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STS4NF100 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STS4NF100
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N沟道 100V 6.4A 40mΩ@10V SO-8
    N沟道 100V 6.4A 40mΩ@10V SO-8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.3125 ¥1.6827
合计:¥6.56
标准包装数量:4000

DMP512DLQ-7-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP512DLQ-7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,4000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOT23-3适用于低压、小电流、高效率要求的开关场景;适用于负载开关与电源路径管理,信号切换与电平转换,低压侧 P 沟道高压控制,电池管理系统(BMS)中的隔离控制等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,4000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOT23-3适用于低压、小电流、高效率要求的开关场景;适用于负载开关与电源路径管理,信号切换与电平转换,低压侧 P 沟道高压控制,电池管理系统(BMS)中的隔离控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:300
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 300+ ¥0.209 ¥0.22
  • 900+ ¥0.2005 ¥0.211
  • 2700+ ¥0.1976 ¥0.208
  • 4050+ ¥0.1919 ¥0.202
合计:¥62.70
标准包装数量:3000

DMN66D0LT-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN66D0LT-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-75-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.33A,RDS(ON),1200mΩ@10V,2000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SC75-3适用于多种低功耗、小信号控制和中低压功率开关场景。如便携式设备中的负载开关,驱动小型感性或阻性负载,电池供电系统等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.33A,RDS(ON),1200mΩ@10V,2000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SC75-3适用于多种低功耗、小信号控制和中低压功率开关场景。如便携式设备中的负载开关,驱动小型感性或阻性负载,电池供电系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:160
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 160+ ¥0.2499 ¥0.263
  • 480+ ¥0.2394 ¥0.252
  • 960+ ¥0.2356 ¥0.248
  • 1500+ ¥0.2299 ¥0.242
合计:¥39.98
标准包装数量:3000

PMN35EN,115-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMN35EN,115-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),26mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于便携式电子设备电源管理,负载开关与电源通断控制,小型电机驱动,电池保护电路等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),26mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于便携式电子设备电源管理,负载开关与电源通断控制,小型电机驱动,电池保护电路等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:90
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 90+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 270+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 810+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1215+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥62.85
标准包装数量:3000

IRFL4310PBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL4310PBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOT223适用于100V 以下电压等级、需高效率开关或逻辑电平驱动的中小功率电源转换与负载控制场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOT223适用于100V 以下电压等级、需高效率开关或逻辑电平驱动的中小功率电源转换与负载控制场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:45
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 45+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 270+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 810+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 1215+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥62.80
标准包装数量:2500

SQA489CEJW-T1_GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQA489CEJW-T1_GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN6(2X2);P沟道;VDS=-60V;ID =-5A;RDS(ON)85mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;适用于中高压电池系统的负载开关、高侧电源管理及小功率驱动控制场景。
    台积电流片,长电封测。DFN6(2X2);P沟道;VDS=-60V;ID =-5A;RDS(ON)85mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;适用于中高压电池系统的负载开关、高侧电源管理及小功率驱动控制场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:45
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 45+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 270+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 810+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 1215+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥62.80
标准包装数量:5000

FQU8P10TU-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQU8P10TU-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-12A,RDS(ON),215mΩ@10V,234mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO251适用于中高压侧开关、电源管理及负载控制场景;如电源管理与 DC-DC 转换、电池系统与防反接保护、负载开关与功率分配、电机驱动与执行机构、LED 驱动与照明控制等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-12A,RDS(ON),215mΩ@10V,234mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO251适用于中高压侧开关、电源管理及负载控制场景;如电源管理与 DC-DC 转换、电池系统与防反接保护、负载开关与功率分配、电机驱动与执行机构、LED 驱动与照明控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:45
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 45+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 270+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 810+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 1215+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥62.80
标准包装数量:4000

MCH6307-G-TL-E-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MCH6307-G-TL-E-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),34mΩ@4.5V,45mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:SC70-6适用于空间受限、需低压直接驱动、对效率和可靠性有较高要求的辅助电源与负载管理场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),34mΩ@4.5V,45mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-0.6Vth(V)封装:SC70-6适用于空间受限、需低压直接驱动、对效率和可靠性有较高要求的辅助电源与负载管理场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:45
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 45+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 270+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 810+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 1215+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥62.80
标准包装数量:3000

BSO130P03SNTMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSO130P03SNTMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-11.6A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.5Vth(V)封装:SOP8适用于电源管理、负载开关、智能设备、电池保护与路径管理等场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-11.6A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.5Vth(V)封装:SOP8适用于电源管理、负载开关、智能设备、电池保护与路径管理等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.5704 ¥1.653
  • 240+ ¥1.5067 ¥1.586
  • 720+ ¥1.482 ¥1.56
  • 1080+ ¥1.444 ¥1.52
合计:¥62.82
标准包装数量:4000

FQT5P10-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQT5P10-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: P—Channel沟道,-100V,-3A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223
    P—Channel沟道,-100V,-3A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:2500

SQ7414AEN-T1_GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ7414AEN-T1_GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;60V;30A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=35mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.7V;适用于对高效率、高功率密度、高可靠性有严格要求的场景;如AI电子血压计腕带,3D打印机,智能BMS(电池管理系统)等。
    台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;60V;30A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=35mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.7V;适用于对高效率、高功率密度、高可靠性有严格要求的场景;如AI电子血压计腕带,3D打印机,智能BMS(电池管理系统)等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥2.0938 ¥2.204
  • 180+ ¥2.0102 ¥2.116
  • 540+ ¥1.976 ¥2.08
  • 810+ ¥1.9257 ¥2.027
合计:¥62.81
标准包装数量:5000

K3364-01-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: K3364-01-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220 一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
    台积电流片,长电封测。 60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220 一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:1000

FDMS8622-NC-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDMS8622-NC-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V;30A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;DFN8(5X6)具有低导通电阻、高开关效率、紧凑封装和强耐压裕量的特性,适用于多种对功率密度、效率与热管理要求高的场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V;30A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;DFN8(5X6)具有低导通电阻、高开关效率、紧凑封装和强耐压裕量的特性,适用于多种对功率密度、效率与热管理要求高的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.7237 ¥2.867
  • 140+ ¥2.6344 ¥2.773
  • 420+ ¥2.5679 ¥2.703
  • 630+ ¥2.5232 ¥2.656
合计:¥68.09
标准包装数量:5000

MTB55N06ZT4-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTB55N06ZT4-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO263由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO263由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 120+ ¥2.964 ¥3.12
  • 360+ ¥2.889 ¥3.041
  • 540+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥61.29
标准包装数量:800

AG091FLD3HRBTL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AG091FLD3HRBTL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,97A,RDS(ON),4.5,mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO252适用于中低压大电流、对效率与温升敏感的中高功率开关场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,97A,RDS(ON),4.5,mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO252适用于中低压大电流、对效率与温升敏感的中高功率开关场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 120+ ¥2.964 ¥3.12
  • 360+ ¥2.889 ¥3.041
  • 540+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥61.29
标准包装数量:2500

DMTH8008SPSW-13-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH8008SPSW-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,80V,120A,RDS(ON)=4.5mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=3V,DFN8(5X6)适用于高湿、高温差等严苛环境;例如智能农业设备、无人机充电驿站电源系统、AI冷链低空货运eVTOL、中压大电流工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,80V,120A,RDS(ON)=4.5mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=3V,DFN8(5X6)适用于高湿、高温差等严苛环境;例如智能农业设备、无人机充电驿站电源系统、AI冷链低空货运eVTOL、中压大电流工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 110+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 330+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 495+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥68.10
标准包装数量:5000

IXTP08N50D2-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IXTP08N50D2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
    台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.4048 ¥3.584
  • 100+ ¥3.2937 ¥3.467
  • 200+ ¥3.2101 ¥3.379
  • 300+ ¥3.154 ¥3.32
合计:¥51.07
标准包装数量:1000

TK430A60F,S4X(S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TK430A60F,S4X(S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=600V;ID =12A;RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于高频开关电源、功率因数校正(PFC)、服务器/通信电源及工业照明等对开关损耗和效率敏感的场景。
    台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=600V;ID =12A;RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于高频开关电源、功率因数校正(PFC)、服务器/通信电源及工业照明等对开关损耗和效率敏感的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.5758 ¥3.764
  • 110+ ¥3.458 ¥3.64
  • 330+ ¥3.3706 ¥3.548
  • 495+ ¥3.3117 ¥3.486
合计:¥71.52
标准包装数量:1000

BUK9Y7R2-60RAX-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK9Y7R2-60RAX-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:LFPAK-56
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,64A,RDS(ON),6.2mΩ@10V,7.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:SOT669/LFPAK56具备低导通损耗、高电流能力与良好热性能等特点;适用于无刷直流电机驱动、负载开关与电源路径管理等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,64A,RDS(ON),6.2mΩ@10V,7.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:SOT669/LFPAK56具备低导通损耗、高电流能力与良好热性能等特点;适用于无刷直流电机驱动、负载开关与电源路径管理等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥4.257 ¥4.481
  • 90+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 270+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 405+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥63.86
标准包装数量:5000

NDD03N80ZT4G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NDD03N80ZT4G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.257 ¥4.481
  • 100+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
合计:¥42.57
标准包装数量:2500
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