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SIS4604LDN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS4604LDN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: N沟道MOS管, Vds=60 V, 45.9 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
    N沟道MOS管, Vds=60 V, 45.9 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:5868
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 3000+ ¥3.176
  • 9000+ ¥3.1126
合计:¥9,528.00
标准包装数量:0

IRF730ASTRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF730ASTRLPBF
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:D2PAK
  • 描述: 74W(Tc) 30V 4.5V@ 250µA 22nC@ 10 V 1个N沟道 400V 1Ω@ 3.3A,10V 5.5A 600pF@25V D2PAK 贴片安装
    74W(Tc) 30V 4.5V@ 250µA 22nC@ 10 V 1个N沟道 400V 1Ω@ 3.3A,10V 5.5A 600pF@25V D2PAK 贴片安装
  • 库   存:3200
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10工作日
  • 800+ ¥4.7446
  • 1600+ ¥4.589
  • 2400+ ¥4.5112
  • 3200+ ¥4.4724
合计:¥3,795.68
标准包装数量:800

SUD08P06-155L-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD08P06-155L-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 2W(Ta),25W(Tc) 20V 3V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个P沟道 60V 155mΩ@ 5A,10V 450pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.7056mm*6.223mm*2.3876mm
    2W(Ta),25W(Tc) 20V 3V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个P沟道 60V 155mΩ@ 5A,10V 450pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.7056mm*6.223mm*2.3876mm
  • 库   存:1940
  • 起订量:1940
  • 增   量:1940
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-10工作日
    内地交货(含增值税)
    15-19工作日
  • 1940+ $0.672 ¥5.6448
合计:¥10,950.91
标准包装数量:1940

SI4925DY-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4925DY-E3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2W 20V 30V 32mΩ SOIC-8 贴片安装 5mm*4mm*1.55mm
    2W 20V 30V 32mΩ SOIC-8 贴片安装 5mm*4mm*1.55mm
  • 库   存:732
  • 起订量:262
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-13工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 100+ $1.495 ¥12.6328
  • 500+ $1.404 ¥11.8638
  • 1000+ $1.3 ¥10.985
合计:¥3,309.79
标准包装数量:1

SQD100N04-3M6L_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQD100N04-3M6L_GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 SQ Rugged系列, Vds=40 V, 100 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 SQ Rugged系列, Vds=40 V, 100 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:2000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-6工作日
  • 1+ ¥17.2377
  • 100+ ¥11.9224
  • 1000+ ¥7.8279
  • 2000+ ¥6.952
合计:¥517.13
标准包装数量:2000

SIHA100N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHA100N60E-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-220
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 30 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 30 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:967
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 50+ ¥22.354
  • 100+ ¥21.6829
  • 200+ ¥19.7451
合计:¥1,117.70
标准包装数量:0

SQM120N06-04L-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM120N06-04L-GE3
  • 厂牌:VISHAY SILICONIX
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: 375KW 20V 184nC@ 10V 60V 3.5mΩ@ 10V 7.3nF@ 25V TO-263-3 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
    375KW 20V 184nC@ 10V 60V 3.5mΩ@ 10V 7.3nF@ 25V TO-263-3 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
  • 库   存:1500
  • 起订量:45
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    12-14工作日
    内地交货(含增值税)
    14-16工作日
  • 25+ $4.526 ¥38.3352
  • 100+ $3.718 ¥31.4915
  • 500+ $3.252 ¥27.5444
  • 1000+ $3.108 ¥26.3248
合计:¥1,725.08
标准包装数量:1

SQD15N06-42L_T4GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQD15N06-42L_T4GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 15nC@ 10V 42mΩ@ 10A,10V 15A TO-252AA
    15nC@ 10V 42mΩ@ 10A,10V 15A TO-252AA
  • 库   存:7278
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 2500+ $0.4372 ¥3.5368
  • 5000+ $0.4051 ¥3.2777
  • 7500+ $0.3888 ¥3.1458
  • 12500+ $0.3705 ¥2.9974
  • 17500+ $0.3597 ¥2.9098
  • 25000+ $0.3552 ¥2.8733
合计:¥8,842.00
标准包装数量:1

SI1902DL-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1902DL-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 300mW 12V 1.5V@ 250µA 1.2nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 385mΩ@ 660mA,4.5V 660mA SC-70-6 贴片安装 2.1mm*1.25mm*1mm
    300mW 12V 1.5V@ 250µA 1.2nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 385mΩ@ 660mA,4.5V 660mA SC-70-6 贴片安装 2.1mm*1.25mm*1mm
  • 库   存:36
  • 起订量:24
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ $0.676 ¥5.5216
合计:¥132.52
标准包装数量:1

SI7858BDP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7858BDP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 5W(Ta),48W(Tc) 8V 1V@ 250µA 84nC@ 4.5 V 1个N沟道 12V 2.5mΩ@ 15A,4.5V 40A 5.76nF@6V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.04mm
    5W(Ta),48W(Tc) 8V 1V@ 250µA 84nC@ 4.5 V 1个N沟道 12V 2.5mΩ@ 15A,4.5V 40A 5.76nF@6V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.04mm
  • 库   存:27418
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.6997 ¥5.6611
  • 6000+ $0.655 ¥5.2992
  • 9000+ $0.6322 ¥5.1149
  • 15000+ $0.63 ¥5.0968
合计:¥16,983.30
标准包装数量:1

SIRA58DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRA58DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 27.7W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 75nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.65mΩ@ 15A,10V 60A 3.75nF@20V 贴片安装 6.15mm*5.15mm*1.04mm
    27.7W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 75nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.65mΩ@ 15A,10V 60A 3.75nF@20V 贴片安装 6.15mm*5.15mm*1.04mm
  • 库   存:6083
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.7375 ¥5.9664
  • 6000+ $0.6909 ¥5.5897
  • 9000+ $0.6694 ¥5.4158
合计:¥17,899.20
标准包装数量:1

SIHFR320-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHFR320-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 400V 1.8Ω@ 1.9A,10V 350pF@25V TO-252AA 贴片安装
    2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 400V 1.8Ω@ 1.9A,10V 350pF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:1855
  • 起订量:18
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ $0.9191 ¥7.507
  • 100+ $0.5898 ¥4.7715
  • 500+ $0.4591 ¥3.7141
  • 1000+ $0.417 ¥3.3735
合计:¥135.13
标准包装数量:1

SQJ980AEP-T1_BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ980AEP-T1_BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 2.5V@ 250µA 21nC@ 10V 75V 50mΩ@ 3.8A,10V 790pF@35V 贴片安装
    2.5V@ 250µA 21nC@ 10V 75V 50mΩ@ 3.8A,10V 790pF@35V 贴片安装
  • 库   存:5958
  • 起订量:14
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ $1.2327 ¥9.9728
  • 100+ $0.8258 ¥6.6811
  • 500+ $0.6516 ¥5.2713
  • 1000+ $0.5955 ¥4.8178
  • 3000+ $0.5243 ¥4.242
  • 6000+ $0.4885 ¥3.9523
  • 9000+ $0.4703 ¥3.8047
  • 15000+ $0.4505 ¥3.6442
合计:¥139.62
标准包装数量:1

SQM50034E_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM50034E_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:2304
  • 起订量:80
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-9工作日
    内地交货(含增值税)
    9-11工作日
  • 80+ $1.25 ¥10.625
  • 500+ $1.2 ¥10.2
  • 900+ $1.15 ¥9.775
合计:¥850.00
标准包装数量:1

SQM100N10-10_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM100N10-10_GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: 375W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 185nC@ 10 V 1个N沟道 100V 10.5mΩ@ 30A,10V 100A 8.05nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
    375W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 185nC@ 10 V 1个N沟道 100V 10.5mΩ@ 30A,10V 100A 8.05nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 800+ $1.5287 ¥13.254
  • 1600+ $1.5043 ¥13.0421
  • 3200+ $1.4806 ¥12.8368
  • 6400+ $1.4559 ¥12.6229
  • 12800+ $1.4388 ¥12.4744
合计:¥10,603.20
标准包装数量:0

SIHP21N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHP21N60EF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay, 场效应管Mosfet
    Vishay, 场效应管Mosfet
  • 库   存:996
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-9工作日
    内地交货(含增值税)
    9-11工作日
  • 40+ $2.67 ¥22.695
  • 100+ $2.56 ¥21.76
  • 450+ $2.46 ¥20.91
合计:¥907.80
标准包装数量:1

SIRA00DP-T1-RE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRA00DP-T1-RE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 104W(Tc) 20V,16V 2.2V@ 250µA 220nC@ 10 V 1个N沟道 30V 1mΩ@ 20A,10V 100A 11.7nF@15V 贴片安装
    104W(Tc) 20V,16V 2.2V@ 250µA 220nC@ 10 V 1个N沟道 30V 1mΩ@ 20A,10V 100A 11.7nF@15V 贴片安装
  • 库   存:2900
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 1+ $3.1165 ¥25.4556
  • 10+ $2.001 ¥16.3442
  • 100+ $1.2852 ¥10.4975
  • 500+ $1.0605 ¥8.6622
  • 1000+ $0.9324 ¥7.6158
  • 3000+ $0.8474 ¥6.9212
合计:¥127.28
标准包装数量:1

SIHG21N80AEF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG21N80AEF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 E Series系列, Vds=850 V, 16.3 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 E Series系列, Vds=850 V, 16.3 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:229
  • 起订量:4
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 1+ $5.0112 ¥40.9315
  • 10+ $3.2141 ¥26.0023
  • 100+ $2.2707 ¥18.3707
合计:¥163.73
标准包装数量:1

SIHB23N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB23N60E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-263
  • 描述: 227W(Tc) 30V 4V@ 250µA 95nC@ 10V 1个N沟道 600V 158mΩ@ 12A,10V 23A 2.418nF@100V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
    227W(Tc) 30V 4V@ 250µA 95nC@ 10V 1个N沟道 600V 158mΩ@ 12A,10V 23A 2.418nF@100V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
  • 库   存:44
  • 起订量:3
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 1+ $5.46 ¥44.1725
  • 50+ $2.831 ¥22.9035
  • 100+ $2.5765 ¥20.8443
  • 500+ $2.1305 ¥17.2358
合计:¥132.52
标准包装数量:1

SIHP35N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHP35N60EF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 250W(Tc) 30V 4V@ 250µA 134nC@ 10 V 1个N沟道 600V 97mΩ@ 17A,10V 32A 2.568nF@100V TO-220AB 通孔安装
    250W(Tc) 30V 4V@ 250µA 134nC@ 10 V 1个N沟道 600V 97mΩ@ 17A,10V 32A 2.568nF@100V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:162
  • 起订量:3
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 1+ $7.77 ¥62.8609
  • 50+ $4.162 ¥33.6714
  • 100+ $3.8135 ¥30.852
  • 100+ $3.8135 ¥30.852
合计:¥188.58
标准包装数量:1
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