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SI2343CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2343CDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:202
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.3538
  • 50+ ¥1.0933
  • 150+ ¥0.9859
  • 500+ ¥0.7652
  • 3000+ ¥0.7056
  • 6000+ ¥0.67
合计:¥6.77
标准包装数量:3000

IRFL9014TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL9014TRPBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1254
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.2687
  • 50+ ¥1.8248
  • 150+ ¥1.64
  • 500+ ¥1.2361
  • 2500+ ¥1.1396
  • 5000+ ¥1.0816
合计:¥11.34
标准包装数量:2500

IRF510PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF510PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 5.6 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 5.6 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:3374
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.6335
  • 10+ ¥2.9007
  • 50+ ¥2.4156
  • 100+ ¥1.928
  • 500+ ¥1.7587
  • 1000+ ¥1.6553
合计:¥3.63
标准包装数量:50

IRF830PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF830PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 74W(Tc) 20V 4V@ 250µA 38nC@ 10 V 1个N沟道 500V 1.5Ω@ 2.7A,10V 4.5A 610pF@25V TO-220AB 通孔安装 9.14mm(高度)
    74W(Tc) 20V 4V@ 250µA 38nC@ 10 V 1个N沟道 500V 1.5Ω@ 2.7A,10V 4.5A 610pF@25V TO-220AB 通孔安装 9.14mm(高度)
  • 库   存:1929
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.7888
  • 10+ ¥3.9149
  • 50+ ¥3.2121
  • 100+ ¥2.667
  • 500+ ¥2.4332
  • 1000+ ¥2.3182
合计:¥4.79
标准包装数量:50

SI4204DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4204DY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 19.8 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 19.8 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:3084
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.9387
  • 10+ ¥6.2177
  • 30+ ¥5.7885
  • 100+ ¥5.3443
  • 500+ ¥5.131
  • 1000+ ¥5.0413
合计:¥6.94
标准包装数量:2500

TP0610K-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TP0610K-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 185 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 185 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:12000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.976
  • 6000+ ¥0.96
  • 12000+ ¥0.944
  • 24000+ ¥0.928
合计:¥2,928.00
标准包装数量:3000

SIA907EDJT-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIA907EDJT-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOT
  • 描述: 1.9W 12V 1.4V@ 250µA 23nC@ 10V 2个P沟道 20V 57mΩ@ 3.6A,4.5V 4.5A SOT 贴片安装
    1.9W 12V 1.4V@ 250µA 23nC@ 10V 2个P沟道 20V 57mΩ@ 3.6A,4.5V 4.5A SOT 贴片安装
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥1.5625
  • 6000+ ¥1.5375
  • 9000+ ¥1.525
  • 15000+ ¥1.5
合计:¥4,687.50
标准包装数量:3000

SI5515CDC-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI5515CDC-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:1206
  • 描述: Vishay N/P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 4 A, 1206 ChipFET封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N/P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 4 A, 1206 ChipFET封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    5-10工作日
    内地交货(含增值税)
    6-11工作日
  • 3000+ $0.276 ¥2.3322
  • 9000+ $0.2688 ¥2.2714
  • 15000+ $0.264 ¥2.2308
  • 75000+ $0.2352 ¥1.9874
合计:¥6,996.60
标准包装数量:3000

SI2305ADS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305ADS-T1-E3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 960mW(Ta),1.7W(Tc) 8V 800mV@ 250µA 15nC@ 4.5 V 1个P沟道 8V 40mΩ@ 4.1A,4.5V 740pF@4V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.6mm*1.45mm
    960mW(Ta),1.7W(Tc) 8V 800mV@ 250µA 15nC@ 4.5 V 1个P沟道 8V 40mΩ@ 4.1A,4.5V 740pF@4V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.6mm*1.45mm
  • 库   存:12000
  • 起订量:12000
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    12-14工作日
    内地交货(含增值税)
    14-16工作日
  • 12000+ $0.288 ¥2.4394
合计:¥29,272.80
标准包装数量:1

SIS892ADN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS892ADN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:1212
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 28 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 28 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:25000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥3.5
  • 5000+ ¥3.416
  • 10000+ ¥3.36
  • 20000+ ¥3.248
合计:¥8,750.00
标准包装数量:0

IRF540PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF540PBF
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 28 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 28 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:26
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥3.5178
  • 1000+ ¥3.3748
  • 5000+ ¥3.3462
  • 10000+ ¥3.2032
合计:¥35.18
标准包装数量:0

SUD35N10-26P-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD35N10-26P-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 8.3W(Ta),83W(Tc) 20V 4.4V@ 250µA 47nC@ 10 V 1个N沟道 100V 26mΩ@ 12A,10V 35A 2nF@12V TO-252AA 贴片安装
    8.3W(Ta),83W(Tc) 20V 4.4V@ 250µA 47nC@ 10 V 1个N沟道 100V 26mΩ@ 12A,10V 35A 2nF@12V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:340
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1+ ¥8.174
合计:¥8.17
标准包装数量:0

SUD25N15-52-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD25N15-52-BE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 3W(Ta),136W(Tc) 4V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 150V 52mΩ@ 5A,10V 25A 1.725nF@25V TO-252AA 贴片安装
    3W(Ta),136W(Tc) 4V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 150V 52mΩ@ 5A,10V 25A 1.725nF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:8000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥15.5375
  • 4000+ ¥15.2889
  • 6000+ ¥15.1646
  • 10000+ ¥14.916
合计:¥31,075.00
标准包装数量:2000

SI2392ADS-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2392ADS-T1-BE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 3V@ 250µA 10.4nC@ 10 V 1个N沟道 100V 126mΩ@ 2A,10V 2.2A;3.1A 196pF@50V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
    1.25W(Ta),2.5W(Tc) 3V@ 250µA 10.4nC@ 10 V 1个N沟道 100V 126mΩ@ 2A,10V 2.2A;3.1A 196pF@50V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
  • 库   存:12000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.1601 ¥1.3881
  • 6000+ $0.1575 ¥1.3659
  • 12000+ $0.1551 ¥1.3443
  • 24000+ $0.1525 ¥1.3219
  • 48000+ $0.1507 ¥1.3064
合计:¥4,164.30
标准包装数量:0

SIS407ADN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS407ADN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:1212
  • 描述: Vishay, 场效应管Mosfet
    Vishay, 场效应管Mosfet
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.3072 ¥2.6638
  • 6000+ $0.3023 ¥2.6212
  • 12000+ $0.2976 ¥2.5799
  • 24000+ $0.2926 ¥2.5369
  • 48000+ $0.2892 ¥2.5071
合计:¥7,991.40
标准包装数量:0

IRF9Z14PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9Z14PBF
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 6.7 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 6.7 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1900
  • 起订量:130
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 50+ $0.4484 ¥3.6993
  • 200+ $0.4255 ¥3.5104
  • 750+ $0.414 ¥3.4155
  • 2500+ $0.4083 ¥3.3681
  • 10000+ $0.391 ¥3.2258
合计:¥480.91
标准包装数量:50

SQJ444EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ444EP-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:SOP
  • 描述: 68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 80nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.2mΩ@ 10A,10V 60A 5nF@25V SOP 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
    68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 80nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.2mΩ@ 10A,10V 60A 5nF@25V SOP 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.5216 ¥4.522
  • 6000+ $0.5132 ¥4.4497
  • 12000+ $0.5052 ¥4.3797
  • 24000+ $0.4967 ¥4.3066
  • 48000+ $0.4909 ¥4.2559
合计:¥13,566.00
标准包装数量:0

SIRA54ADP-T1-RE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRA54ADP-T1-RE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 128 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 128 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.6404 ¥5.5521
  • 6000+ $0.6349 ¥5.5046
  • 12000+ $0.6259 ¥5.4264
  • 24000+ $0.6168 ¥5.348
  • 48000+ $0.6078 ¥5.2698
合计:¥16,656.30
标准包装数量:0

SI7116DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7116DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: 1.5W(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 23nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 7.8mΩ@ 16.4A,10V 10.5A 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
    1.5W(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 23nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 7.8mΩ@ 16.4A,10V 10.5A 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.6464 ¥5.604
  • 6000+ $0.6024 ¥5.223
  • 12000+ $0.5921 ¥5.1333
  • 24000+ $0.5817 ¥5.0436
  • 48000+ $0.5714 ¥4.9539
合计:¥16,812.00
标准包装数量:0

SIHB100N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB100N60E-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: 208W(Tc) 30V 5V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个N沟道 600V 100mΩ@ 13A,10V 30A 1.851nF@100V TO-263-3 贴片安装
    208W(Tc) 30V 5V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个N沟道 600V 100mΩ@ 13A,10V 30A 1.851nF@100V TO-263-3 贴片安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 1000+ $2.6838 ¥23.2681
  • 2000+ $2.6304 ¥22.8059
  • 4000+ $2.5927 ¥22.4784
  • 8000+ $2.556 ¥22.1602
  • 8000+ $2.556 ¥22.1602
合计:¥23,268.10
标准包装数量:0
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