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AO4408 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4408
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N沟道 20V 12A 12mΩ@10V SO-8
    N沟道 20V 12A 12mΩ@10V SO-8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7157 ¥0.9175
合计:¥3.58
标准包装数量:4000

DMP3130LQ-7-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3130LQ-7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的SingleP系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
    台积电流片,长电封测。VBsemi的SingleP系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
  • 库   存:40000
  • 起订量:130
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 130+ ¥0.3135 ¥0.33
  • 390+ ¥0.3012 ¥0.317
  • 780+ ¥0.2964 ¥0.312
  • 1200+ ¥0.2888 ¥0.304
合计:¥40.76
标准包装数量:3000

AM3520C-T1-PF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AM3520C-T1-PF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±20V,5.5/-3.4A,RDS(ON),22/55mΩ@10V,30/79mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.0/-1.2Vth(V)封装:SOT23-6适用于多种需要高集成度、低导通电阻、小尺寸的功率与信号控制场景;例如便携式电子设备、负载开关、电源路径选择、信号切换与电平转换等。
    台积电流片,长电封测。N+P沟道,±20V,5.5/-3.4A,RDS(ON),22/55mΩ@10V,30/79mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.0/-1.2Vth(V)封装:SOT23-6适用于多种需要高集成度、低导通电阻、小尺寸的功率与信号控制场景;例如便携式电子设备、负载开关、电源路径选择、信号切换与电平转换等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥0.6983 ¥0.735
  • 450+ ¥0.6707 ¥0.706
  • 900+ ¥0.6593 ¥0.694
  • 1400+ ¥0.6422 ¥0.676
合计:¥41.90
标准包装数量:3000

ZXMN10B08E6QTA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN10B08E6QTA-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,3.2A,RDS(ON),95mΩ@10V,102mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOT23-6具有低导通电阻、高电流能力和优异的低压驱动性能;适用于高压低电流开关控制,便携式高压设备电源管理,LED照明驱动电路,AI无人机平台中的安全隔离与备份电源控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,3.2A,RDS(ON),95mΩ@10V,102mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOT23-6具有低导通电阻、高电流能力和优异的低压驱动性能;适用于高压低电流开关控制,便携式高压设备电源管理,LED照明驱动电路,AI无人机平台中的安全隔离与备份电源控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:80
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 80+ ¥0.7847 ¥0.826
  • 480+ ¥0.7534 ¥0.793
  • 1440+ ¥0.741 ¥0.78
  • 2160+ ¥0.722 ¥0.76
合计:¥62.78
标准包装数量:3000

IRFL024NTRPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL024NTRPBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,4.5A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT-223适用于中低压、中小功率的开关与控制应用中;如小功率电机驱动、便携式电子产品、信号切换、LED驱动与照明控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,4.5A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOT-223适用于中低压、中小功率的开关与控制应用中;如小功率电机驱动、便携式电子产品、信号切换、LED驱动与照明控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:2500

FDS6612A-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS6612A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),16mΩ@10V,29mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通电阻、低阈值电压、无卤环保等特点;适用于笔记本电脑负载开关、低电流 DC-DC 转换器、智能节点电源管理、热插拔控制、LED 驱动与电机驱动等场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),16mΩ@10V,29mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通电阻、低阈值电压、无卤环保等特点;适用于笔记本电脑负载开关、低电流 DC-DC 转换器、智能节点电源管理、热插拔控制、LED 驱动与电机驱动等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:60
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 60+ ¥1.046 ¥1.101
  • 360+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 1080+ ¥0.988 ¥1.04
  • 1620+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥62.76
标准包装数量:4000

6N10L-TN3-R-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 6N10L-TN3-R-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,15A,RDS(ON),114mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252适用于开关电源,电机驱动,负载开关与电源路径管理等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,15A,RDS(ON),114mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252适用于开关电源,电机驱动,负载开关与电源路径管理等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.5704 ¥1.653
  • 200+ ¥1.5067 ¥1.586
  • 400+ ¥1.482 ¥1.56
  • 600+ ¥1.444 ¥1.52
合计:¥47.11
标准包装数量:2500

2N65ZL-TM3-T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N65ZL-TM3-T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:4000

RJK0368DPA-WS#J0-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RJK0368DPA-WS#J0-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于低压大电流、高功率密度及高频开关场景;例如高性能计算供电、大电流负载开关、高密度 DC-DC 同步整流、电池保护与电源管理等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于低压大电流、高功率密度及高频开关场景;例如高性能计算供电、大电流负载开关、高密度 DC-DC 同步整流、电池保护与电源管理等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥2.0938 ¥2.204
  • 180+ ¥2.0102 ¥2.116
  • 540+ ¥1.976 ¥2.08
  • 810+ ¥1.9257 ¥2.027
合计:¥62.81
标准包装数量:5000

RJK0395DPA-WS#J53-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RJK0395DPA-WS#J53-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,45A,RDS(ON),4.4mΩ@10V,5.3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于低压大电流、高功率密度、需直接由逻辑电平驱动的同步整流与负载点电源场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,45A,RDS(ON),4.4mΩ@10V,5.3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于低压大电流、高功率密度、需直接由逻辑电平驱动的同步整流与负载点电源场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 450+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 675+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥63.87
标准包装数量:5000

FQPF10N20C-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQPF10N20C-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥2.5546 ¥2.689
  • 150+ ¥2.471 ¥2.601
  • 300+ ¥2.4083 ¥2.535
  • 500+ ¥2.3665 ¥2.491
合计:¥51.09
标准包装数量:1000

HFP634-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HFP634-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,250V,14A,RDS(ON),190mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于电磁阀、接触器、小型电机等负载的PWM控制或软启动,尤其在工业自动化、蒸汽管网智能控制系统中使用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,250V,14A,RDS(ON),190mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于电磁阀、接触器、小型电机等负载的PWM控制或软启动,尤其在工业自动化、蒸汽管网智能控制系统中使用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

WFP634-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: WFP634-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,250V,14A,RDS(ON),190mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于电磁阀、接触器、小型电机等负载的PWM控制或软启动,尤其在工业自动化、蒸汽管网智能控制系统中使用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,250V,14A,RDS(ON),190mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于电磁阀、接触器、小型电机等负载的PWM控制或软启动,尤其在工业自动化、蒸汽管网智能控制系统中使用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

2SK1667-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK1667-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,250V,14A,RDS(ON),190mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于电磁阀、接触器、小型电机等负载的PWM控制或软启动,尤其在工业自动化、蒸汽管网智能控制系统中使用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,250V,14A,RDS(ON),190mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于电磁阀、接触器、小型电机等负载的PWM控制或软启动,尤其在工业自动化、蒸汽管网智能控制系统中使用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

RJK03M0DPA-WS#J5A-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RJK03M0DPA-WS#J5A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于低压大电流、高功率密度及高效率开关场景,典型包括同步整流 DC-DC 转换、电机驱动、负载开关及电源保护电路。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于低压大电流、高功率密度及高效率开关场景,典型包括同步整流 DC-DC 转换、电机驱动、负载开关及电源保护电路。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 120+ ¥2.964 ¥3.12
  • 360+ ¥2.889 ¥3.041
  • 540+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥61.29
标准包装数量:5000

AM90N03-06B-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AM90N03-06B-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,150A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO263具有极低导通电阻和高电流承载能力,适用于对效率、功率密度和热管理要求严苛的中低压大电流场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,150A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO263具有极低导通电阻和高电流承载能力,适用于对效率、功率密度和热管理要求严苛的中低压大电流场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.0647 ¥3.226
  • 100+ ¥2.964 ¥3.12
  • 200+ ¥2.889 ¥3.041
  • 300+ ¥2.8386 ¥2.988
合计:¥45.97
标准包装数量:800

STW28NM60ND-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STW28NM60ND-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,600V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247由于其适中的漏-源电压和漏极电流能力,适用于中小功率的电源模块,如开关电源和稳压电源。
    台积电流片,长电封测。N沟道,600V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247由于其适中的漏-源电压和漏极电流能力,适用于中小功率的电源模块,如开关电源和稳压电源。
  • 库   存:40000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IRFPE50PBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFPE50PBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道;850V;10A;RDS(ON)=1150mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.3V;
    TO247;N—Channel沟道;850V;10A;RDS(ON)=1150mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.3V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IXTH50N25T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IXTH50N25T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: N-Channel 250V(D-S)175°C MOSFET,60A, RDS(ON)0.040mΩ@10V,±30Vgs(±V);Vth=2-4V;封装TO247
    N-Channel 250V(D-S)175°C MOSFET,60A, RDS(ON)0.040mΩ@10V,±30Vgs(±V);Vth=2-4V;封装TO247
  • 库   存:30000
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  • 200+ ¥10.1897 ¥10.726
合计:¥55.01
标准包装数量:300

FMH20N60S1FD-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FMH20N60S1FD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种电力电子模块,如逆变器、整流器和电源开关,可用于工业控制、电力传输和能源转换等领域。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种电力电子模块,如逆变器、整流器和电源开关,可用于工业控制、电力传输和能源转换等领域。
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