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SI1425DH-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1425DH-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),34mΩ@4.5V,45mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:SC70-6适用于空间受限、需低压直接驱动、对效率和可靠性有较高要求的辅助电源与负载管理场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),34mΩ@4.5V,45mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:SC70-6适用于空间受限、需低压直接驱动、对效率和可靠性有较高要求的辅助电源与负载管理场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:45
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 45+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 270+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 810+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 1215+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥62.80
标准包装数量:3000

MCT04N10A-TP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MCT04N10A-TP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOT223适用于100V 以下电压等级、需高效率开关或逻辑电平驱动的中小功率电源转换与负载控制场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOT223适用于100V 以下电压等级、需高效率开关或逻辑电平驱动的中小功率电源转换与负载控制场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:45
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 45+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 270+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 810+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 1215+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥62.80
标准包装数量:2500

2SJ438(AISIN,A,Q)-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SJ438(AISIN,A,Q)-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-20A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TO220F适用于电池供电设备、直流电源系统、电源反接保护、电机、继电器等场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-20A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TO220F适用于电池供电设备、直流电源系统、电源反接保护、电机、继电器等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥2.0938 ¥2.204
  • 180+ ¥2.0102 ¥2.116
  • 540+ ¥1.976 ¥2.08
  • 810+ ¥1.9257 ¥2.027
合计:¥62.81
标准包装数量:1000

NVTFS5C680NLWFTAG-01-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVTFS5C680NLWFTAG-01-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;60V;30A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=35mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.7V;适用于对高效率、高功率密度、高可靠性有严格要求的场景;如AI电子血压计腕带,3D打印机,智能BMS(电池管理系统)等。
    台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;60V;30A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=35mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.7V;适用于对高效率、高功率密度、高可靠性有严格要求的场景;如AI电子血压计腕带,3D打印机,智能BMS(电池管理系统)等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥2.0938 ¥2.204
  • 180+ ¥2.0102 ¥2.116
  • 540+ ¥1.976 ¥2.08
  • 810+ ¥1.9257 ¥2.027
合计:¥62.81
标准包装数量:5000

2SK4088LS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK4088LS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,8A,RDS(ON),1000mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F适用于离线式开关电源主开关、PFC 电路、LED 驱动及高压小功率逆变/制动场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,8A,RDS(ON),1000mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F适用于离线式开关电源主开关、PFC 电路、LED 驱动及高压小功率逆变/制动场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.7237 ¥2.867
  • 140+ ¥2.6344 ¥2.773
  • 420+ ¥2.5679 ¥2.703
  • 630+ ¥2.5232 ¥2.656
合计:¥68.09
标准包装数量:1000

PXN9R1-60QLAJ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PXN9R1-60QLAJ-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=60V;ID =30A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于需要高电流处理和低导通损耗的场景,特别是电源管理、电动汽车和通信设备。
    台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=60V;ID =30A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于需要高电流处理和低导通损耗的场景,特别是电源管理、电动汽车和通信设备。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.7237 ¥2.867
  • 140+ ¥2.6344 ¥2.773
  • 420+ ¥2.5679 ¥2.703
  • 630+ ¥2.5232 ¥2.656
合计:¥68.09
标准包装数量:5000

IAUCN08S7L110ATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IAUCN08S7L110ATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V;65A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5V;DFN8(5X6)具有超低导通电阻和高电流承载能力,适用于对效率、热性能和功率密度要求较高的中高压开关场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V;65A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5V;DFN8(5X6)具有超低导通电阻和高电流承载能力,适用于对效率、热性能和功率密度要求较高的中高压开关场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 130+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 390+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 585+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥72.34
标准包装数量:5000

2SK2617ALS-CB11-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2617ALS-CB11-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V),封装TO220F适用于中小功率离线式开关电源、功率因数校正(PFC)及高压侧开关场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V),封装TO220F适用于中小功率离线式开关电源、功率因数校正(PFC)及高压侧开关场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 120+ ¥2.964 ¥3.12
  • 360+ ¥2.889 ¥3.041
  • 540+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥61.29
标准包装数量:1000

BUK9506-55A,127-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK9506-55A,127-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO220适用于中低压大电流、高能效要求的电源转换与电机驱动场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO220适用于中低压大电流、高能效要求的电源转换与电机驱动场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 300+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 450+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥74.92
标准包装数量:1000

NTB12N50T4-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTB12N50T4-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,10A,RDS(ON),380mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO263适用于高压开关电源、PFC 电路、中小功率变频驱动及车载辅助电源等需高耐压与低开关损耗的场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,500V,10A,RDS(ON),380mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO263适用于高压开关电源、PFC 电路、中小功率变频驱动及车载辅助电源等需高耐压与低开关损耗的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥4.257 ¥4.481
  • 90+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 270+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 405+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥63.86
标准包装数量:800

TK8A60W5,S5VX-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TK8A60W5,S5VX-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),550mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220F适用于高压离线式开关电源初级侧、PFC 电路、中小功率逆变器及工业电机驱动等需高耐压与低导通损耗的场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),550mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220F适用于高压离线式开关电源初级侧、PFC 电路、中小功率逆变器及工业电机驱动等需高耐压与低导通损耗的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥4.257 ¥4.481
  • 90+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 270+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 405+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥63.86
标准包装数量:1000

SQJ150EP-T1_GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ150EP-T1_GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:LFPAK-56
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V)封装:SOT669/LFPAK56在智能净化器、储能系统等设备中,用于电机驱动电路,其高电流能力和低导通损耗可有效降低温升,提升效率。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V)封装:SOT669/LFPAK56在智能净化器、储能系统等设备中,用于电机驱动电路,其高电流能力和低导通损耗可有效降低温升,提升效率。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

SIR5802DP-T1-BE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR5802DP-T1-BE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道;VDS=80V;ID =180A;RDS(ON)=1.9mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;封装DFN8(5X6)适用于高功率密度、高效率、高动态响应的场景;如智能电动两轮车主驱电机驱动、高性能汽车电子系统、舞台烟雾机高速泵浦电机驱动、工业自动化伺服驱动与电机控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道;VDS=80V;ID =180A;RDS(ON)=1.9mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;封装DFN8(5X6)适用于高功率密度、高效率、高动态响应的场景;如智能电动两轮车主驱电机驱动、高性能汽车电子系统、舞台烟雾机高速泵浦电机驱动、工业自动化伺服驱动与电机控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

SQJ840EP-T1_GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ840EP-T1_GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:LFPAK-56
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,30V,90A,RDS(ON),2.8mΩ@10V,3.36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8Vth(V),常用于高效率、大电流、高频开关的电力电子系统,尤其适用于服务器、通信设备、数据中心等高密度电源中的次级侧同步整流管,可显著提升转换效率。
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,30V,90A,RDS(ON),2.8mΩ@10V,3.36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8Vth(V),常用于高效率、大电流、高频开关的电力电子系统,尤其适用于服务器、通信设备、数据中心等高密度电源中的次级侧同步整流管,可显著提升转换效率。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

BUK652R3-40C,127-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK652R3-40C,127-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO220用于各类工业级电源设备的电源开关控制模块,如变频器、逆变器等,提供稳定、高效的电能转换和控制功能。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO220用于各类工业级电源设备的电源开关控制模块,如变频器、逆变器等,提供稳定、高效的电能转换和控制功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:1000

SQJ886EP-T1_BE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ886EP-T1_BE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:LFPAK-56
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V)封装:SOT669/LFPAK56在智能净化器、储能系统等设备中,用于电机驱动电路,其高电流能力和低导通损耗可有效降低温升,提升效率。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V)封装:SOT669/LFPAK56在智能净化器、储能系统等设备中,用于电机驱动电路,其高电流能力和低导通损耗可有效降低温升,提升效率。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

SQJA80EP-T1_GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJA80EP-T1_GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:LFPAK-56
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的N沟道MOSFET,60V,270A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V);适用于对高效率、高功率密度、高可靠性 要求严苛的场景;如在伺服驱动器、数据中心电源、新能源汽车OBC中用作主开关或同步整流管等。
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的N沟道MOSFET,60V,270A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V);适用于对高效率、高功率密度、高可靠性 要求严苛的场景;如在伺服驱动器、数据中心电源、新能源汽车OBC中用作主开关或同步整流管等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

FQI11N40TU-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQI11N40TU-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-262
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,12A,RDS(ON),360mΩ@10V,30Vgs(±V),3.5Vth(V),封装:TO262适用于高压离线电源、电机驱动、能源转换系统、工业控制设备以及特种车辆辅助系统等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,12A,RDS(ON),360mΩ@10V,30Vgs(±V),3.5Vth(V),封装:TO262适用于高压离线电源、电机驱动、能源转换系统、工业控制设备以及特种车辆辅助系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.9594 ¥6.273
  • 70+ ¥5.7646 ¥6.068
  • 210+ ¥5.6174 ¥5.913
  • 315+ ¥5.5195 ¥5.81
合计:¥89.39
标准包装数量:1000

SIHD180N60ET1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHD180N60ET1-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),0.160Ω@10V,30Vgs(±V),3.5Vth(V),封装:TO252适用于600V 级中高功率 AC-DC 电源、PFC 电路、电机驱动及加热控制等需高耐压与低导通损耗的场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),0.160Ω@10V,30Vgs(±V),3.5Vth(V),封装:TO252适用于600V 级中高功率 AC-DC 电源、PFC 电路、电机驱动及加热控制等需高耐压与低导通损耗的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.6618 ¥8.065
  • 50+ ¥7.411 ¥7.801
  • 150+ ¥7.2229 ¥7.603
  • 225+ ¥7.0965 ¥7.47
合计:¥76.62
标准包装数量:2500

R8011KNZ4C13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: R8011KNZ4C13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道;VDS=800V;ID =11A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;TO247;在电力领域,该器件可用于设计高压直流输电系统中的开关模块,以提高输电效率和稳定性。
    台积电流片,长电封测。N沟道;VDS=800V;ID =11A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;TO247;在电力领域,该器件可用于设计高压直流输电系统中的开关模块,以提高输电效率和稳定性。
  • 库   存:30000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.8584 ¥8.272
  • 50+ ¥7.6 ¥8
  • 150+ ¥7.4072 ¥7.797
  • 150+ ¥7.4072 ¥7.797
合计:¥78.58
标准包装数量:300
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