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2SJ501-TB-E-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SJ501-TB-E-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),65mΩ@4.5V,80mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.8Vth(V) 封装:SOT23-3适用于电源管理模块,便携式/电池供电设备,电动工具与家用电器,LED照明驱动,工业控制与通信设备等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),65mΩ@4.5V,80mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.8Vth(V) 封装:SOT23-3适用于电源管理模块,便携式/电池供电设备,电动工具与家用电器,LED照明驱动,工业控制与通信设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:240
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 240+ ¥0.2613 ¥0.275
  • 720+ ¥0.2508 ¥0.264
  • 2160+ ¥0.247 ¥0.26
  • 3240+ ¥0.2404 ¥0.253
合计:¥62.71
标准包装数量:3000

PMN34LN,135-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMN34LN,135-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),26mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于便携式电子设备电源管理,负载开关与电源通断控制,小型电机驱动,电池保护电路等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),26mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于便携式电子设备电源管理,负载开关与电源通断控制,小型电机驱动,电池保护电路等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:90
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 90+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 270+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 810+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1215+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥62.85
标准包装数量:3000

CPH6413-TL-E-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CPH6413-TL-E-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),26mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于便携式电子设备电源管理,负载开关与电源通断控制,小型电机驱动,电池保护电路等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),26mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT23-6适用于便携式电子设备电源管理,负载开关与电源通断控制,小型电机驱动,电池保护电路等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:90
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 90+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 270+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 810+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1215+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥62.85
标准包装数量:3000

2SK3293-TD-E-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK3293-TD-E-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5.5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT89-3适用于电源管理,工业自动化与通信设备,汽车应急启动设备等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5.5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT89-3适用于电源管理,工业自动化与通信设备,汽车应急启动设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:80
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 80+ ¥0.7847 ¥0.826
  • 480+ ¥0.7534 ¥0.793
  • 1440+ ¥0.741 ¥0.78
  • 2160+ ¥0.722 ¥0.76
合计:¥62.78
标准包装数量:1000

SI125P06L-TP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI125P06L-TP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),50mΩ@10V,52mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOT23-3适用于负载开关与电源路径管理,电平转换与信号隔离,医疗电子与传感器接口,AI与氢能混合储能系统中的安全隔离等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),50mΩ@10V,52mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOT23-3适用于负载开关与电源路径管理,电平转换与信号隔离,医疗电子与传感器接口,AI与氢能混合储能系统中的安全隔离等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥1.046 ¥1.101
  • 360+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 1080+ ¥0.988 ¥1.04
  • 1620+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥62.76
标准包装数量:3000

PHD78NQ03LT,118-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHD78NQ03LT,118-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,20V,100A,RDS(ON),4.5mΩ@4.5V,6mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:TO252适用于低压大电流、低导通损耗敏感的开关与同步整流场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,20V,100A,RDS(ON),4.5mΩ@4.5V,6mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:TO252适用于低压大电流、低导通损耗敏感的开关与同步整流场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.5704 ¥1.653
  • 240+ ¥1.5067 ¥1.586
  • 720+ ¥1.482 ¥1.56
  • 1080+ ¥1.444 ¥1.52
合计:¥62.82
标准包装数量:2500

TK60P03M1,RQ(S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TK60P03M1,RQ(S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);1.83Vth(V)封装:TO252适用于低压大电流同步整流、DC-DC 转换主开关、电机驱动及高可靠负载开关场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);1.83Vth(V)封装:TO252适用于低压大电流同步整流、DC-DC 转换主开关、电机驱动及高可靠负载开关场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.6578 ¥1.745
  • 230+ ¥1.5913 ¥1.675
  • 690+ ¥1.5647 ¥1.647
  • 1035+ ¥1.5248 ¥1.605
合计:¥66.31
标准包装数量:2500

IPD030N03LF2SATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD030N03LF2SATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO252适用于低压大电流、高能效开关与电源转换场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO252适用于低压大电流、高能效开关与电源转换场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥1.919 ¥2.02
  • 200+ ¥1.8421 ¥1.939
  • 600+ ¥1.8117 ¥1.907
  • 900+ ¥1.7651 ¥1.858
合计:¥67.17
标准包装数量:2500

TJ20A10M3(STA4,Q-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TJ20A10M3(STA4,Q-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-23A,RDS(ON),100mΩ@10V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO220F适用于汽车电子高边开关、工业电源管理及中大功率负载控制场景。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-23A,RDS(ON),100mΩ@10V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO220F适用于汽车电子高边开关、工业电源管理及中大功率负载控制场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 450+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 675+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥63.87
标准包装数量:1000

TPH4R003NL,L1Q-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TPH4R003NL,L1Q-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,50A,RDS(ON),4mΩ@10V,6.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装DFN8(5X6)适用于低压、大电流、高效率、高功率密度的同步整流或负载开关场景;例如电磁灶、按摩椅、机器人等设备中的多路低压负载智能控制,利用其低导通损耗与紧凑封装实现高密度集成。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,50A,RDS(ON),4mΩ@10V,6.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装DFN8(5X6)适用于低压、大电流、高效率、高功率密度的同步整流或负载开关场景;例如电磁灶、按摩椅、机器人等设备中的多路低压负载智能控制,利用其低导通损耗与紧凑封装实现高密度集成。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 450+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 675+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥63.87
标准包装数量:5000

AG511EGH7FRATCB-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AG511EGH7FRATCB-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-45A,RDS(ON),12mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:DFN8(3X3)适用于对高效率、大电流、小尺寸和高可靠性有严格要求的场景;如游戏机、工业摄像头、汽车影音功放、智能家电等。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-45A,RDS(ON),12mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:DFN8(3X3)适用于对高效率、大电流、小尺寸和高可靠性有严格要求的场景;如游戏机、工业摄像头、汽车影音功放、智能家电等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.7237 ¥2.867
  • 140+ ¥2.6344 ¥2.773
  • 420+ ¥2.5679 ¥2.703
  • 630+ ¥2.5232 ¥2.656
合计:¥68.09
标准包装数量:5000

RD3L08DBKHRBTL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RD3L08DBKHRBTL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,97A,RDS(ON),4.5,mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO252适用于中低压大电流、对效率与温升敏感的中高功率开关场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,97A,RDS(ON),4.5,mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO252适用于中低压大电流、对效率与温升敏感的中高功率开关场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 120+ ¥2.964 ¥3.12
  • 360+ ¥2.889 ¥3.041
  • 540+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥61.29
标准包装数量:2500

2SK3060-Z-E1-AZ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK3060-Z-E1-AZ-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO263由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO263由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 120+ ¥2.964 ¥3.12
  • 360+ ¥2.889 ¥3.041
  • 540+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥61.29
标准包装数量:800

IAUZN10S7L289ATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IAUZN10S7L289ATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道;100V,35.5A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:DFN8(3X3)具备低导通损耗、高电流能力、良好开关性能和紧凑封装等特点,适用于多种对效率、功率密度和可靠性要求较高的场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道;100V,35.5A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:DFN8(3X3)具备低导通损耗、高电流能力、良好开关性能和紧凑封装等特点,适用于多种对效率、功率密度和可靠性要求较高的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥4.257 ¥4.481
  • 90+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 270+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 405+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥63.86
标准包装数量:5000

BUK753R1-40B,127-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK753R1-40B,127-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=40V;ID =160A;RDS(ON)3mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于服务器供电和机器人驱动系统。
    台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=40V;ID =160A;RDS(ON)3mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于服务器供电和机器人驱动系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥4.257 ¥4.481
  • 90+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 270+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 405+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥63.86
标准包装数量:1000

TK10P60W,RVQ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TK10P60W,RVQ-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;600V;10A;RDS(ON)=470mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于电动工具中的电机驱动控制模块,如电动钻、电动锤等,提供稳定可靠的功率输出,增强工具的性能和使用寿命。
    台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;600V;10A;RDS(ON)=470mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于电动工具中的电机驱动控制模块,如电动钻、电动锤等,提供稳定可靠的功率输出,增强工具的性能和使用寿命。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥4.9372 ¥5.197
  • 80+ ¥4.7757 ¥5.027
  • 240+ ¥4.6541 ¥4.899
  • 360+ ¥4.5733 ¥4.814
合计:¥74.06
标准包装数量:2500

SQJA42EP-T1_GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJA42EP-T1_GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:LFPAK-56
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,40V,150A,RDS(ON),0.7mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V);具备优异的热性能、抗浪涌能力和工业级可靠性;适用于新能源汽车电控系统、智能家电功率控制、工业自动化与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,40V,150A,RDS(ON),0.7mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V);具备优异的热性能、抗浪涌能力和工业级可靠性;适用于新能源汽车电控系统、智能家电功率控制、工业自动化与电机驱动等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

NTMJS1D4N06CLTWG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMJS1D4N06CLTWG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:LFPAK-56
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的N沟道MOSFET,60V,270A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V);适用于对高效率、高功率密度、高可靠性 要求严苛的场景;如在伺服驱动器、数据中心电源、新能源汽车OBC中用作主开关或同步整流管等。
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的N沟道MOSFET,60V,270A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V);适用于对高效率、高功率密度、高可靠性 要求严苛的场景;如在伺服驱动器、数据中心电源、新能源汽车OBC中用作主开关或同步整流管等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 80+ ¥4.94 ¥5.2
  • 240+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 360+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥76.62
标准包装数量:5000

SIHB155N60EF-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB155N60EF-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于高压侧开关、功率因数校正等中功率高压场景。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于高压侧开关、功率因数校正等中功率高压场景。
  • 库   存:30000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.8584 ¥8.272
  • 50+ ¥7.6 ¥8
  • 150+ ¥7.4072 ¥7.797
  • 225+ ¥7.278 ¥7.661
合计:¥78.58
标准包装数量:800

IPP095N20NM6AKSA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPP095N20NM6AKSA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,100A,RDS(ON),7.6mΩ@10V,20Vgs(±V);4Vth(V)封装:TO220适用于高效率、高功率密度、快速动态响应有严格要求的场景;如工业电机驱动、伺服系统、UPS、太阳能逆变器、通信电源、新能源升压/降压电路等场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,100A,RDS(ON),7.6mΩ@10V,20Vgs(±V);4Vth(V)封装:TO220适用于高效率、高功率密度、快速动态响应有严格要求的场景;如工业电机驱动、伺服系统、UPS、太阳能逆变器、通信电源、新能源升压/降压电路等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥10.2154 ¥10.753
  • 40+ ¥9.881 ¥10.401
  • 120+ ¥9.6292 ¥10.136
  • 120+ ¥9.6292 ¥10.136
合计:¥102.15
标准包装数量:1000
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