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RYU002N05T306 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RYU002N05T306
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: N沟道 60V 0.3A 2Ω@10V SC70-3
    N沟道 60V 0.3A 2Ω@10V SC70-3
  • 库   存:129
  • 起订量:56
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 56+ ¥0.1285
合计:¥7.20
标准包装数量:3000

AO3407 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3407
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT-23-3
    P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT-23-3
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.145
合计:¥0.15
标准包装数量:3000

BVSS138LT1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BVSS138LT1G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:967
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.245
  • 100+ ¥0.21
  • 300+ ¥0.1838
  • 1000+ ¥0.1547
  • 5000+ ¥0.147
合计:¥2.45
标准包装数量:3000

AO6405 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO6405
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
    P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:2516
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.35
  • 100+ ¥0.3
  • 300+ ¥0.28
  • 1000+ ¥0.25
  • 2000+ ¥0.24
合计:¥3.50
标准包装数量:3000

IRLR7821TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR7821TRPBF
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:49
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.55
  • 100+ ¥0.53
  • 300+ ¥0.5
  • 500+ ¥0.475
合计:¥5.50
标准包装数量:2500

ZXMP3A16GTA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMP3A16GTA
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: P沟道 -35V -6.2A 50mΩ@-10V SOT223
    P沟道 -35V -6.2A 50mΩ@-10V SOT223
  • 库   存:2205
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.6
  • 50+ ¥0.55
  • 150+ ¥0.533
  • 500+ ¥0.5
合计:¥7.80
标准包装数量:2500

STD30NF04LT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD30NF04LT
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 40V 55A 13mΩ@10V TO252
    N沟道 40V 55A 13mΩ@10V TO252
  • 库   存:2475
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7
  • 100+ ¥0.65
  • 200+ ¥0.55
  • 1000+ ¥0.5
合计:¥7.00
标准包装数量:2500

AO4407A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4407A
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 -30V -11.6A 12.5mΩ@-10V SOP8
    P沟道 -30V -11.6A 12.5mΩ@-10V SOP8
  • 库   存:443
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7
  • 50+ ¥0.64
  • 300+ ¥0.6
合计:¥7.00
标准包装数量:4000

AOD4184 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD4184
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 40V 85A 5mΩ@10V TO-252
    N沟道 40V 85A 5mΩ@10V TO-252
  • 库   存:22
  • 起订量:7
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1
  • 10+ ¥0.9
  • 100+ ¥0.8
  • 300+ ¥0.75
合计:¥7.00
标准包装数量:2500

NTD3055L170T4G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD3055L170T4G
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
    N沟道 60V 18.2A 73mΩ@10V TO-252
  • 库   存:4993
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.1
  • 50+ ¥1
  • 150+ ¥0.95
  • 1000+ ¥0.93
合计:¥1.10
标准包装数量:2500

2SJ327-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SJ327-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-20A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TO251在高可靠性、高效率的工业与自动化场景中被广泛应用;如安全制动控制、电池隔离保护、辅助电源管理、高侧电源开关等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-20A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:TO251在高可靠性、高效率的工业与自动化场景中被广泛应用;如安全制动控制、电池隔离保护、辅助电源管理、高侧电源开关等。
  • 库   存:1569
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.2
  • 10+ ¥1.1
  • 30+ ¥1
  • 100+ ¥0.95
  • 500+ ¥0.9
合计:¥1.20
标准包装数量:80

IRFU210PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFU210PBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,320mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO251
    N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,320mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:199
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.9658
  • 10+ ¥1.7913
  • 100+ ¥1.5647
合计:¥1.97
标准包装数量:1

VBFB1630 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBFB1630
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,35A,RDS(ON),32mΩ@10V,37mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V),封装:TO251适用于电机驱动、负载开关、电源路径管理、紧凑型电源适配器、工业与汽车辅助系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,35A,RDS(ON),32mΩ@10V,37mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V),封装:TO251适用于电机驱动、负载开关、电源路径管理、紧凑型电源适配器、工业与汽车辅助系统。
  • 库   存:299
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2
  • 10+ ¥1.8086
  • 30+ ¥1.5825
  • 100+ ¥1.3326
合计:¥2.00
标准包装数量:80

IRF9530NS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9530NS-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-12A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO263具有封装兼容性好、参数对标精准、导通电阻低的特性,适用于多种需要高压侧开关、电源路径管理或保护控制的场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-12A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO263具有封装兼容性好、参数对标精准、导通电阻低的特性,适用于多种需要高压侧开关、电源路径管理或保护控制的场景。
  • 库   存:499
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.3
  • 10+ ¥2.1
  • 30+ ¥1.9
  • 100+ ¥1.88
  • 300+ ¥1.78
合计:¥2.30
标准包装数量:800

CEB75N10-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CEB75N10-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263 可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263 可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
  • 库   存:99
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3
  • 10+ ¥2.6
  • 30+ ¥2.45
  • 50+ ¥2.2
合计:¥3.30
标准包装数量:50

PMPB55XNEAX-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMPB55XNEAX-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:QFN-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:QFN6(2X2)场效应管适用于多种对空间、效率与可靠性有要求的电子系统,如便携式/紧凑型设备中的负载开关、高频DC-DC转换器、电源管理等场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:QFN6(2X2)场效应管适用于多种对空间、效率与可靠性有要求的电子系统,如便携式/紧凑型设备中的负载开关、高频DC-DC转换器、电源管理等场景。
  • 库   存:348
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.1298
  • 10+ ¥2.7942
  • 30+ ¥2.4463
合计:¥4.13
标准包装数量:3000

AOB414 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOB414
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 3.1W 1个N沟道 100V 0.020Ω(typ) VGS = 10 V,ID = 11 A 70A TO-263 贴片安装
    3.1W 1个N沟道 100V 0.020Ω(typ) VGS = 10 V,ID = 11 A 70A TO-263 贴片安装
  • 库   存:99
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.2014
  • 10+ ¥4.0311
  • 100+ ¥3.8244
  • 500+ ¥3.6378
  • 1000+ ¥3.5094
合计:¥4.20
标准包装数量:1

VBE2625 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBE2625
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
    P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
  • 库   存:2166
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.1042
  • 10+ ¥4.1246
  • 30+ ¥3.6455
  • 100+ ¥3.1593
  • 500+ ¥2.7015
  • 1000+ ¥2.5518
合计:¥5.10
标准包装数量:2500

VBZE50P06 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZE50P06
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
    P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
  • 库   存:4379
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.8
  • 10+ ¥4.5
  • 30+ ¥3.9
  • 100+ ¥3.3
  • 500+ ¥3.1
  • 2500+ ¥2.8
合计:¥5.80
标准包装数量:2500

IRFP264PBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP264PBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道,250V;60A;RDS(ON)=39mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
    TO247;N—Channel沟道,250V;60A;RDS(ON)=39mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
  • 库   存:49
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.1224
  • 10+ ¥11.6309
  • 100+ ¥11.0345
  • 500+ ¥10.4962
  • 500+ ¥10.4962
合计:¥12.12
标准包装数量:30
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