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SI2324DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2324DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 20V 2.9V@ 250µA 10.4nC@ 10 V 1个N沟道 100V 234mΩ@ 1.5A,10V 2.3A 190pF@50V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
    1.25W(Ta),2.5W(Tc) 20V 2.9V@ 250µA 10.4nC@ 10 V 1个N沟道 100V 234mΩ@ 1.5A,10V 2.3A 190pF@50V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-14工作日
    内地交货(含增值税)
    15-17工作日
  • 3000+ $0.1885 ¥1.5968
  • 30000+ $0.1885 ¥1.5968
合计:¥4,790.40
标准包装数量:0

SIRA10BDP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRA10BDP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:PPAKSO-8
  • 描述: 5W(Ta),43W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 36.2nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.6mΩ@ 10A,10V 30A,60A 1.71nF@15V PPAKSO-8 贴片安装 5mm(宽度)
    5W(Ta),43W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 36.2nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.6mΩ@ 10A,10V 30A,60A 1.71nF@15V PPAKSO-8 贴片安装 5mm(宽度)
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-7工作日
  • 3000+ ¥1.6001
  • 6000+ ¥1.5734
  • 9000+ ¥1.5601
  • 15000+ ¥1.5334
合计:¥4,800.30
标准包装数量:0

SIS4604LDN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS4604LDN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: N沟道MOS管, Vds=60 V, 45.9 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
    N沟道MOS管, Vds=60 V, 45.9 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:5868
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 3000+ ¥3.623
  • 9000+ ¥3.5502
合计:¥10,869.00
标准包装数量:0

SQJB70EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJB70EP-T1_GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: 27W 20V 3.5V@ 250µA 7nC@ 10V 2个N沟道 100V 95mΩ@ 4A,10V 11.3A 220pF@25V 贴片安装
    27W 20V 3.5V@ 250µA 7nC@ 10V 2个N沟道 100V 95mΩ@ 4A,10V 11.3A 220pF@25V 贴片安装
  • 库   存:4124
  • 起订量:89
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 10+ $0.5381 ¥4.5199
  • 100+ $0.525 ¥4.4464
  • 500+ $0.5162 ¥4.3362
  • 1000+ $0.5031 ¥4.226
  • 5000+ $0.4943 ¥4.1525
合计:¥402.27
标准包装数量:0

IRFD220PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFD220PBF
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:HVMDIP-4
  • 描述: Vishay, 场效应管Mosfet
    Vishay, 场效应管Mosfet
  • 库   存:87
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-16工作日
  • 1+ ¥4.5348
  • 10+ ¥4.4559
  • 100+ ¥4.377
  • 500+ ¥4.2588
  • 1000+ ¥3.9433
合计:¥222.80
标准包装数量:1

IRFI9Z34GPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFI9Z34GPBF
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-220-3
  • 描述: 42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 34nC@ 10 V 1个P沟道 60V 140mΩ@ 7.2A,10V 12A 1.1nF@25V TO-220-3 通孔安装
    42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 34nC@ 10 V 1个P沟道 60V 140mΩ@ 7.2A,10V 12A 1.1nF@25V TO-220-3 通孔安装
  • 库   存:450
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-14工作日
    内地交货(含增值税)
    15-17工作日
  • 50+ $0.6521 ¥5.5231
  • 500+ $0.6521 ¥5.5231
合计:¥1,104.62
标准包装数量:0

SIHF640S-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHF640S-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-263
  • 描述: 3.1W(Ta),130W(Tc) 20V 4V@ 250µA 70nC@ 10 V 1个N沟道 200V 180mΩ@ 11A,10V 1.3nF@25V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
    3.1W(Ta),130W(Tc) 20V 4V@ 250µA 70nC@ 10 V 1个N沟道 200V 180mΩ@ 11A,10V 1.3nF@25V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
  • 库   存:200
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-14工作日
    内地交货(含增值税)
    15-17工作日
  • 50+ $0.6521 ¥5.5231
  • 500+ $0.6521 ¥5.5231
合计:¥1,104.62
标准包装数量:0

IRF640PBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF640PBF-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 70nC@ 10 V 1个N沟道 200V 180mΩ@ 11A,10V 18A 1.3nF@25V TO-220AB 通孔安装
    125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 70nC@ 10 V 1个N沟道 200V 180mΩ@ 11A,10V 18A 1.3nF@25V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:29700
  • 起订量:250
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 中国香港
    14-19工作日
    内地交货(含增值税)
    15-19工作日
  • 100+ $0.7847 ¥6.6703
  • 500+ $0.7584 ¥6.4464
  • 1000+ $0.75 ¥6.375
  • 2000+ $0.7428 ¥6.3138
  • 3000+ $0.7356 ¥6.2526
  • 5000+ $0.7284 ¥6.1914
合计:¥1,667.58
标准包装数量:1

SQJQ150E-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJQ150E-T1_GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道MOS管, Vds=40 V, 233 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 4引脚
    Vishay N沟道MOS管, Vds=40 V, 233 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 4引脚
  • 库   存:304
  • 起订量:48
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 10+ $0.9939 ¥8.3484
  • 100+ $0.9696 ¥8.2126
合计:¥400.72
标准包装数量:0

IRF644STRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF644STRLPBF
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: 3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 68nC@ 10 V 1个N沟道 250V 280mΩ@ 8.4A,10V 14A 1.3nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装
    3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 68nC@ 10 V 1个N沟道 250V 280mΩ@ 8.4A,10V 14A 1.3nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装
  • 库   存:758
  • 起订量:43
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 10+ $1.1334 ¥9.5209
  • 100+ $1.1058 ¥9.3661
  • 500+ $1.0874 ¥9.1339
  • 1000+ $1.0597 ¥8.9017
  • 5000+ $1.0413 ¥8.7469
合计:¥409.40
标准包装数量:0

SIRC04DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRC04DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SOIC
  • 描述: 50W(Tc) 20V,16V 2.1V@ 250µA 56nC@ 10 V 1个N沟道 30V 2.45mΩ@ 15A,10V 60A 2.85nF@15V SOIC 贴片安装
    50W(Tc) 20V,16V 2.1V@ 250µA 56nC@ 10 V 1个N沟道 30V 2.45mΩ@ 15A,10V 60A 2.85nF@15V SOIC 贴片安装
  • 库   存:614
  • 起订量:41
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 10+ $1.1871 ¥9.9719
  • 100+ $1.1582 ¥9.8098
  • 500+ $1.1389 ¥9.5666
  • 1000+ $1.1099 ¥9.3234
  • 5000+ $1.0906 ¥9.1612
合计:¥408.85
标准包装数量:0

SUD35N10-26P-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD35N10-26P-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 8.3W(Ta),83W(Tc) 4.4V@ 250µA 47nC@ 10 V 1个N沟道 100V 26mΩ@ 12A,10V 12A;35A 2nF@12V TO-252AA 贴片安装
    8.3W(Ta),83W(Tc) 4.4V@ 250µA 47nC@ 10 V 1个N沟道 100V 26mΩ@ 12A,10V 12A;35A 2nF@12V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:4000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    14-19工作日
    内地交货(含增值税)
    15-19工作日
  • 2000+ $1.1904 ¥10.1184
  • 4000+ $1.1316 ¥9.6186
  • 6000+ $1.092 ¥9.282
合计:¥20,236.80
标准包装数量:1

SQM40N10-30_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM40N10-30_GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-263
  • 描述: 107W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 62nC@ 10 V 1个N沟道 100V 30mΩ@ 15A,10V 40A 3.345nF@25V TO-263 贴片安装
    107W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 62nC@ 10 V 1个N沟道 100V 30mΩ@ 15A,10V 40A 3.345nF@25V TO-263 贴片安装
  • 库   存:1114
  • 起订量:18
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-16工作日
  • 1+ ¥12.6474
  • 10+ ¥12.4274
  • 100+ ¥12.2075
  • 500+ ¥10.9977
合计:¥223.69
标准包装数量:1

SUD25N15-52-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD25N15-52-BE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 3W(Ta),136W(Tc) 4V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 150V 52mΩ@ 5A,10V 25A 1.725nF@25V TO-252AA 贴片安装
    3W(Ta),136W(Tc) 4V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 150V 52mΩ@ 5A,10V 25A 1.725nF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:8000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥15.2889
  • 4000+ ¥15.1646
  • 6000+ ¥14.916
  • 10000+ ¥14.6674
合计:¥30,577.80
标准包装数量:2000

SIHA25N50E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHA25N50E-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TO-220
  • 描述: 35W(Tc) 4V@ 250µA 86nC@ 10 V 1个N沟道 500V 145mΩ@ 12A,10V 26A 1.98nF@100V TO-220 通孔安装 15.3mm(高度)
    35W(Tc) 4V@ 250µA 86nC@ 10 V 1个N沟道 500V 145mΩ@ 12A,10V 26A 1.98nF@100V TO-220 通孔安装 15.3mm(高度)
  • 库   存:832
  • 起订量:17
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥17.5409
  • 10+ ¥15.1122
  • 100+ ¥14.8423
  • 500+ ¥14.5724
  • 1000+ ¥14.5724
合计:¥256.91
标准包装数量:0

SIHH080N60E-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHH080N60E-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 E Series系列, Vds=650 V, 32 A, PowerPAK 8 x 8封装, 表面贴装, 4引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 E Series系列, Vds=650 V, 32 A, PowerPAK 8 x 8封装, 表面贴装, 4引脚
  • 库   存:7620
  • 起订量:11
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥27.8683
  • 10+ ¥24.97
  • 100+ ¥24.0782
  • 500+ ¥24.0782
  • 1000+ ¥24.0782
合计:¥274.67
标准包装数量:0

SIHA24N65EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHA24N65EF-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TO-220
  • 描述: 39W(Tc) 4V@ 250µA 122nC@ 10 V 1个N沟道 650V 156mΩ@ 12A,10V 10A 2.774nF@100V TO-220 通孔安装
    39W(Tc) 4V@ 250µA 122nC@ 10 V 1个N沟道 650V 156mΩ@ 12A,10V 10A 2.774nF@100V TO-220 通孔安装
  • 库   存:152
  • 起订量:9
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥31.2389
  • 10+ ¥27.99
  • 100+ ¥26.9904
  • 500+ ¥26.9904
  • 1000+ ¥26.9904
合计:¥281.15
标准包装数量:0

SIHFR9024TR-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHFR9024TR-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个P沟道 60V 280mΩ@ 5.3A,10V 8.8A 570pF@25V TO-252AA 贴片安装
    2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个P沟道 60V 280mΩ@ 5.3A,10V 8.8A 570pF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:1387
  • 起订量:76
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 50+ $0.6858 ¥5.6849
  • 100+ $0.609 ¥5.0488
  • 500+ $0.4742 ¥3.9309
合计:¥432.05
标准包装数量:1

SIS888DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS888DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 52W(Tc) 20V 4.2V@ 250µA 14.5nC@ 10 V 1个N沟道 150V 58mΩ@ 10A,10V 20.2A 420pF@75V 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
    52W(Tc) 20V 4.2V@ 250µA 14.5nC@ 10 V 1个N沟道 150V 58mΩ@ 10A,10V 20.2A 420pF@75V 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
  • 库   存:8000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.7104 ¥5.8891
  • 9000+ $0.6416 ¥5.3192
合计:¥17,667.30
标准包装数量:1

VP0808B 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VP0808B
  • 厂牌:Siliconix
  • 封装:TO-39
  • 描述: 6.25W(Ta) 4.5V@1mA 1个P沟道 80V 5Ω@ 1A,10V 150pF@25V TO-39 通孔安装 8.51mm*8.51mm*4.57mm
    6.25W(Ta) 4.5V@1mA 1个P沟道 80V 5Ω@ 1A,10V 150pF@25V TO-39 通孔安装 8.51mm*8.51mm*4.57mm
  • 库   存:647
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-5周
    内地交货(含增值税)
    4-5周
  • 9000+ $0.6416 ¥5.3192
合计:¥5,488.94
标准包装数量:1
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