处理中...

{{item.name}}

SIS407ADN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS407ADN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:1212
  • 描述: Vishay, 场效应管Mosfet
    Vishay, 场效应管Mosfet
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.3286 ¥2.8488
  • 6000+ $0.3269 ¥2.8342
  • 12000+ $0.3252 ¥2.8197
  • 24000+ $0.3235 ¥2.8051
  • 48000+ $0.3219 ¥2.7907
合计:¥8,546.40
标准包装数量:0

SQJ459EP-T1_BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ459EP-T1_BE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: 83W(Tc) 2.5V@ 250µA 108nC@ 10 V 1个P沟道 60V 18mΩ@ 3.5A,10V 4.586nF@30V 贴片安装
    83W(Tc) 2.5V@ 250µA 108nC@ 10 V 1个P沟道 60V 18mΩ@ 3.5A,10V 4.586nF@30V 贴片安装
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.4882 ¥4.2326
  • 6000+ $0.484 ¥4.1964
  • 12000+ $0.4771 ¥4.1367
  • 24000+ $0.4702 ¥4.0771
  • 48000+ $0.4634 ¥4.0173
合计:¥12,697.80
标准包装数量:0

SQJ444EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ444EP-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:SOP
  • 描述: 68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 80nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.2mΩ@ 10A,10V 60A 5nF@25V SOP 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
    68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 80nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.2mΩ@ 10A,10V 60A 5nF@25V SOP 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.5216 ¥4.522
  • 6000+ $0.5132 ¥4.4497
  • 12000+ $0.5052 ¥4.3797
  • 24000+ $0.4967 ¥4.3066
  • 48000+ $0.4909 ¥4.2559
合计:¥13,566.00
标准包装数量:0

SIRA54ADP-T1-RE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRA54ADP-T1-RE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 128 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 128 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.6403 ¥5.5517
  • 6000+ $0.6349 ¥5.5042
  • 12000+ $0.6258 ¥5.4259
  • 24000+ $0.6168 ¥5.3476
  • 48000+ $0.6078 ¥5.2693
合计:¥16,655.10
标准包装数量:0

SI7116DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7116DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: 1.5W(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 23nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 7.8mΩ@ 16.4A,10V 10.5A 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
    1.5W(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 23nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 7.8mΩ@ 16.4A,10V 10.5A 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.6464 ¥5.604
合计:¥16,812.00
标准包装数量:0

SUD90330E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD90330E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 32nC@ 10 V 1个N沟道 200V 37.5mΩ@ 12.2A,10V 35.8A 1.172nF@100V TO-252AA 贴片安装
    125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 32nC@ 10 V 1个N沟道 200V 37.5mΩ@ 12.2A,10V 35.8A 1.172nF@100V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:8106
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 2000+ $0.7174 ¥5.9473
  • 6000+ $0.6432 ¥5.3319
合计:¥11,894.60
标准包装数量:1

SQ2361ES-T1_BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2361ES-T1_BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 2W(Tc) 2.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 60V 177mΩ@ 2.4A,10V 2.8A 550pF@30V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
    2W(Tc) 2.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 60V 177mΩ@ 2.4A,10V 2.8A 550pF@30V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
  • 库   存:36160
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $0.7659 ¥6.357
  • 500+ $0.5756 ¥4.7778
  • 1000+ $0.5054 ¥4.1952
  • 3000+ $0.445 ¥3.6932
  • 6000+ $0.3974 ¥3.2988
  • 9000+ $0.3812 ¥3.1643
  • 24000+ $0.3359 ¥2.7878
合计:¥222.50
标准包装数量:1

SQ4483BEEY-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ4483BEEY-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 113nC@ 10 V 1个P沟道 30V 8.5mΩ@ 10A,10V 22A SOIC-8 贴片安装
    7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 113nC@ 10 V 1个P沟道 30V 8.5mΩ@ 10A,10V 22A SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:18721
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 2500+ $0.8436 ¥6.9935
  • 7500+ $0.7627 ¥6.3224
合计:¥17,483.75
标准包装数量:1

IRFR120PBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR120PBF-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 2.5W(Ta),42W(Tc) 4V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个N沟道 100V 270mΩ@ 4.6A,10V 7.7A 360pF@25V TO-252AA 贴片安装
    2.5W(Ta),42W(Tc) 4V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个N沟道 100V 270mΩ@ 4.6A,10V 7.7A 360pF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:23835
  • 起订量:28
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $0.9764 ¥8.1037
  • 100+ $0.7458 ¥6.1901
  • 500+ $0.6318 ¥5.2439
  • 1000+ $0.5616 ¥4.6613
  • 3000+ $0.5584 ¥4.6344
合计:¥226.90
标准包装数量:1

SIHFR9310-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHFR9310-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 50W(Tc) 20V 4V@ 250µA 13nC@ 10 V 1个P沟道 400V 7Ω@ 1.1A,10V 1.8A 270pF@25V TO-252AA 贴片安装
    50W(Tc) 20V 4V@ 250µA 13nC@ 10 V 1个P沟道 400V 7Ω@ 1.1A,10V 1.8A 270pF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:799
  • 起订量:27
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.0028 ¥8.3232
  • 100+ $0.6314 ¥5.2406
  • 500+ $0.4882 ¥4.0517
  • 1000+ $0.4169 ¥3.4601
  • 3000+ $0.378 ¥3.1374
  • 6000+ $0.3186 ¥2.6444
合计:¥224.73
标准包装数量:1

IRFR010PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR010PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: 25W(Tc) 20V 4V@ 250µA 10nC@ 10 V 1个N沟道 50V 200mΩ@ 4.6A,10V 8.2A 250pF@25V TO-252 贴片安装
    25W(Tc) 20V 4V@ 250µA 10nC@ 10 V 1个N沟道 50V 200mΩ@ 4.6A,10V 8.2A 250pF@25V TO-252 贴片安装
  • 库   存:2825
  • 起订量:24
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.1167 ¥9.2682
  • 100+ $0.9592 ¥7.9614
  • 500+ $0.7916 ¥6.5706
  • 1000+ $0.6728 ¥5.5846
  • 3000+ $0.6545 ¥5.4322
合计:¥222.44
标准包装数量:1

IRFU9010PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFU9010PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-251AA
  • 描述: 25W(Tc) 20V 4V@ 250µA 9.1nC@ 10 V 1个P沟道 50V 500mΩ@ 2.8A,10V 5.3A 240pF@25V TO-251AA 通孔安装 6.73mm*2.39mm*6.22mm
    25W(Tc) 20V 4V@ 250µA 9.1nC@ 10 V 1个P沟道 50V 500mΩ@ 2.8A,10V 5.3A 240pF@25V TO-251AA 通孔安装 6.73mm*2.39mm*6.22mm
  • 库   存:2634
  • 起订量:23
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.1615 ¥9.6405
  • 100+ $0.99 ¥8.217
  • 500+ $0.8176 ¥6.7857
  • 1000+ $0.6966 ¥5.7818
  • 3000+ $0.689 ¥5.719
合计:¥221.73
标准包装数量:1

SQM50034E_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM50034E_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1585
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-9工作日
    内地交货(含增值税)
    9-11工作日
  • 800+ $1.2 ¥10.2
合计:¥8,160.00
标准包装数量:800

SI7148DP-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7148DP-T1-E3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: 5.4W(Ta),96W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个N沟道 75V 11mΩ@ 15A,10V 28A 2.9nF@35V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    5.4W(Ta),96W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个N沟道 75V 11mΩ@ 15A,10V 28A 2.9nF@35V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $1.3448 ¥11.6593
合计:¥34,977.90
标准包装数量:0

SIJA52DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIJA52DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 48W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 150nC@ 20 V 1个N沟道 40V 1.7mΩ@ 15A,10V 60A 7.15nF@20V 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
    48W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 150nC@ 20 V 1个N沟道 40V 1.7mΩ@ 15A,10V 60A 7.15nF@20V 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
  • 库   存:5860
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.84 ¥15.272
  • 100+ $1.1664 ¥9.6811
  • 500+ $0.8716 ¥7.2339
  • 1000+ $0.8219 ¥6.8216
  • 3000+ $0.7754 ¥6.4362
  • 6000+ $0.769 ¥6.3824
合计:¥229.08
标准包装数量:1

SIHB22N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB22N60EF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 19 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 19 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:749
  • 起订量:45
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-9工作日
    内地交货(含增值税)
    9-11工作日
  • 45+ $2.35 ¥19.975
  • 150+ $2.26 ¥19.21
  • 500+ $2.17 ¥18.445
合计:¥898.88
标准包装数量:1

SIHA14N60E-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHA14N60E-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-220
  • 描述: 147W(Tc) 30V 4V@ 250µA 64nC@ 10V 1个N沟道 600V 309mΩ@ 7A,10V 13A 1.205nF@100V TO-220 通孔安装 10.5mm*4.69mm*15.9mm
    147W(Tc) 30V 4V@ 250µA 64nC@ 10V 1个N沟道 600V 309mΩ@ 7A,10V 13A 1.205nF@100V TO-220 通孔安装 10.5mm*4.69mm*15.9mm
  • 库   存:437
  • 起订量:11
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $2.53 ¥20.999
  • 100+ $1.6524 ¥13.7149
  • 500+ $1.3068 ¥10.8464
  • 1000+ $1.1988 ¥9.95
合计:¥230.99
标准包装数量:1

SIHB12N50E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB12N50E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: 114W(Tc) 30V 4V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个N沟道 500V 380mΩ@ 6A,10V 10.5A 886pF@100V TO-263-3 贴片安装
    114W(Tc) 30V 4V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个N沟道 500V 380mΩ@ 6A,10V 10.5A 886pF@100V TO-263-3 贴片安装
  • 库   存:952
  • 起订量:11
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $2.5415 ¥21.0944
  • 100+ $1.6524 ¥13.7149
  • 500+ $1.3824 ¥11.4739
  • 1000+ $1.2096 ¥10.0397
  • 2000+ $1.1988 ¥9.95
合计:¥232.04
标准包装数量:1

SIHP21N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHP21N60EF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay, 场效应管Mosfet
    Vishay, 场效应管Mosfet
  • 库   存:996
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-9工作日
    内地交货(含增值税)
    9-11工作日
  • 40+ $2.67 ¥22.695
  • 100+ $2.56 ¥21.76
  • 450+ $2.46 ¥20.91
合计:¥907.80
标准包装数量:1

SIHW33N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHW33N60E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-247AD
  • 描述: 278W(Tc) 30V 4V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个N沟道 600V 99mΩ@ 16.5A,10V 33A 3.508nF@100V TO-247AD 通孔安装 21.46mm(高度)
    278W(Tc) 30V 4V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个N沟道 600V 99mΩ@ 16.5A,10V 33A 3.508nF@100V TO-247AD 通孔安装 21.46mm(高度)
  • 库   存:158
  • 起订量:3
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 1+ $9.936 ¥82.4688
  • 10+ $6.688 ¥55.5104
  • 100+ $5.3136 ¥44.1029
  • 100+ $5.3136 ¥44.1029
合计:¥247.41
标准包装数量:1
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧