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SI2309CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2309CDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:80
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8151
  • 50+ ¥0.6523
  • 150+ ¥0.5687
  • 500+ ¥0.5003
  • 3000+ ¥0.4765
  • 6000+ ¥0.4605
合计:¥4.08
标准包装数量:3000

SI2333DDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2333DDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.9265
  • 50+ ¥0.741
  • 150+ ¥0.6947
  • 500+ ¥0.651
  • 3000+ ¥0.625
合计:¥0.93
标准包装数量:3000

SI1012CR-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1012CR-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SC-75A
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 630 mA, SC-75封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 630 mA, SC-75封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1051
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.5756
  • 50+ ¥1.255
  • 150+ ¥1.1174
  • 500+ ¥0.946
  • 3000+ ¥0.8699
  • 6000+ ¥0.8243
合计:¥15.76
标准包装数量:3000

SI2336DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2336DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 1.25W(Ta),1.8W(Tc) 8V 1V@ 250µA 15nC@ 8V 1个N沟道 30V 42mΩ@ 3.8A,4.5V 5.2A 560pF@15V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
    1.25W(Ta),1.8W(Tc) 8V 1V@ 250µA 15nC@ 8V 1个N沟道 30V 42mΩ@ 3.8A,4.5V 5.2A 560pF@15V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:140
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.6115
  • 10+ ¥1.4656
  • 30+ ¥1.2932
  • 100+ ¥1.0743
  • 500+ ¥0.9542
  • 1000+ ¥0.865
合计:¥1.61
标准包装数量:3000

IRFL014TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL014TRPBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.7 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.7 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:725
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.6176
  • 10+ ¥2.3185
  • 30+ ¥2.1981
  • 100+ ¥2.0396
  • 500+ ¥1.8811
  • 1000+ ¥1.8415
合计:¥2.62
标准包装数量:2500

SQJ138EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ138EP-T1_GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道MOS管, Vds=40 V, 330 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 4引脚
    Vishay N沟道MOS管, Vds=40 V, 330 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 4引脚
  • 库   存:79
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.8
  • 10+ ¥3.3
  • 30+ ¥2.9
  • 100+ ¥2.7
合计:¥3.80
标准包装数量:3000

SI7137DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7137DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 6.25W(Ta),104W(Tc) 12V 1.4V@ 250µA 585nC@ 10 V 1个P沟道 20V 1.95mΩ@ 25A,10V 60A 20nF@10V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    6.25W(Ta),104W(Tc) 12V 1.4V@ 250µA 585nC@ 10 V 1个P沟道 20V 1.95mΩ@ 25A,10V 60A 20nF@10V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:30358
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.1869
  • 10+ ¥3.3781
  • 30+ ¥2.9703
  • 100+ ¥2.5642
  • 500+ ¥2.3265
  • 1000+ ¥2.2077
合计:¥4.19
标准包装数量:3000

IRF840PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF840PBF
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 63nC@ 10 V 1个N沟道 500V 850mΩ@ 4.8A,10V 8A 1.3nF@25V TO-220AB 通孔安装 9.14mm(高度)
    125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 63nC@ 10 V 1个N沟道 500V 850mΩ@ 4.8A,10V 8A 1.3nF@25V TO-220AB 通孔安装 9.14mm(高度)
  • 库   存:129
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.1893
  • 10+ ¥3.3857
  • 50+ ¥2.7101
  • 100+ ¥2.3004
  • 500+ ¥2.0661
  • 1000+ ¥1.9408
合计:¥4.19
标准包装数量:50

SISS27DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SISS27DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:PPAK-1212-8
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 23 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 23 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:1209
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.3999
  • 10+ ¥3.5461
  • 30+ ¥3.1098
  • 100+ ¥2.7035
  • 500+ ¥2.4058
  • 1000+ ¥2.2771
合计:¥4.40
标准包装数量:3000

IRFR9220TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9220TRPBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:DPAK
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 3.6 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 3.6 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:234
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.1752
  • 10+ ¥4.4047
  • 30+ ¥4.0133
  • 100+ ¥3.6334
合计:¥5.18
标准包装数量:2000

SI7288DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7288DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:4564
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.4726
  • 10+ ¥5.3332
  • 30+ ¥4.7638
  • 100+ ¥4.2149
  • 500+ ¥3.2928
  • 1000+ ¥3.1262
合计:¥6.47
标准包装数量:3000

SI7469DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7469DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 5.2W(Ta),83.3W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 80V 25mΩ@ 10.2A,10V 28A 4.7nF@40V QFN-8 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    5.2W(Ta),83.3W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 80V 25mΩ@ 10.2A,10V 28A 4.7nF@40V QFN-8 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:4172
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.5166
  • 10+ ¥7.9824
  • 30+ ¥7.0189
  • 100+ ¥6.036
  • 500+ ¥5.5966
  • 1000+ ¥5.4077
合计:¥9.52
标准包装数量:3000

SI7155DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7155DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:--
  • 描述: 6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 330nC@ 10 V 1个P沟道 40V 3.6mΩ@ 20A,10V 31A,100A 12.9nF@20V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 330nC@ 10 V 1个P沟道 40V 3.6mΩ@ 20A,10V 31A,100A 12.9nF@20V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:19
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.6027
  • 10+ ¥7.9229
  • 30+ ¥7.1082
  • 100+ ¥6.2809
  • 500+ ¥5.9121
  • 1000+ ¥5.7411
合计:¥9.60
标准包装数量:3000

SUD50P06-15-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD50P06-15-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 50 A, TO-252AA封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 50 A, TO-252AA封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:14000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.0492
  • 10+ ¥9.2669
  • 30+ ¥8.1956
  • 100+ ¥7.087
  • 500+ ¥6.5869
  • 1000+ ¥6.37
合计:¥11.05
标准包装数量:2000

SUD50P10-43L-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD50P10-43L-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252
  • 描述: 8.3W(Ta),136W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 100V 43mΩ@ 9.2A,10V 37.1A 4.6nF@50V TO-252 贴片安装 2.51mm(高度)
    8.3W(Ta),136W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 100V 43mΩ@ 9.2A,10V 37.1A 4.6nF@50V TO-252 贴片安装 2.51mm(高度)
  • 库   存:1111
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.6327
  • 10+ ¥11.5129
  • 30+ ¥10.8133
  • 100+ ¥10.083
  • 500+ ¥9.7569
  • 1000+ ¥9.6169
合计:¥12.63
标准包装数量:2000

SI7450DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7450DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY(威世)
  • 封装:--
  • 描述: 1.9W(Ta) 20V 4.5V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个N沟道 200V 80mΩ@ 4A,10V 3.2A 2.38nF 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    1.9W(Ta) 20V 4.5V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个N沟道 200V 80mΩ@ 4A,10V 3.2A 2.38nF 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:39
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥13.0002
  • 10+ ¥10.9014
  • 30+ ¥9.384
  • 100+ ¥8.1204
  • 500+ ¥7.5638
  • 1000+ ¥7.3258
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

SI7611DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7611DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:1212
  • 描述: 3.7W(Ta),39W(Tc) 20V 3V@ 250µA 62nC@ 10 V 1个P沟道 40V 25mΩ@ 9.3A,10V 18A 1.98nF@20V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
    3.7W(Ta),39W(Tc) 20V 3V@ 250µA 62nC@ 10 V 1个P沟道 40V 25mΩ@ 9.3A,10V 18A 1.98nF@20V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
  • 库   存:2719
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥16.0389
  • 10+ ¥14.1498
  • 30+ ¥12.9461
合计:¥16.04
标准包装数量:3000

SIRS4301DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRS4301DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 7.4W 20V 365nC@ 10V,170nC@ 4.5V 1个P沟道 30V 1.5mΩ@ 10V 227A 19.75nF@ 15V SOIC-8 贴片安装
    7.4W 20V 365nC@ 10V,170nC@ 4.5V 1个P沟道 30V 1.5mΩ@ 10V 227A 19.75nF@ 15V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:225
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥16.9714
  • 100+ ¥15.3166
  • 500+ ¥14.4892
  • 1000+ ¥13.8255
合计:¥16.97
标准包装数量:3000

SIHG105N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG105N60EF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 SiHG105N60EF系列, Vds=600 V, 29 A, TO-247AC封装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 SiHG105N60EF系列, Vds=600 V, 29 A, TO-247AC封装, 3引脚
  • 库   存:25
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    1-2工作日
    内地交货(含增值税)
    2-3工作日
  • 1+ $2.56 ¥21.376
合计:¥21.38
标准包装数量:500

SQ3585EV-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ3585EV-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: 1.67W 12V 1.5V@ 250µA 2.5nC@ 4.5V,3.5nC@ 4.5V 2N+2P沟道 20V 77mΩ@ 1A,4.5V,166mΩ@ 1A,4.5V 3.57A,2.5A 220pF TSOP-6 贴片安装
    1.67W 12V 1.5V@ 250µA 2.5nC@ 4.5V,3.5nC@ 4.5V 2N+2P沟道 20V 77mΩ@ 1A,4.5V,166mΩ@ 1A,4.5V 3.57A,2.5A 220pF TSOP-6 贴片安装
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥35.6536
  • 10+ ¥34.2082
  • 100+ ¥32.4539
  • 500+ ¥30.8708
  • 500+ ¥30.8708
合计:¥35.65
标准包装数量:3000
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