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NTR4502PT1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTR4502PT1G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
    P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
  • 库   存:1392
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.25
  • 50+ ¥0.2359
  • 300+ ¥0.21
  • 1000+ ¥0.2
合计:¥2.50
标准包装数量:3000

NX7002AKW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NX7002AKW-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@4.5V,4000mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SC70-3适用于多种小信号切换与低功耗控制场景;如智能手环、穿戴设备、LED、小型继电器、传感器、指示灯等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@4.5V,4000mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SC70-3适用于多种小信号切换与低功耗控制场景;如智能手环、穿戴设备、LED、小型继电器、传感器、指示灯等。
  • 库   存:1999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.2979
  • 10+ ¥0.2858
  • 100+ ¥0.2712
  • 500+ ¥0.2579
  • 1000+ ¥0.2488
合计:¥0.30
标准包装数量:1

VB162K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB162K
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
  • 库   存:1998
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3295
  • 10+ ¥0.2624
  • 30+ ¥0.218
  • 100+ ¥0.2024
  • 500+ ¥0.188
  • 1000+ ¥0.1753
合计:¥0.33
标准包装数量:3000

VB2355 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB2355
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
    台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
  • 库   存:3564
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.4004
  • 50+ ¥0.3893
  • 150+ ¥0.3844
  • 500+ ¥0.3797
合计:¥2.00
标准包装数量:3000

SI2305DS-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305DS-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
    台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
  • 库   存:2989
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.4564
  • 100+ ¥0.3745
  • 300+ ¥0.3334
  • 3000+ ¥0.2735
  • 6000+ ¥0.2491
  • 9000+ ¥0.2369
合计:¥4.56
标准包装数量:3000

SI4542DY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4542DY
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N+P沟道 30V 8A 18mΩ@10V;-30V -8A 32mΩ@-10V SO-8
    N+P沟道 30V 8A 18mΩ@10V;-30V -8A 32mΩ@-10V SO-8
  • 库   存:340
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.48
  • 50+ ¥0.45
  • 300+ ¥0.43
  • 500+ ¥0.4
合计:¥6.24
标准包装数量:4000

AOD444 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD444
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
    N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
  • 库   存:672
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.59
  • 100+ ¥0.55
  • 300+ ¥0.5335
  • 500+ ¥0.5
合计:¥7.67
标准包装数量:2500

AO4447A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4447A
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 -30V -13.5A 11mΩ@-10V SOP-8
    P沟道 -30V -13.5A 11mΩ@-10V SOP-8
  • 库   存:922
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7
  • 100+ ¥0.6
  • 300+ ¥0.58
  • 500+ ¥0.55
合计:¥0.70
标准包装数量:4000

VB1330 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB1330
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT23-3具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点,特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT23-3具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点,特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。
  • 库   存:3187
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7192
  • 50+ ¥0.5949
  • 150+ ¥0.5337
  • 500+ ¥0.4882
  • 3000+ ¥0.347
  • 6000+ ¥0.329
合计:¥3.60
标准包装数量:3000

IRFR540ZPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR540ZPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 100V 40A 30mΩ@10V TO-252
    N沟道 100V 40A 30mΩ@10V TO-252
  • 库   存:373
  • 起订量:6
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.6
  • 50+ ¥1.45
  • 150+ ¥1.4
  • 400+ ¥1.3
合计:¥9.60
标准包装数量:2500

VBA5325 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBA5325
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±30V,±8A,RDS(ON),18/40mΩ@10V,25/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6/-1.7Vth(V)封装:SOP8适用于需要紧凑布局、高效率和中等功率驱动的场景;例如在电池供电设备中实现充放电回路切换、电源通断控制,尤其适用于对导通损耗敏感的应用。
    台积电流片,长电封测。N+P沟道,±30V,±8A,RDS(ON),18/40mΩ@10V,25/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6/-1.7Vth(V)封装:SOP8适用于需要紧凑布局、高效率和中等功率驱动的场景;例如在电池供电设备中实现充放电回路切换、电源通断控制,尤其适用于对导通损耗敏感的应用。
  • 库   存:2999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.9251
  • 10+ ¥1.4817
  • 30+ ¥1.2876
  • 100+ ¥1.0702
  • 500+ ¥0.9776
  • 1000+ ¥0.9072
合计:¥1.93
标准包装数量:4000

IPD70N10S3L-12 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD70N10S3L-12
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:52
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.034
合计:¥2.03
标准包装数量:2500

FDD390N15A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD390N15A
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),42mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),42mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:211
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.2
  • 10+ ¥2
  • 30+ ¥1.98
  • 100+ ¥1.95
合计:¥2.20
标准包装数量:2500

VBE2412 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBE2412
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-50A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO252适用于电机驱动、同步升降压电路主开关、工业电源与功率分配系统等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-50A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO252适用于电机驱动、同步升降压电路主开关、工业电源与功率分配系统等。
  • 库   存:2342
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.35
  • 10+ ¥2.3
  • 30+ ¥2.27
  • 100+ ¥2.23
  • 500+ ¥2.1
  • 1000+ ¥1.96
合计:¥2.35
标准包装数量:2500

ZVP4525GTA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZVP4525GTA
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223-3
  • 描述: P—Channel沟道,-250V,-0.265A,RDS(ON),1400mΩ@10V,1680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V);SOT223
    P—Channel沟道,-250V,-0.265A,RDS(ON),1400mΩ@10V,1680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V);SOT223
  • 库   存:156
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.6115
  • 10+ ¥2.2385
  • 30+ ¥1.9587
  • 100+ ¥1.6494
  • 500+ ¥1.5669
合计:¥2.61
标准包装数量:2500

STN3NF06L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STN3NF06L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,4.5A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT-223适用于中低压、中小功率的开关与控制应用中;如小功率电机驱动、便携式电子产品、信号切换、LED驱动与照明控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,4.5A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT-223适用于中低压、中小功率的开关与控制应用中;如小功率电机驱动、便携式电子产品、信号切换、LED驱动与照明控制等。
  • 库   存:2500
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.6567
  • 10+ ¥2.1474
  • 30+ ¥1.9247
  • 100+ ¥1.6508
  • 500+ ¥1.4878
  • 1000+ ¥1.4108
合计:¥2.66
标准包装数量:2500

VBI2658 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBI2658
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-89-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,65mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOT-89-3可用作开关模块;如智能电动滑板车的电池主放电开关 、轻量化人形机器人的安全锁止或紧急断电电路 、智能安防巡逻机器人的云台、机械臂等子系统的总电源通断等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,65mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOT-89-3可用作开关模块;如智能电动滑板车的电池主放电开关 、轻量化人形机器人的安全锁止或紧急断电电路 、智能安防巡逻机器人的云台、机械臂等子系统的总电源通断等。
  • 库   存:3446
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.8859
  • 10+ ¥2.2483
  • 30+ ¥2.0219
  • 100+ ¥1.7328
  • 500+ ¥1.4982
  • 1000+ ¥1.4169
合计:¥2.89
标准包装数量:1000

IRF7380TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7380TRPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,80V,3.5A,RDS(ON),75mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V);SOP8
    N—Channel沟道,80V,3.5A,RDS(ON),75mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V);SOP8
  • 库   存:98
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.6827
  • 10+ ¥2.9179
  • 30+ ¥2.5246
合计:¥3.68
标准包装数量:1

FDP18N50-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDP18N50-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
  • 库   存:99
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.1
  • 10+ ¥5.8
  • 30+ ¥5.5
  • 50+ ¥5.3
合计:¥6.10
标准包装数量:50

VBE1606 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBE1606
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,97A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO252适用于中低压、大电流、高效率要求的功率电子系统中;如用于驱动散热风扇、水泵、电动工具、BLDC伺服电机等需高电流和低损耗的设备。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,97A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO252适用于中低压、大电流、高效率要求的功率电子系统中;如用于驱动散热风扇、水泵、电动工具、BLDC伺服电机等需高电流和低损耗的设备。
  • 库   存:2500
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.805
  • 10+ ¥5.7328
  • 30+ ¥5.2003
  • 100+ ¥4.6678
  • 500+ ¥3.4285
  • 500+ ¥3.4285
合计:¥6.81
标准包装数量:2500
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