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SI3424CDV-VB 场效应管(MOSFET)

型号： SI3424CDV-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：SOT-23-6
描述：台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),26mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于便携式电子设备电源管理,负载开关与电源通断控制,小型电机驱动,电池保护电路等。

台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),26mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于便携式电子设备电源管理,负载开关与电源通断控制,小型电机驱动,电池保护电路等。

库存：400000
起订量：60
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
60+ ￥0.6983 ￥0.735
450+ ￥0.6707 ￥0.706
900+ ￥0.6593 ￥0.694
1400+ ￥0.6422 ￥0.676

合计：￥41.90

标准包装数量：3000

WTK9410-VB 场效应管(MOSFET)

型号： WTK9410-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：SOP-8
描述：台积电流片，长电封测。该产品为单体N型MOSFET，具有以下特性： - 最大漏极电压（VDS）为30V，适用于中等功率应用。 - 最大门源电压（VGS）为±20V，兼容多种驱动电路。 - 阈值电压（Vth）为1.7V，具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时，导通电阻为5m?；在VGS=10V时，导通电阻为4m?，具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流（ID）为18A，可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺，具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8，便于PCB布局和焊接。

台积电流片，长电封测。该产品为单体N型MOSFET，具有以下特性： - 最大漏极电压（VDS）为30V，适用于中等功率应用。 - 最大门源电压（VGS）为±20V，兼容多种驱动电路。 - 阈值电压（Vth）为1.7V，具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时，导通电阻为5m?；在VGS=10V时，导通电阻为4m?，具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流（ID）为18A，可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺，具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8，便于PCB布局和焊接。

库存：400000
起订量：30
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
30+ ￥1.483 ￥1.561
200+ ￥1.4241 ￥1.499
400+ ￥1.4003 ￥1.474
600+ ￥1.3642 ￥1.436

合计：￥44.49

标准包装数量：4000

SI7326DN-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

型号： SI7326DN-T1-GE3-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：DFN-8
描述：台积电流片,长电封测。N沟道,30V,30A,RDS(ON),13mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN8(3X3)适用于空间受限,但对效率和电流能力要求较高的设备;如笔记本电脑、无人机、电动工具、光伏逆变器、电动车辅助电源等。

台积电流片,长电封测。N沟道,30V,30A,RDS(ON),13mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN8(3X3)适用于空间受限,但对效率和电流能力要求较高的设备;如笔记本电脑、无人机、电动工具、光伏逆变器、电动车辅助电源等。

库存：400000
起订量：30
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
30+ ￥1.5571 ￥1.639
200+ ￥1.4944 ￥1.573
400+ ￥1.4697 ￥1.547
600+ ￥1.4326 ￥1.508

合计：￥46.71

标准包装数量：5000

SFRU9110-VB 场效应管(MOSFET)

型号： SFRU9110-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-252
描述：台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-8.8A,RDS(ON),250mΩ@10V,280mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO252可用于多种中高电压、中等电流的功率开关场景;例如工业控制、电源转换系统、电池管理系统、电机驱动、加热控制、汽车电子、LED 驱动与照明控制等。

台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-8.8A,RDS(ON),250mΩ@10V,280mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO252可用于多种中高电压、中等电流的功率开关场景;例如工业控制、电源转换系统、电池管理系统、电机驱动、加热控制、汽车电子、LED 驱动与照明控制等。

库存：400000
起订量：25
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
25+ ￥1.7442 ￥1.836
200+ ￥1.6749 ￥1.763
400+ ￥1.6464 ￥1.733
600+ ￥1.6046 ￥1.689

合计：￥43.61

标准包装数量：2500

SDF04N65-VB 场效应管(MOSFET)

型号： SDF04N65-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-220F
描述：台积电流片，长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET，采用 Plannar 技术制造，具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F，适用于各种电源和功率控制应用。

台积电流片，长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET，采用 Plannar 技术制造，具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F，适用于各种电源和功率控制应用。

库存：400000
起订量：25
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
25+ ￥1.919 ￥2.02
150+ ￥1.8421 ￥1.939
300+ ￥1.8117 ￥1.907
500+ ￥1.7651 ￥1.858

合计：￥47.98

标准包装数量：1000

UTT18P10L-VB 场效应管(MOSFET)

型号： UTT18P10L-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-220
描述：台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO220适用于DC-DC转换器中的高边开关、电机驱动、电源管理电路等传统工业与车载应用。

台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO220适用于DC-DC转换器中的高边开关、电机驱动、电源管理电路等传统工业与车载应用。

库存：40000
起订量：20
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
20+ ￥2.0938 ￥2.204
150+ ￥2.0102 ￥2.116
300+ ￥1.976 ￥2.08
500+ ￥1.9257 ￥2.027

合计：￥41.88

标准包装数量：1000

IRF3704LPBF-VB 场效应管(MOSFET)

型号： IRF3704LPBF-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-262F
描述：台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=20V;ID =95A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=7mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=0.5~1.5V;可以用于电动汽车的电池管理系统、电机控制器以及充电系统,确保高效的能量转换和可靠的电源输出。

台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=20V;ID =95A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=7mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=0.5~1.5V;可以用于电动汽车的电池管理系统、电机控制器以及充电系统,确保高效的能量转换和可靠的电源输出。

库存：400000
起订量：20
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
20+ ￥2.2686 ￥2.388
150+ ￥2.1774 ￥2.292
300+ ￥2.1413 ￥2.254
500+ ￥2.0872 ￥2.197

合计：￥45.37

标准包装数量：1000

9120GH-VB 场效应管(MOSFET)

型号： 9120GH-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-252
描述：台积电流片，长电封测。TO252；P沟道；VDS=-200V；ID =-3.6A；RDS(ON)=1160mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=1392mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-2.5V；适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子和工业自动化等，为各种应用提供可靠的性能和稳定性。

台积电流片，长电封测。TO252；P沟道；VDS=-200V；ID =-3.6A；RDS(ON)=1160mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=1392mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-2.5V；适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子和工业自动化等，为各种应用提供可靠的性能和稳定性。

库存：400000
起订量：20
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
20+ ￥2.5546 ￥2.689
150+ ￥2.471 ￥2.601
300+ ￥2.4083 ￥2.535
500+ ￥2.3665 ￥2.491

合计：￥51.09

标准包装数量：2500

SiHF9640S-VB 场效应管(MOSFET)

型号： SiHF9640S-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-263
描述：台积电流片，长电封测。TO263；P沟道；VDS=-200V；ID =-11A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=600mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-3.5V；适用于多个领域和模块，可提供稳定、高效的电源开关和驱动功能，是一款性能优异的MOSFET产品。

台积电流片，长电封测。TO263；P沟道；VDS=-200V；ID =-11A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=600mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-3.5V；适用于多个领域和模块，可提供稳定、高效的电源开关和驱动功能，是一款性能优异的MOSFET产品。

库存：400000
起订量：15
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
15+ ￥3.4048 ￥3.584
100+ ￥3.2937 ￥3.467
200+ ￥3.2101 ￥3.379
300+ ￥3.154 ￥3.32

合计：￥51.07

标准包装数量：800

SWF634-VB 场效应管(MOSFET)

型号： SWF634-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-220F
描述：台积电流片，长电封测。TO220F；N沟道；VDS=250V；ID=16A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；适用于需要高功率、高电压和高效能量转换的应用，包括电源模块、电机控制模块和电源逆变模块等领域。

台积电流片，长电封测。TO220F；N沟道；VDS=250V；ID=16A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；适用于需要高功率、高电压和高效能量转换的应用，包括电源模块、电机控制模块和电源逆变模块等领域。

库存：400000
起订量：15
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
15+ ￥3.4048 ￥3.584
100+ ￥3.2937 ￥3.467
200+ ￥3.2101 ￥3.379
300+ ￥3.154 ￥3.32

合计：￥51.07

标准包装数量：1000

F3N08L-VB 场效应管(MOSFET)

型号： F3N08L-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-251
描述：台积电流片，长电封测。一款具有高性能的单通道 N 型 MOSFET，具有 80V 的饱和漏源电压和标准的 ±20V 门源电压范围。其阈值电压为 3V，漏极-源极导通电阻在不同的门源电压下分别为 9mΩ（当 VGS=4.5V）和 6mΩ（当 VGS=10V），最大漏极电流为 75A。采用了 Trench 沟道技术，封装为 TO251。并具有较低的导通损耗，使电源模块具有高效率和可靠性。

台积电流片，长电封测。一款具有高性能的单通道 N 型 MOSFET，具有 80V 的饱和漏源电压和标准的 ±20V 门源电压范围。其阈值电压为 3V，漏极-源极导通电阻在不同的门源电压下分别为 9mΩ（当 VGS=4.5V）和 6mΩ（当 VGS=10V），最大漏极电流为 75A。采用了 Trench 沟道技术，封装为 TO251。并具有较低的导通损耗，使电源模块具有高效率和可靠性。

库存：400000
起订量：15
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
15+ ￥3.7459 ￥3.943
100+ ￥3.6233 ￥3.814
200+ ￥3.5312 ￥3.717
300+ ￥3.4694 ￥3.652

合计：￥56.19

标准包装数量：4000

IRL2910STRLPBF-VB 场效应管(MOSFET)

型号： IRL2910STRLPBF-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-263
描述：台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO263适用于低压大电流直流电机驱动、汽车电子系统中的负载驱动、工业自动化与电源控制模块等。

台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO263适用于低压大电流直流电机驱动、汽车电子系统中的负载驱动、工业自动化与电源控制模块等。

库存：40000
起订量：15
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
15+ ￥3.7459 ￥3.943
100+ ￥3.6233 ￥3.814
200+ ￥3.5312 ￥3.717
300+ ￥3.4694 ￥3.652

合计：￥56.19

标准包装数量：800

BSC019N06NS-VB 场效应管(MOSFET)

型号： BSC019N06NS-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：DFN-8
描述：台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道,60V;180A;RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=2V;适用于高功率密度、大电流、高效率的应用场景;例如电压调节模块、大功率电机驱动、逆变器、服务器/数据中心电源中的同步整流等。

台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道,60V;180A;RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=2V;适用于高功率密度、大电流、高效率的应用场景;例如电压调节模块、大功率电机驱动、逆变器、服务器/数据中心电源中的同步整流等。

库存：400000
起订量：10
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
10+ ￥4.0603 ￥4.274
100+ ￥3.9273 ￥4.134
200+ ￥3.8266 ￥4.028
300+ ￥3.7601 ￥3.958

合计：￥40.60

标准包装数量：5000

IRF2807L-VB 场效应管(MOSFET)

型号： IRF2807L-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-262
描述：台积电流片，长电封测。TO262；N沟道；VDS=80V；ID =85A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=3V；可以用于驱动和控制各种电机、阀门和执行器，帮助实现自动化生产线的高效运行和精确控制。

台积电流片，长电封测。TO262；N沟道；VDS=80V；ID =85A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=3V；可以用于驱动和控制各种电机、阀门和执行器，帮助实现自动化生产线的高效运行和精确控制。

库存：400000
起订量：10
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
10+ ￥4.257 ￥4.481
100+ ￥4.1173 ￥4.334
200+ ￥4.0128 ￥4.224
300+ ￥3.9425 ￥4.15

合计：￥42.57

标准包装数量：1000

10N75G-TA3-T-VB 场效应管(MOSFET)

型号： 10N75G-TA3-T-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-220
描述：台积电流片，长电封测。TO220；N沟道；VDS=700V；ID =12A；RDS(ON)=870mΩ@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；适用于太阳能光伏逆变器中的功率开关模块，提高系统的转换效率和稳定性，实现太阳能能源的高效利用。

台积电流片，长电封测。TO220；N沟道；VDS=700V；ID =12A；RDS(ON)=870mΩ@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；适用于太阳能光伏逆变器中的功率开关模块，提高系统的转换效率和稳定性，实现太阳能能源的高效利用。

库存：400000
起订量：10
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
10+ ￥4.257 ￥4.481
100+ ￥4.1173 ￥4.334
200+ ￥4.0128 ￥4.224
300+ ￥3.9425 ￥4.15

合计：￥42.57

标准包装数量：1000

VBGQA1602 场效应管(MOSFET)

型号： VBGQA1602
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：DFN-8
描述：台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道,60V;180A;RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=2V;适用于高功率密度、大电流、高效率的应用场景;例如电压调节模块、大功率电机驱动、逆变器、服务器/数据中心电源中的同步整流等。

台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道,60V;180A;RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=2V;适用于高功率密度、大电流、高效率的应用场景;例如电压调节模块、大功率电机驱动、逆变器、服务器/数据中心电源中的同步整流等。

库存：399950
起订量：10
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
10+ ￥4.257 ￥4.481
100+ ￥4.1173 ￥4.334
200+ ￥4.0128 ￥4.224
300+ ￥3.9425 ￥4.15

合计：￥42.57

标准包装数量：5000

AM7411P-VB 场效应管(MOSFET)

型号： AM7411P-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：DFN-8
描述：台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-45A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于工业电源、通信电源、智能配电系统和负载管理系统等。

台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-45A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于工业电源、通信电源、智能配电系统和负载管理系统等。

库存：400000
起订量：10
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
10+ ￥5.1082 ￥5.377
100+ ￥4.94 ￥5.2
200+ ￥4.8146 ￥5.068
300+ ￥4.731 ￥4.98

合计：￥51.08

标准包装数量：5000

IRFS3307Z-VB 场效应管(MOSFET)

型号： IRFS3307Z-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-263
描述：台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,80V,230A,RDS(ON)=3.1mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=3V;具有超大电流承载能力和优异的热管理特性;适用于风力发电系统、电动垂直起降飞行器、服务器电源等。

台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,80V,230A,RDS(ON)=3.1mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=3V;具有超大电流承载能力和优异的热管理特性;适用于风力发电系统、电动垂直起降飞行器、服务器电源等。

库存：400000
起订量：10
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
10+ ￥5.1082 ￥5.377
100+ ￥4.94 ￥5.2
200+ ￥4.8146 ￥5.068
300+ ￥4.731 ￥4.98

合计：￥51.08

标准包装数量：800

HY1620P-VB 场效应管(MOSFET)

型号： HY1620P-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-220FB-3L
描述： N—Channel沟道,200V,50A,RDS(ON),36mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V) 封装：TO-220FB-3L

N—Channel沟道,200V,50A,RDS(ON),36mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V) 封装：TO-220FB-3L

库存：400000
起订量：10
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

4-6工作日
10+ ￥6.8106 ￥7.169
50+ ￥6.5873 ￥6.934
100+ ￥6.4192 ￥6.757
200+ ￥6.308 ￥6.64

合计：￥68.11

标准包装数量：1000

IXFX32N80P-VB 场效应管(MOSFET)

型号： IXFX32N80P-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：TO-247
描述：台积电流片，长电封测。TO247；N沟道；VDS=800V；ID =20A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；在可再生能源领域，该器件可用于太阳能逆变器中的功率开关模块，将太阳能转换为可用的交流电能，推动清洁能源发展。

台积电流片，长电封测。TO247；N沟道；VDS=800V；ID =20A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；在可再生能源领域，该器件可用于太阳能逆变器中的功率开关模块，将太阳能转换为可用的交流电能，推动清洁能源发展。

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{{ item['title'] || item['pro_sno'] || "--" }} {{item.cate_name}}

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