM-06-AX#E51-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FS50KM-06-AX#E51-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V) 封装:TO220F适用于中压大电流、高频开关、高功率密度及高热可靠性场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V) 封装:TO220F适用于中压大电流、高频开关、高功率密度及高热可靠性场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 450+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 675+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥63.87
标准包装数量:1000

PSMN027-100PS,127-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PSMN027-100PS,127-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220适用于中高功率开关、电机驱动、电源转换及同步整流等需低损耗与大电流裕量的场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220适用于中高功率开关、电机驱动、电源转换及同步整流等需低损耗与大电流裕量的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 120+ ¥2.964 ¥3.12
  • 360+ ¥2.889 ¥3.041
  • 540+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥61.29
标准包装数量:1000

BUK6507-55C,127-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK6507-55C,127-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO220适用于中低压大电流、高能效要求的电源转换与电机驱动场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO220适用于中低压大电流、高能效要求的电源转换与电机驱动场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 300+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 450+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥74.92
标准包装数量:1000

PSMN008-75P,127-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PSMN008-75P,127-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO220适用于中低压大电流、高能效要求的电源转换与电机驱动场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO220适用于中低压大电流、高能效要求的电源转换与电机驱动场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 300+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 450+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥74.92
标准包装数量:1000

2SK3313(Q)-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK3313(Q)-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,12A,RDS(ON),680mΩ@10V,30Vgs(±V),3.5Vth(V),封装:TO220F适用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源、家用电器或轻型工业设备等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,12A,RDS(ON),680mΩ@10V,30Vgs(±V),3.5Vth(V),封装:TO220F适用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源、家用电器或轻型工业设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 300+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 450+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥74.92
标准包装数量:1000

RBE020N04R0SZN6#HB0-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RBE020N04R0SZN6#HB0-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,120A,RDS(ON),2mΩ@10V,20Vgs(±V);,3Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于高性能功率电子场景;例如新能源汽车电驱系统、车载电源、服务器电源、通信电源和高性能电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,120A,RDS(ON),2mΩ@10V,20Vgs(±V);,3Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于高性能功率电子场景;例如新能源汽车电驱系统、车载电源、服务器电源、通信电源和高性能电机驱动等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥4.257 ¥4.481
  • 90+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 270+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 405+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥63.86
标准包装数量:5000

DMNH6008SPSQ-13-2485-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMNH6008SPSQ-13-2485-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于对高效率、高功率密度、高可靠性有严格要求的场景;如同步整流电路,高密度 DC-DC 转换器,电机驱动与控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于对高效率、高功率密度、高可靠性有严格要求的场景;如同步整流电路,高密度 DC-DC 转换器,电机驱动与控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥4.4261 ¥4.659
  • 90+ ¥4.2807 ¥4.506
  • 270+ ¥4.1724 ¥4.392
  • 405+ ¥4.0993 ¥4.315
合计:¥66.39
标准包装数量:5000

NVMYS2D2N06CLTWG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVMYS2D2N06CLTWG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:LFPAK-56
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的N沟道MOSFET,60V,270A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V);适用于对高效率、高功率密度、高可靠性 要求严苛的场景;如在伺服驱动器、数据中心电源、新能源汽车OBC中用作主开关或同步整流管等。
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的N沟道MOSFET,60V,270A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V);适用于对高效率、高功率密度、高可靠性 要求严苛的场景;如在伺服驱动器、数据中心电源、新能源汽车OBC中用作主开关或同步整流管等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

PSMN3R3-80YSFX-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PSMN3R3-80YSFX-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:LFPAK-56
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,100A,RDS(ON),2.9mΩ@10V,3.48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.4Vth(V)封装:SOT669/LFPAK56适用于24V/48V 总线系统的大电流同步整流、DC-DC 转换、BLDC 电机驱动及电池管理(BMS)场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,100A,RDS(ON),2.9mΩ@10V,3.48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.4Vth(V)封装:SOT669/LFPAK56适用于24V/48V 总线系统的大电流同步整流、DC-DC 转换、BLDC 电机驱动及电池管理(BMS)场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

RJK0451DPB-00#J5-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RJK0451DPB-00#J5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:LFPAK-56
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V)封装:SOT669/LFPAK56在智能净化器、储能系统等设备中,用于电机驱动电路,其高电流能力和低导通损耗可有效降低温升,提升效率。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V)封装:SOT669/LFPAK56在智能净化器、储能系统等设备中,用于电机驱动电路,其高电流能力和低导通损耗可有效降低温升,提升效率。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

NTMFS6D7N08XT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS6D7N08XT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,80V,60A,RDS(ON),5mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于高功率密度同步整流、汽车电子电机驱动及紧凑型 DC-DC 电源转换场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,80V,60A,RDS(ON),5mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于高功率密度同步整流、汽车电子电机驱动及紧凑型 DC-DC 电源转换场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.4483 ¥5.735
  • 70+ ¥5.2697 ¥5.547
  • 210+ ¥5.1357 ¥5.406
  • 315+ ¥5.0464 ¥5.312
合计:¥81.72
标准包装数量:5000

SIRS5102DPW-T1-RE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRS5102DPW-T1-RE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道;VDS=100V;ID =180A;RDS(ON)=3.45mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.5V;DFN8(5X6)适用于高效率、高功率密度、严苛电气环境的场景;如车载冰箱压缩机驱动、冷链设备的变频压缩机驱动、电池管理系统动均衡开关、光伏/微型逆变器中功率开关等。
    台积电流片,长电封测。N沟道;VDS=100V;ID =180A;RDS(ON)=3.45mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.5V;DFN8(5X6)适用于高效率、高功率密度、严苛电气环境的场景;如车载冰箱压缩机驱动、冷链设备的变频压缩机驱动、电池管理系统动均衡开关、光伏/微型逆变器中功率开关等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.9594 ¥6.273
  • 70+ ¥5.7646 ¥6.068
  • 210+ ¥5.6174 ¥5.913
  • 315+ ¥5.5195 ¥5.81
合计:¥89.39
标准包装数量:5000

IRFPW4468PBFXKSA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFPW4468PBFXKSA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,180A,RDS(ON),2.4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V,3Vth(V);TO247适用于高电压、大电流且对导通损耗敏感的低频至中频开关场景;如DC-DC 变换器、DC-DC 变换器、电源管理与负载开关、不间断电源(UPS)与逆变器等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,180A,RDS(ON),2.4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V,3Vth(V);TO247适用于高电压、大电流且对导通损耗敏感的低频至中频开关场景;如DC-DC 变换器、DC-DC 变换器、电源管理与负载开关、不间断电源(UPS)与逆变器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥13.1091 ¥13.799
  • 30+ ¥12.6797 ¥13.347
  • 90+ ¥12.3576 ¥13.008
  • 135+ ¥12.142 ¥12.781
合计:¥65.55
标准包装数量:300

TK39J60W5,S1VQ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TK39J60W5,S1VQ-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-3P
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,600V;47A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于高压大电流、高功率密度且对效率与散热要求严苛的工业与航空电驱场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,600V;47A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于高压大电流、高功率密度且对效率与散热要求严苛的工业与航空电驱场景。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥18.8594 ¥19.852
  • 20+ ¥18.241 ¥19.201
  • 60+ ¥17.7774 ¥18.713
  • 60+ ¥17.7774 ¥18.713
合计:¥94.30
标准包装数量:300
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧