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IRFU014PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFU014PBF
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-251AA
  • 描述: Vishay N沟道MOS管, Vds=60 V, 7.7 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装
    Vishay N沟道MOS管, Vds=60 V, 7.7 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装
  • 库   存:6025
  • 起订量:112
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-16工作日
    内地交货(含增值税)
    8-18工作日
  • 1+ $0.2965 ¥2.4637
合计:¥275.93
标准包装数量:75

SISS23DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SISS23DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:1212
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 27 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 27 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:9000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-16工作日
    内地交货(含增值税)
    8-18工作日
  • 3000+ $0.2982 ¥2.4781
合计:¥7,434.30
标准包装数量:3000

SIR878BDP-T1-RE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR878BDP-T1-RE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 5W(Ta),62.5W(Tc) 20V 3.4V@ 250µA 38nC@ 10 V 1个N沟道 100V 14.4mΩ@ 15A,10V 12A,42.5A 1.85nF@50V SOIC-8 贴片安装
    5W(Ta),62.5W(Tc) 20V 3.4V@ 250µA 38nC@ 10 V 1个N沟道 100V 14.4mΩ@ 15A,10V 12A,42.5A 1.85nF@50V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:18000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-13工作日
  • 3000+ ¥4.165
  • 6000+ ¥4.0775
  • 9000+ ¥4.025
合计:¥12,495.00
标准包装数量:3000

IRFI9Z34GPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFI9Z34GPBF
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-220-3
  • 描述: 42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 34nC@ 10 V 1个P沟道 60V 140mΩ@ 7.2A,10V 12A 1.1nF@25V TO-220-3 通孔安装
    42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 34nC@ 10 V 1个P沟道 60V 140mΩ@ 7.2A,10V 12A 1.1nF@25V TO-220-3 通孔安装
  • 库   存:450
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-14工作日
    内地交货(含增值税)
    15-17工作日
  • 50+ $0.6521 ¥5.5231
  • 500+ $0.6521 ¥5.5231
合计:¥1,104.62
标准包装数量:0

SI4931DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4931DY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2W 8V 1V@ 350µA 52nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 18mΩ@ 8.9A,4.5V 6.7A 4.2nF SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
    2W 8V 1V@ 350µA 52nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 18mΩ@ 8.9A,4.5V 6.7A 4.2nF SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    8-16工作日
    内地交货(含增值税)
    9-18工作日
  • 2500+ $0.6669 ¥5.6685
合计:¥14,171.25
标准包装数量:1

SQJQ150E-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJQ150E-T1_GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道MOS管, Vds=40 V, 233 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 4引脚
    Vishay N沟道MOS管, Vds=40 V, 233 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 4引脚
  • 库   存:304
  • 起订量:48
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 10+ $0.995 ¥8.3584
  • 100+ $0.9708 ¥8.2225
合计:¥401.20
标准包装数量:0

SIHB12N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB12N60E-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-263
  • 描述: 147W(Tc) 30V 4V@ 250µA 58nC@ 10 V 1个N沟道 600V 380mΩ@ 6A,10V 12A 937pF@100V TO-263 贴片安装 4.83mm(高度)
    147W(Tc) 30V 4V@ 250µA 58nC@ 10 V 1个N沟道 600V 380mΩ@ 6A,10V 12A 937pF@100V TO-263 贴片安装 4.83mm(高度)
  • 库   存:3250
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-14工作日
    内地交货(含增值税)
    15-17工作日
  • 1000+ $1.0466 ¥8.865
  • 10000+ $1.0466 ¥8.865
合计:¥8,865.00
标准包装数量:0

SQJ180EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ180EP-T1_GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道MOS管 N-Channel 80 V系列, Vds=80 V, 248 A, PowerPak 8 x 8L封装, 表面贴装, 4引脚
    Vishay N沟道MOS管 N-Channel 80 V系列, Vds=80 V, 248 A, PowerPak 8 x 8L封装, 表面贴装, 4引脚
  • 库   存:7792
  • 起订量:44
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 10+ $1.1 ¥9.2403
  • 100+ $1.0732 ¥9.0901
  • 500+ $1.0553 ¥8.8647
  • 1000+ $1.0285 ¥8.6393
  • 5000+ $1.0106 ¥8.4891
合计:¥406.57
标准包装数量:0

SUD50N03-16P-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD50N03-16P-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 6.5W(Ta),40.8W(Tc) 20V 3V@ 250µA 13nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 16mΩ@ 15A,10V 1.15nF@25V TO-252AA 贴片安装 2.39mm(高度)
    6.5W(Ta),40.8W(Tc) 20V 3V@ 250µA 13nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 16mΩ@ 15A,10V 1.15nF@25V TO-252AA 贴片安装 2.39mm(高度)
  • 库   存:1714
  • 起订量:28
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    14-17工作日
    内地交货(含增值税)
    15-18工作日
  • 10+ $1.8228 ¥15.4391
  • 50+ $1.085 ¥9.19
  • 100+ $0.9217 ¥7.8068
  • 300+ $0.8645 ¥7.3223
  • 500+ $0.82 ¥6.9454
  • 1000+ $0.7788 ¥6.5964
  • 2000+ $0.7752 ¥6.5659
合计:¥432.29
标准包装数量:1

SUM90N03-2M2P-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUM90N03-2M2P-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: 3.75W(Ta),250W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 257nC@ 10 V 1个N沟道 30V 2.2mΩ@ 32A,10V 90A 12.065nF@15V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
    3.75W(Ta),250W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 257nC@ 10 V 1个N沟道 30V 2.2mΩ@ 32A,10V 90A 12.065nF@15V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 中国香港
    8-17工作日
    内地交货(含增值税)
    9-18工作日
  • 800+ $1.9895 ¥17.4479
  • 1600+ $1.9376 ¥16.9928
  • 2400+ $1.903 ¥16.6893
合计:¥13,958.32
标准包装数量:800

SI4143DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4143DY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 6W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 167nC@ 10 V 1个P沟道 30V 6.2mΩ@ 12A,10V 25.3A 6.63nF@15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
    6W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 167nC@ 10 V 1个P沟道 30V 6.2mΩ@ 12A,10V 25.3A 6.63nF@15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
  • 库   存:91213
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 2500+ $0.4198 ¥3.3961
  • 5000+ $0.3888 ¥3.1452
  • 7500+ $0.373 ¥3.0173
  • 12500+ $0.3552 ¥2.8738
  • 17500+ $0.3447 ¥2.7887
  • 25000+ $0.3385 ¥2.7385
合计:¥8,490.25
标准包装数量:1

SQJB04ELP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJB04ELP-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
    MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
  • 库   存:16695
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.4417 ¥3.5737
  • 6000+ $0.4104 ¥3.3202
  • 9000+ $0.3944 ¥3.191
  • 15000+ $0.3765 ¥3.0459
  • 21000+ $0.3684 ¥2.9806
合计:¥10,721.10
标准包装数量:1

SIJ186DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIJ186DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 5W(Ta),57W(Tc) 20V 3.6V@ 250µA 37nC@ 10 V 1个N沟道 60V 4.5mΩ@ 15A,10V 79.4A 1.71nF@30V 贴片安装
    5W(Ta),57W(Tc) 20V 3.6V@ 250µA 37nC@ 10 V 1个N沟道 60V 4.5mΩ@ 15A,10V 79.4A 1.71nF@30V 贴片安装
  • 库   存:8360
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.6196 ¥5.0128
  • 6000+ $0.5789 ¥4.6832
  • 9000+ $0.5581 ¥4.5154
  • 15000+ $0.5472 ¥4.4269
合计:¥15,038.40
标准包装数量:1

SI4124DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4124DY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:3897
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 2500+ $0.9514 ¥7.6972
  • 5000+ $0.893 ¥7.2248
  • 7500+ $0.8794 ¥7.1143
合计:¥19,243.00
标准包装数量:1

IRF620STRRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF620STRRPBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: 3W(Ta),50W(Tc) 20V 4V@ 250µA 14nC@ 10 V 1个N沟道 200V 800mΩ@ 3.1A,10V 5.2A 260pF@25V D2PAK 贴片安装
    3W(Ta),50W(Tc) 20V 4V@ 250µA 14nC@ 10 V 1个N沟道 200V 800mΩ@ 3.1A,10V 5.2A 260pF@25V D2PAK 贴片安装
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 800+ $1.0576 ¥8.5558
  • 1600+ $0.9807 ¥7.934
  • 2400+ $0.9415 ¥7.6173
  • 4000+ $0.8976 ¥7.2615
  • 5600+ $0.8715 ¥7.051
  • 8000+ $0.8649 ¥6.9975
合计:¥6,844.64
标准包装数量:1

SQS484ENW-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQS484ENW-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 62.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 40V 8mΩ@ 10A,10V 16A 1.8nF@25V 贴片安装
    62.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 40V 8mΩ@ 10A,10V 16A 1.8nF@25V 贴片安装
  • 库   存:758
  • 起订量:13
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ $1.3073 ¥10.5759
  • 100+ $0.879 ¥7.1109
  • 500+ $0.6953 ¥5.6249
  • 1000+ $0.6362 ¥5.1468
合计:¥137.49
标准包装数量:1

SIR104DP-T1-RE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR104DP-T1-RE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 5.4W(Ta),100W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 84nC@ 10 V 1个N沟道 100V 6.4mΩ@ 15A,10V 18.3A,79A 4.23nF@50V SOIC-8 贴片安装
    5.4W(Ta),100W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 84nC@ 10 V 1个N沟道 100V 6.4mΩ@ 15A,10V 18.3A,79A 4.23nF@50V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:3459
  • 起订量:65
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-9工作日
    内地交货(含增值税)
    9-11工作日
  • 65+ $1.55 ¥13.175
  • 200+ $1.49 ¥12.665
  • 700+ $1.43 ¥12.155
  • 1900+ $1.37 ¥11.645
合计:¥856.38
标准包装数量:1

SIHP25N50E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHP25N50E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay, 场效应管Mosfet
    Vishay, 场效应管Mosfet
  • 库   存:255
  • 起订量:55
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-9工作日
    内地交货(含增值税)
    9-11工作日
  • 55+ $1.87 ¥15.895
  • 150+ $1.79 ¥15.215
合计:¥874.23
标准包装数量:1

SIHB22N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB22N60EF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 19 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 19 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:749
  • 起订量:45
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-9工作日
    内地交货(含增值税)
    9-11工作日
  • 45+ $2.35 ¥19.975
  • 150+ $2.26 ¥19.21
  • 500+ $2.17 ¥18.445
合计:¥898.88
标准包装数量:1

VS-FC420SA15 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VS-FC420SA15
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOT-227
  • 描述: 909W(Tc) 20V 5.4V@1mA 250nC@ 10 V 1个N沟道 150V 2.75mΩ@ 200A,10V 400A 13.7nF@25V SOT-227 底座安装,贴片安装
    909W(Tc) 20V 5.4V@1mA 250nC@ 10 V 1个N沟道 150V 2.75mΩ@ 200A,10V 400A 13.7nF@25V SOT-227 底座安装,贴片安装
  • 库   存:1011
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 1+ $29.3475 ¥237.4274
  • 10+ $21.377 ¥172.944
  • 10+ $21.377 ¥172.944
合计:¥237.43
标准包装数量:1
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