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SI2333DDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2333DDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:438
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9265
  • 50+ ¥0.741
  • 150+ ¥0.6947
  • 500+ ¥0.651
  • 3000+ ¥0.625
合计:¥4.63
标准包装数量:3000

SI2347DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2347DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 5 A, TO-236封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 5 A, TO-236封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:28034
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4501
  • 50+ ¥1.1808
  • 150+ ¥1.0628
  • 500+ ¥0.876
  • 3000+ ¥0.7599
  • 6000+ ¥0.7242
合计:¥7.25
标准包装数量:3000

IRFL014TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL014TRPBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.7 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.7 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:797
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.6245
  • 10+ ¥2.3179
  • 30+ ¥2.1982
  • 100+ ¥2.0396
  • 500+ ¥1.8811
  • 1000+ ¥1.8414
合计:¥2.62
标准包装数量:2500

SI4435FDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4435FDY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 4.8W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个P沟道 30V 19mΩ@ 9A,10V 12.6A 1.5nF@15V SOIC-8 贴片安装
    4.8W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个P沟道 30V 19mΩ@ 9A,10V 12.6A 1.5nF@15V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:1981
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.8064
  • 10+ ¥2.2294
  • 30+ ¥1.9806
  • 100+ ¥1.5804
  • 500+ ¥1.458
  • 1000+ ¥1.3732
合计:¥2.81
标准包装数量:2500

SQJ138EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ138EP-T1_GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道MOS管, Vds=40 V, 330 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 4引脚
    Vishay N沟道MOS管, Vds=40 V, 330 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 4引脚
  • 库   存:79
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.8
  • 10+ ¥3.3
  • 30+ ¥2.9
  • 100+ ¥2.7
合计:¥3.80
标准包装数量:3000

IRF530PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF530PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 14 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 14 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.165
  • 10+ ¥3.4188
  • 50+ ¥2.8765
  • 100+ ¥2.5176
  • 500+ ¥2.2986
  • 1000+ ¥2.1884
合计:¥4.17
标准包装数量:50

SIR426DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR426DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 4.8W(Ta),41.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 40V 10.5mΩ@ 15A,10V 30A 1.16nF@20V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    4.8W(Ta),41.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 40V 10.5mΩ@ 15A,10V 30A 1.16nF@20V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:14628
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.0378
  • 10+ ¥4.2813
  • 30+ ¥3.8406
  • 100+ ¥3.4126
  • 500+ ¥3.2432
  • 1000+ ¥3.1208
合计:¥5.04
标准包装数量:3000

SI7288DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7288DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:5999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.0975
  • 10+ ¥5.0281
  • 30+ ¥4.4888
  • 100+ ¥3.88
  • 500+ ¥3.0253
  • 1000+ ¥2.862
合计:¥6.10
标准包装数量:3000

SI7611DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7611DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:1212
  • 描述: 3.7W(Ta),39W(Tc) 20V 3V@ 250µA 62nC@ 10 V 1个P沟道 40V 25mΩ@ 9.3A,10V 18A 1.98nF@20V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
    3.7W(Ta),39W(Tc) 20V 3V@ 250µA 62nC@ 10 V 1个P沟道 40V 25mΩ@ 9.3A,10V 18A 1.98nF@20V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
  • 库   存:3015
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.2945
  • 10+ ¥5.6534
  • 30+ ¥5.3172
  • 100+ ¥4.8711
  • 500+ ¥4.4895
  • 1000+ ¥4.2591
合计:¥6.29
标准包装数量:3000

SI4909DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4909DY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 6.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 6.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:4985
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.8568
  • 10+ ¥5.77
  • 30+ ¥5.1568
  • 100+ ¥4.2648
  • 500+ ¥3.7711
  • 1000+ ¥3.6407
合计:¥6.86
标准包装数量:2500

IRF740STRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF740STRLPBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: 3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 63nC@ 10 V 1个N沟道 400V 550mΩ@ 6A,10V 10A 1.4nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 4.83mm(高度)
    3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 63nC@ 10 V 1个N沟道 400V 550mΩ@ 6A,10V 10A 1.4nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 4.83mm(高度)
  • 库   存:11999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.4429
  • 10+ ¥5.9669
  • 30+ ¥5.2487
  • 100+ ¥4.5351
合计:¥7.44
标准包装数量:800

SI7469DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7469DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 5.2W(Ta),83.3W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 80V 25mΩ@ 10.2A,10V 28A 4.7nF@40V QFN-8 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    5.2W(Ta),83.3W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 80V 25mΩ@ 10.2A,10V 28A 4.7nF@40V QFN-8 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:4619
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.8778
  • 10+ ¥8.3776
  • 30+ ¥7.4428
  • 100+ ¥6.1543
  • 500+ ¥5.7387
  • 1000+ ¥5.5585
合计:¥9.88
标准包装数量:3000

SI7450DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7450DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY(威世)
  • 封装:--
  • 描述: 1.9W(Ta) 20V 4.5V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个N沟道 200V 80mΩ@ 4A,10V 3.2A 2.38nF 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    1.9W(Ta) 20V 4.5V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个N沟道 200V 80mΩ@ 4A,10V 3.2A 2.38nF 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:39
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.4085
  • 10+ ¥9.9865
  • 100+ ¥9.4744
  • 500+ ¥9.0122
  • 1000+ ¥8.6941
合计:¥10.41
标准包装数量:3000

SUD50P06-15-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD50P06-15-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 50 A, TO-252AA封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 50 A, TO-252AA封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:808
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.6929
  • 10+ ¥9.1633
  • 30+ ¥8.2027
  • 100+ ¥7.2226
  • 500+ ¥6.7718
  • 1000+ ¥6.5856
合计:¥10.69
标准包装数量:2000

SIHG20N50C-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG20N50C-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 20 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 20 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:46
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.1832
  • 10+ ¥9.1026
  • 25+ ¥7.7964
  • 100+ ¥6.1822
  • 500+ ¥5.6422
  • 1000+ ¥5.3907
合计:¥11.18
标准包装数量:25

SUD50P10-43L-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD50P10-43L-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 8.3W(Ta),136W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 100V 43mΩ@ 9.2A,10V 37.1A 4.6nF@50V TO-252AA 贴片安装 2.51mm(高度)
    8.3W(Ta),136W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 100V 43mΩ@ 9.2A,10V 37.1A 4.6nF@50V TO-252AA 贴片安装 2.51mm(高度)
  • 库   存:2226
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.2663
  • 10+ ¥10.3981
  • 30+ ¥9.918
  • 100+ ¥9.2388
  • 500+ ¥6.3415
  • 1000+ ¥6.2376
合计:¥11.27
标准包装数量:2000

SUD50P10-43L-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD50P10-43L-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252
  • 描述: 8.3W(Ta),136W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 100V 43mΩ@ 9.2A,10V 37.1A 4.6nF@50V TO-252 贴片安装 2.51mm(高度)
    8.3W(Ta),136W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 100V 43mΩ@ 9.2A,10V 37.1A 4.6nF@50V TO-252 贴片安装 2.51mm(高度)
  • 库   存:1111
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.6939
  • 10+ ¥11.5447
  • 30+ ¥10.8098
  • 100+ ¥10.0765
  • 500+ ¥9.7514
  • 1000+ ¥9.6138
合计:¥12.69
标准包装数量:2000

SIRS4301DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRS4301DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 7.4W 20V 365nC@ 10V,170nC@ 4.5V 1个P沟道 30V 1.5mΩ@ 10V 227A 19.75nF@ 15V SOIC-8 贴片安装
    7.4W 20V 365nC@ 10V,170nC@ 4.5V 1个P沟道 30V 1.5mΩ@ 10V 227A 19.75nF@ 15V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:231
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥16.9714
  • 100+ ¥15.3166
  • 500+ ¥14.4892
  • 1000+ ¥13.8255
合计:¥16.97
标准包装数量:3000

SIHG105N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG105N60EF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 SiHG105N60EF系列, Vds=600 V, 29 A, TO-247AC封装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 SiHG105N60EF系列, Vds=600 V, 29 A, TO-247AC封装, 3引脚
  • 库   存:25
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    1-2工作日
    内地交货(含增值税)
    2-3工作日
  • 1+ $2.56 ¥20.521 ¥21.376
合计:¥20.52
标准包装数量:500

SUM90P10-19L-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUM90P10-19L-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: Vishay, 场效应管Mosfet
    Vishay, 场效应管Mosfet
  • 库   存:343
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥23.1825
  • 10+ ¥19.4858
  • 30+ ¥17.5153
  • 100+ ¥15.6615
  • 100+ ¥15.6615
合计:¥23.18
标准包装数量:800
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