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ZXMP3A16GTA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMP3A16GTA
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: P沟道 -35V -6.2A 50mΩ@-10V SOT223
    P沟道 -35V -6.2A 50mΩ@-10V SOT223
  • 库   存:2205
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.6
  • 50+ ¥0.55
  • 150+ ¥0.533
  • 500+ ¥0.5
合计:¥7.80
标准包装数量:2500

SPD04P10PLG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPD04P10PLG
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 32.1W 20V 11.7nC 1个P沟道 100V 0.350Ω VGS = - 4.5 V,ID = - 3.4 A 8.8A TO-252 贴片安装
    32.1W 20V 11.7nC 1个P沟道 100V 0.350Ω VGS = - 4.5 V,ID = - 3.4 A 8.8A TO-252 贴片安装
  • 库   存:2499
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.6006
  • 10+ ¥2.2291
  • 30+ ¥1.9505
  • 100+ ¥1.6425
  • 500+ ¥1.5604
合计:¥2.60
标准包装数量:2500

MCH3376 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MCH3376
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
    P—Channel沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2385 ¥0.3058
合计:¥1.19
标准包装数量:3000

NTD3055-094T4G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD3055-094T4G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:580
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8354 ¥1.071
合计:¥4.18
标准包装数量:2500

TPC8223-H 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TPC8223-H
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N+N沟道 30V 12A 10mΩ@10V SO-8
    N+N沟道 30V 12A 10mΩ@10V SO-8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1937 ¥1.5304
合计:¥5.97
标准包装数量:4000

2SK2715 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK2715
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 650V 4.5A 1.8Ω@10V TO-252
    N沟道 650V 4.5A 1.8Ω@10V TO-252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1937 ¥1.5304
合计:¥5.97
标准包装数量:2500

FR5505 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FR5505
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道 -60V -25A 53mΩ@-10V TO-252
    P沟道 -60V -25A 53mΩ@-10V TO-252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4323 ¥1.8363
合计:¥7.16
标准包装数量:2500

2SJ532 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SJ532
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,69mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~ -3Vth(V) 封装:TO220F
    P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,69mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~ -3Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:84
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.7906 ¥2.2957
合计:¥8.95
标准包装数量:1000

STF13NM60N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STF13NM60N
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥3.5802 ¥4.59
合计:¥17.90
标准包装数量:1000

SSM6L09FU-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SSM6L09FU-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±20V,3.28/-2.8A,RDS(ON),90/155mΩ@4.5V,110/190mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.0/-1.2Vth(V)封装:SC70-6适用于便携设备负载开关、电池管理系统、紧凑型控制板、信号电平转换与模拟开关等场景。
    台积电流片,长电封测。N+P沟道,±20V,3.28/-2.8A,RDS(ON),90/155mΩ@4.5V,110/190mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.0/-1.2Vth(V)封装:SC70-6适用于便携设备负载开关、电池管理系统、紧凑型控制板、信号电平转换与模拟开关等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥0.665 ¥0.7
  • 450+ ¥0.6384 ¥0.672
  • 900+ ¥0.628 ¥0.661
  • 1400+ ¥0.6118 ¥0.644
合计:¥39.90
标准包装数量:3000

NDT3055-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NDT3055-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,4.5A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT-223适用于中低压、中小功率的开关与控制应用中;如小功率电机驱动、便携式电子产品、信号切换、LED驱动与照明控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,4.5A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT-223适用于中低压、中小功率的开关与控制应用中;如小功率电机驱动、便携式电子产品、信号切换、LED驱动与照明控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:2500

DTM4606BDY-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DTM4606BDY-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SOP8;N+P沟道;VDS=±30V;ID =10/-8A;RDS(ON)=11/21mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=13/28mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8/-1.7V;产品适用于各种电源和功率控制应用,封装为SOP8。
    台积电流片,长电封测。SOP8;N+P沟道;VDS=±30V;ID =10/-8A;RDS(ON)=11/21mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=13/28mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8/-1.7V;产品适用于各种电源和功率控制应用,封装为SOP8。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 250+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 800+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥41.87
标准包装数量:4000

NTP18N06L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTP18N06L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,25A,RDS(ON),80mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO220适用于中小型电机、风扇、水泵、电动工具等的驱动电路,低导通电阻有助于减少发热,提升能效和系统可靠性。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,25A,RDS(ON),80mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO220适用于中小型电机、风扇、水泵、电动工具等的驱动电路,低导通电阻有助于减少发热,提升能效和系统可靠性。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.483 ¥1.561
  • 200+ ¥1.4241 ¥1.499
  • 400+ ¥1.4003 ¥1.474
  • 600+ ¥1.3642 ¥1.436
合计:¥44.49
标准包装数量:1000

NDD04N60ZG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NDD04N60ZG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:2500

STM301N-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STM301N-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,100V,9A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,100V,9A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.919 ¥2.02
  • 150+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 300+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 500+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥47.98
标准包装数量:4000

SSM4565GM-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SSM4565GM-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±40V,9/-8A,RDS(ON),15/17mΩ@10V,18/22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8/-1.7Vth(V)封装:SOP8适用于智能配电、负载管理与安全控制场景;包括电池管理系统、消防救援车、应急装备、工业自动化与嵌入式系统等。
    台积电流片,长电封测。N+P沟道,±40V,9/-8A,RDS(ON),15/17mΩ@10V,18/22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8/-1.7Vth(V)封装:SOP8适用于智能配电、负载管理与安全控制场景;包括电池管理系统、消防救援车、应急装备、工业自动化与嵌入式系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.919 ¥2.02
  • 150+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 300+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 500+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥47.98
标准包装数量:4000

SW110R06VT-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SW110R06VT-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于需要低导通损耗、高电流能力、优异热性能的场景;例如高密度电源模块、工业自动化设备、机器人与智能装备等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于需要低导通损耗、高电流能力、优异热性能的场景;例如高密度电源模块、工业自动化设备、机器人与智能装备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:5000

AO8801-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO8801-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-5.2A,RDS(ON),36mΩ@10V,55mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TSSOP8具有高集成度、低导通电阻、小尺寸和适用于低压电源管理的特性,因此广泛应用于需要智能配电、负载开关、故障隔离或冗余切换的场景。
    台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-5.2A,RDS(ON),36mΩ@10V,55mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TSSOP8具有高集成度、低导通电阻、小尺寸和适用于低压电源管理的特性,因此广泛应用于需要智能配电、负载开关、故障隔离或冗余切换的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.4894 ¥3.673
  • 150+ ¥3.3497 ¥3.526
  • 300+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 500+ ¥3.2101 ¥3.379
合计:¥69.79
标准包装数量:3000

AOTF240L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOTF240L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=40V;ID =180A;RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=3mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=40V;ID =180A;RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=3mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:1000

9R340C-VB TO220F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 9R340C-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220F可用于高耐压、中大功率场景,例如光伏逆变器、储能变流器、气象探测机器人、模具抛光机器人等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220F可用于高耐压、中大功率场景,例如光伏逆变器、储能变流器、气象探测机器人、模具抛光机器人等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥11.001 ¥11.58
  • 50+ ¥10.641 ¥11.201
  • 100+ ¥10.3702 ¥10.916
  • 100+ ¥10.3702 ¥10.916
合计:¥22.00
标准包装数量:1000
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