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IRF820APBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF820APBF-BE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 50W(Tc) 4.5V@ 250µA 17nC@ 10 V 1个N沟道 500V 3Ω@ 1.5A,10V 2.5A 340pF@25V TO-220AB 通孔安装
    50W(Tc) 4.5V@ 250µA 17nC@ 10 V 1个N沟道 500V 3Ω@ 1.5A,10V 2.5A 340pF@25V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:87
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-15工作日
  • 1+ ¥5.8051
合计:¥505.04
标准包装数量:0

SQM40020E_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM40020E_GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-263
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:598
  • 起订量:200
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 200+ ¥24.2289
  • 400+ ¥23.5074
合计:¥4,845.78
标准包装数量:0

SQ2361CES-T1_BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2361CES-T1_BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
    P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  • 库   存:4256
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.1807 ¥1.498
  • 9000+ $0.1573 ¥1.3042
合计:¥4,494.00
标准包装数量:1

SI5922DU-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI5922DU-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 2.3W 20V 2.2V@ 250µA 7.1nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 19.2mΩ@ 5A,10V 6A 765pF@15V 贴片安装
    2.3W 20V 2.2V@ 250µA 7.1nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 19.2mΩ@ 5A,10V 6A 765pF@15V 贴片安装
  • 库   存:15000
  • 起订量:12000
  • 增   量:6000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 9000+ $0.2211 ¥1.8328
合计:¥21,993.60
标准包装数量:1

SQA407CEJW-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQA407CEJW-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 9 A, PowerPAK SC-70W-6L封装, 印刷电路板, 7引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 9 A, PowerPAK SC-70W-6L封装, 印刷电路板, 7引脚
  • 库   存:9000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.2281 ¥1.8909
  • 9000+ $0.1999 ¥1.657
合计:¥5,672.70
标准包装数量:1

SI5515CDC-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI5515CDC-T1-GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:1206
  • 描述: Vishay N/P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 4 A, 1206 ChipFET封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N/P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 4 A, 1206 ChipFET封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:9000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 3000+ $0.276 ¥2.277
  • 6000+ $0.2703 ¥2.2296
  • 9000+ $0.2703 ¥2.2296
  • 12000+ $0.2703 ¥2.2296
  • 15000+ $0.2645 ¥2.1821
合计:¥6,831.00
标准包装数量:3000

SIZ346DT-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIZ346DT-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 16W,16.7W 16V,20V 2.2V@ 250µA,2.4V@ 250µA 5nC@ 4.5V,9nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 28.5mΩ@ 10A,10V,11.5mΩ@ 14.4A,10V 17A,30A 325pF@ 15V,650pF@ 15V 贴片安装
    16W,16.7W 16V,20V 2.2V@ 250µA,2.4V@ 250µA 5nC@ 4.5V,9nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 28.5mΩ@ 10A,10V,11.5mΩ@ 14.4A,10V 17A,30A 325pF@ 15V,650pF@ 15V 贴片安装
  • 库   存:6265
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.3197 ¥2.6507
  • 9000+ $0.2828 ¥2.3445
合计:¥7,952.10
标准包装数量:1

SIA421DJ-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIA421DJ-T1-GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:--
  • 描述: 3.5W(Ta),19W(Tc) 20V 3V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个P沟道 30V 35mΩ@ 5.3A,10V 12A 950pF@15V 贴片安装 2.05mm*2.05mm*750μm
    3.5W(Ta),19W(Tc) 20V 3V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个P沟道 30V 35mΩ@ 5.3A,10V 12A 950pF@15V 贴片安装 2.05mm*2.05mm*750μm
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 3000+ $0.3795 ¥3.1309
  • 6000+ $0.3738 ¥3.0834
  • 9000+ $0.368 ¥3.036
  • 12000+ $0.368 ¥3.036
合计:¥9,392.70
标准包装数量:3000

IRF9Z14PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9Z14PBF
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 6.7 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 6.7 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:303
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 150+ $0.3968 ¥3.2732
  • 500+ $0.391 ¥3.2258
  • 1500+ $0.3795 ¥3.1309
  • 5000+ $0.3623 ¥2.9886
合计:¥991.78
标准包装数量:50

SIRA58ADP-T1-RE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRA58ADP-T1-RE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 5W(Ta),56.8W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 61nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.65mΩ@ 15A,10V 32.3A,109A 3.03nF@20V SOIC-8 贴片安装
    5W(Ta),56.8W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 61nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.65mΩ@ 15A,10V 32.3A,109A 3.03nF@20V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:14600
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.5411 ¥4.4857
  • 9000+ $0.4854 ¥4.0236
合计:¥13,457.10
标准包装数量:1

SI4483ADY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4483ADY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2.9W(Ta),5.9W(Tc) 25V 2.6V@ 250µA 135nC@ 10 V 1个P沟道 30V 8.8mΩ@ 10A,10V 19.2A 3.9nF@15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
    2.9W(Ta),5.9W(Tc) 25V 2.6V@ 250µA 135nC@ 10 V 1个P沟道 30V 8.8mΩ@ 10A,10V 19.2A 3.9nF@15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
  • 库   存:16377
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 2500+ $0.5597 ¥4.64
  • 7500+ $0.5007 ¥4.1509
合计:¥11,600.00
标准包装数量:1

SQ4961EY-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ4961EY-T1_GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 3.3W 20V 2.5V@ 250µA 40nC@ 10V 2个P沟道 60V 85mΩ@ 3.5A,10V 4.4A 1.14nF@25V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
    3.3W 20V 2.5V@ 250µA 40nC@ 10V 2个P沟道 60V 85mΩ@ 3.5A,10V 4.4A 1.14nF@25V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
  • 库   存:45000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 2500+ $0.6095 ¥5.0284
  • 5000+ $0.598 ¥4.9335
合计:¥12,571.00
标准包装数量:2500

SI4124DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4124DY-T1-GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:15000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 2500+ $0.7705 ¥6.3566
  • 5000+ $0.7533 ¥6.2143
合计:¥15,891.50
标准包装数量:2500

IRFZ14PBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFZ14PBF-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 43W(Tc) 4V@ 250µA 11nC@ 10 V 1个N沟道 60V 200mΩ@ 6A,10V 10A 300pF@25V TO-220AB 通孔安装
    43W(Tc) 4V@ 250µA 11nC@ 10 V 1个N沟道 60V 200mΩ@ 6A,10V 10A 300pF@25V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:1704
  • 起订量:26
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.0224 ¥8.4855
  • 100+ $0.7799 ¥6.4732
  • 500+ $0.6415 ¥5.3246
  • 1000+ $0.5864 ¥4.8675
  • 2000+ $0.5044 ¥4.1862
合计:¥220.62
标准包装数量:1

IRFIB6N60APBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFIB6N60APBF
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-220-3
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 5.5 A, TO-220FP封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 5.5 A, TO-220FP封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:998
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 50+ ¥20.4716
  • 250+ ¥18.4245
合计:¥1,023.58
标准包装数量:0

SIHF22N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHF22N60E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-220
  • 描述: 35W(Tc) 30V 4V@ 250µA 86nC@ 10 V 1个N沟道 600V 180mΩ@ 11A,10V 21A 1.92nF@100V TO-220 通孔安装 16.12mm(高度)
    35W(Tc) 30V 4V@ 250µA 86nC@ 10 V 1个N沟道 600V 180mΩ@ 11A,10V 21A 1.92nF@100V TO-220 通孔安装 16.12mm(高度)
  • 库   存:5136
  • 起订量:14
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ $3.8081 ¥31.5691
  • 50+ $2.9788 ¥24.6941
  • 100+ $2.7119 ¥22.4815
  • 500+ $2.2445 ¥18.6065
合计:¥441.97
标准包装数量:1

SIJH5700E-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIJH5700E-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 174 A, PowerPAK 8 x 8 升封装, 表面贴装, 4引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 174 A, PowerPAK 8 x 8 升封装, 表面贴装, 4引脚
  • 库   存:1850
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 50+ ¥44.9582
  • 100+ ¥36.8211
  • 250+ ¥36.0696
  • 1000+ ¥32.2479
合计:¥2,247.91
标准包装数量:0

IRFP350LCPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP350LCPBF
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 16 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 16 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:440
  • 起订量:25
  • 增   量:25
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 25+ ¥46.4858
  • 125+ ¥41.8375
合计:¥1,162.15
标准包装数量:0

SIHG33N65EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG33N65EF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-247
  • 描述: 313W(Tc) 30V 4V@ 250µA 171nC@ 10V 1个N沟道 650V 109mΩ@ 16.5A,10V 31.6A 4.026nF@100V TO-247 通孔安装 15.87mm*5.31mm*20.82mm
    313W(Tc) 30V 4V@ 250µA 171nC@ 10V 1个N沟道 650V 109mΩ@ 16.5A,10V 31.6A 4.026nF@100V TO-247 通孔安装 15.87mm*5.31mm*20.82mm
  • 库   存:285
  • 起订量:3
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 1+ $10.212 ¥84.7596
  • 10+ $6.875 ¥57.0625
  • 100+ $5.4648 ¥45.3578
  • 500+ $4.2984 ¥35.6767
合计:¥254.28
标准包装数量:1

IRFP32N50KPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP32N50KPBF
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: 威世, 场效应管Mosfet
    威世, 场效应管Mosfet
  • 库   存:17575
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-6周
    内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 500+ $4.2984 ¥35.6767
合计:¥33.62
标准包装数量:0
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