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STP80NF10 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STP80NF10
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:34
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.3875 ¥3.0609
合计:¥11.94
标准包装数量:1000

NTE7002NT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTE7002NT1G-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-75-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,20V,0.85A,RDS(ON),270mΩ@4.5V,390mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SC-75-3适用于低电压、小电流、空间受限 的应用场景。如智能充电器,便携式/物联网设备,传感器模块等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,20V,0.85A,RDS(ON),270mΩ@4.5V,390mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SC-75-3适用于低电压、小电流、空间受限 的应用场景。如智能充电器,便携式/物联网设备,传感器模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:95
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 95+ ¥0.4361 ¥0.459
  • 285+ ¥0.418 ¥0.44
  • 570+ ¥0.4114 ¥0.433
  • 900+ ¥0.4009 ¥0.422
合计:¥41.43
标准包装数量:3000

K2035-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: K2035-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-75-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,20V,0.85A,RDS(ON),270mΩ@4.5V,390mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SC-75-3适用于低电压、小电流、空间受限 的应用场景。如智能充电器,便携式/物联网设备,传感器模块等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,20V,0.85A,RDS(ON),270mΩ@4.5V,390mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SC-75-3适用于低电压、小电流、空间受限 的应用场景。如智能充电器,便携式/物联网设备,传感器模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:95
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 95+ ¥0.4361 ¥0.459
  • 285+ ¥0.418 ¥0.44
  • 570+ ¥0.4114 ¥0.433
  • 900+ ¥0.4009 ¥0.422
合计:¥41.43
标准包装数量:3000

SSM6N42FE-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SSM6N42FE-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SC-75-6
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N+N沟道,20V,0.6A,RDS(ON),300mΩ@4.5V,350mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SC75-6。
    台积电流片,长电封测。N+N沟道,20V,0.6A,RDS(ON),300mΩ@4.5V,350mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V)封装:SC75-6。
  • 库   存:400000
  • 起订量:80
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 80+ ¥0.5235 ¥0.551
  • 240+ ¥0.5026 ¥0.529
  • 480+ ¥0.494 ¥0.52
  • 800+ ¥0.4817 ¥0.507
合计:¥41.88
标准包装数量:3000

K4035-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: K4035-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,0.6A,RDS(ON),1400mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:SOT23-3适用于继电器、螺线管、指示灯、压电蜂鸣器等高压小电流负载的隔离驱动。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,0.6A,RDS(ON),1400mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:SOT23-3适用于继电器、螺线管、指示灯、压电蜂鸣器等高压小电流负载的隔离驱动。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:3000

2SK4035-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK4035-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,0.6A,RDS(ON),1400mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:SOT23-3适用于继电器、螺线管、指示灯、压电蜂鸣器等高压小电流负载的隔离驱动。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,0.6A,RDS(ON),1400mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:SOT23-3适用于继电器、螺线管、指示灯、压电蜂鸣器等高压小电流负载的隔离驱动。
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 40+ ¥1.046 ¥1.101
  • 300+ ¥1.0042 ¥1.057
  • 600+ ¥0.988 ¥1.04
  • 900+ ¥0.9624 ¥1.013
合计:¥41.84
标准包装数量:3000

STN1N20SPY-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STN1N20SPY-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOT-223-3
  • 描述: N—Channel沟道,200V,1A,RDS(ON),1100mΩ@10V,1350mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223-3
    N—Channel沟道,200V,1A,RDS(ON),1100mΩ@10V,1350mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223-3
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥1.3956 ¥1.469
  • 250+ ¥1.3395 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3177 ¥1.387
  • 800+ ¥1.2835 ¥1.351
合计:¥41.87
标准包装数量:2500

FDS2170N3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS2170N3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,200V,3A,RDS(ON),300mΩ@10V,360mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,200V,3A,RDS(ON),300mΩ@10V,360mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.7442 ¥1.836
  • 200+ ¥1.6749 ¥1.763
  • 400+ ¥1.6464 ¥1.733
  • 600+ ¥1.6046 ¥1.689
合计:¥43.61
标准包装数量:4000

IRL2910STRLPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL2910STRLPBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO263适用于低压大电流直流电机驱动、汽车电子系统中的负载驱动、工业自动化与电源控制模块等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO263适用于低压大电流直流电机驱动、汽车电子系统中的负载驱动、工业自动化与电源控制模块等。
  • 库   存:40000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 200+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 300+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥56.19
标准包装数量:800

VBN16R20S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBN16R20S
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-262
  • 描述: N—Channel沟道,600V,20A,RDS(ON),0.150Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO262
    N—Channel沟道,600V,20A,RDS(ON),0.150Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO262
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.6441 ¥9.099
  • 50+ ¥8.36 ¥8.8
  • 100+ ¥8.1482 ¥8.577
  • 200+ ¥8.0066 ¥8.428
合计:¥43.22
标准包装数量:1000

VBMB165R34S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBMB165R34S
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,650V,34A,RDS(ON),0.080Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,650V,34A,RDS(ON),0.080Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥16.9737 ¥17.867
  • 50+ ¥16.417 ¥17.281
  • 100+ ¥15.9999 ¥16.842
  • 200+ ¥15.7216 ¥16.549
合计:¥33.95
标准包装数量:1000

VBP165R64S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBP165R64S
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: N—Channel沟道,650V,64A,RDS(ON),0.036Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
    N—Channel沟道,650V,64A,RDS(ON),0.036Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
  • 库   存:30000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 1+ ¥31.4317 ¥33.086
  • 30+ ¥30.4019 ¥32.002
  • 60+ ¥29.6286 ¥31.188
  • 100+ ¥29.1137 ¥30.646
合计:¥31.43
标准包装数量:300

ISZ065N03L5SATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ISZ065N03L5SATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,40A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:DFN8(3X3)适用于低压、大电流、高效率的开关场景,尤其聚焦于同步整流、电机驱动与电源路径管理。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,40A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:DFN8(3X3)适用于低压、大电流、高效率的开关场景,尤其聚焦于同步整流、电机驱动与电源路径管理。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-8周
    内地交货(含增值税)
    5-9周
  • 20+ $0.5282 ¥4.4739
合计:¥22,369.50
标准包装数量:5000

BSZ037N06LS5ATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSZ037N06LS5ATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=60V;ID=30A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于中高功率密度、中频开关、注重导通效率与热管理的场景。
    台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=60V;ID=30A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于中高功率密度、中频开关、注重导通效率与热管理的场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-8周
    内地交货(含增值税)
    5-9周
  • 15+ $0.6922 ¥5.8629
合计:¥29,314.50
标准包装数量:5000

IAUC80N04S6L032ATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IAUC80N04S6L032ATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,40V,85A,RDS(ON)=3mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=3V,适用于高效率、高功率密度的低压大电流开关场景。
    台积电流片,长电封测。DFN5X6;N沟道,40V,85A,RDS(ON)=3mΩ@10V,VGS=±20V,VGS(th)=3V,适用于高效率、高功率密度的低压大电流开关场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-8周
    内地交货(含增值税)
    5-9周
  • 15+ $0.7786 ¥6.5947
合计:¥32,973.50
标准包装数量:5000

BSC100N06LS3GATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC100N06LS3GATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于对能效、功率密度、可靠性及供应链安全有较高要求的领域;如汽车电子系统、高密度电源模块、机器人与自动化系统等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于对能效、功率密度、可靠性及供应链安全有较高要求的领域;如汽车电子系统、高密度电源模块、机器人与自动化系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-8周
    内地交货(含增值税)
    5-9周
  • 15+ $0.865 ¥7.3266
合计:¥36,633.00
标准包装数量:5000

BSC0901NSIATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC0901NSIATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于需要超低导通损耗、高电流承载与高功率密度的低压大电流场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于需要超低导通损耗、高电流承载与高功率密度的低压大电流场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-8周
    内地交货(含增值税)
    5-9周
  • 15+ $0.865 ¥7.3266
合计:¥36,633.00
标准包装数量:5000

IQE004NE1LM7ATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IQE004NE1LM7ATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,20V,150A,RDS(ON),1.7mΩ@4.5V,1.9mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于低压、超大电流、高效率的同步整流与负载点转换场景。
    台积电流片,长电封测。N沟道,20V,150A,RDS(ON),1.7mΩ@4.5V,1.9mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.5~1.5Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于低压、超大电流、高效率的同步整流与负载点转换场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-8周
    内地交货(含增值税)
    5-9周
  • 15+ $0.865 ¥7.3266
合计:¥36,633.00
标准包装数量:5000

BSC097N06NSTATMA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC097N06NSTATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于对高效率、高功率密度、高可靠性有严格要求的场景;如同步整流电路,高密度 DC-DC 转换器,电机驱动与控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:DFN8(5X6)适用于对高效率、高功率密度、高可靠性有严格要求的场景;如同步整流电路,高密度 DC-DC 转换器,电机驱动与控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-8周
    内地交货(含增值税)
    5-9周
  • 10+ $1.0816 ¥9.1612
合计:¥45,806.00
标准包装数量:5000

STL210N4F7-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STL210N4F7-VB
  • 厂牌:VBsemi
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于需要低压大电流的电源管理和电机驱动地方。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,100A,RDS(ON),0.8mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:DFN8(5X6)适用于需要低压大电流的电源管理和电机驱动地方。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-8周
    内地交货(含增值税)
    5-9周
  • 10+ $1.0816 ¥9.1612
合计:¥82,430.00
标准包装数量:5000
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