处理中...

{{item.name}}

SI3424CDV-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI3424CDV-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: 3.6W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 12.5nC@ 10 V 1个N沟道 30V 26mΩ@ 7.2A,10V 8A 405pF@15V TSOP-6 贴片安装 3.05mm*1.65mm*1mm
    3.6W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 12.5nC@ 10 V 1个N沟道 30V 26mΩ@ 7.2A,10V 8A 405pF@15V TSOP-6 贴片安装 3.05mm*1.65mm*1mm
  • 库   存:60000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 3000+ ¥0.7836
  • 6000+ ¥0.764
  • 9000+ ¥0.7444
  • 12000+ ¥0.7314
合计:¥2,350.80
标准包装数量:3000

SI1012X-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1012X-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SC-89-3
  • 描述: 250mW(Ta) 900mV@ 250µA 0.75nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 700mΩ@ 600mA,4.5V SC-89-3 贴片安装 1.6mm*850μm*800μm
    250mW(Ta) 900mV@ 250µA 0.75nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 700mΩ@ 600mA,4.5V SC-89-3 贴片安装 1.6mm*850μm*800μm
  • 库   存:24000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    12-19工作日
  • 3000+ $0.1092 ¥0.9227
合计:¥2,768.10
标准包装数量:3000

SIZ340BDT-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIZ340BDT-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 69.3 A, PowerPAIR 3 x 3S封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 69.3 A, PowerPAIR 3 x 3S封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:48000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 3000+ ¥1.7831
合计:¥5,349.30
标准包装数量:3000

SQ2361CES-T1_BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2361CES-T1_BE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: MOSFET, P-CH, 60V, 2.8A, SOT-23;
    MOSFET, P-CH, 60V, 2.8A, SOT-23;
  • 库   存:1603
  • 起订量:180
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 100+ $0.2631 ¥2.2282
  • 500+ $0.2587 ¥2.1729
  • 1000+ $0.2521 ¥2.1177
  • 5000+ $0.2477 ¥2.0808
合计:¥401.08
标准包装数量:0

SQ3419EEV-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ3419EEV-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: 5W(Tc) 2.5V@ 250µA 15nC@ 4.5 V 1个P沟道 40V 50mΩ@ 2.5A,10V 7.4A 1.065nF@20V TSOP-6 贴片安装 3.1mm*1.7mm*1mm
    5W(Tc) 2.5V@ 250µA 15nC@ 4.5 V 1个P沟道 40V 50mΩ@ 2.5A,10V 7.4A 1.065nF@20V TSOP-6 贴片安装 3.1mm*1.7mm*1mm
  • 库   存:2296
  • 起订量:750
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 750+ ¥2.3876
  • 1500+ ¥2.1738
合计:¥1,790.70
标准包装数量:0

SI7619DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7619DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:1212
  • 描述: 3.5W(Ta),27.8W(Tc) 20V 3V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个P沟道 30V 21mΩ@ 10.5A,10V 24A 1.35nF@15V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
    3.5W(Ta),27.8W(Tc) 20V 3V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个P沟道 30V 21mΩ@ 10.5A,10V 24A 1.35nF@15V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
  • 库   存:15000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    8-16工作日
    内地交货(含增值税)
    9-18工作日
  • 3000+ $0.288 ¥2.448
合计:¥7,344.00
标准包装数量:1

SIS626DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS626DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: 52W(Tc) 12V 1.4V@ 250µA 60nC@ 10V 1个N沟道 25V 9mΩ@ 10A,10V 16A 1.925nF@15V 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
    52W(Tc) 12V 1.4V@ 250µA 60nC@ 10V 1个N沟道 25V 9mΩ@ 10A,10V 16A 1.925nF@15V 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
  • 库   存:6000
  • 起订量:1166
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    8-18工作日
    内地交货(含增值税)
    9-19工作日
  • 1+ $0.429 ¥3.6251
合计:¥4,226.87
标准包装数量:1

SI4931DY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4931DY-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2KW 8V 1V@ 350µA 52nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 18mΩ@ 8.9A,4.5V 6.7A SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
    2KW 8V 1V@ 350µA 52nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 18mΩ@ 8.9A,4.5V 6.7A SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
  • 库   存:150
  • 起订量:150
  • 增   量:150
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-7工作日
  • 50+ ¥4.88
  • 250+ ¥4.72
  • 500+ ¥4.64
  • 1000+ ¥4.6
合计:¥732.00
标准包装数量:150

SIHF640S-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHF640S-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-263
  • 描述: 3.1W(Ta),130W(Tc) 20V 4V@ 250µA 70nC@ 10 V 1个N沟道 200V 180mΩ@ 11A,10V 1.3nF@25V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
    3.1W(Ta),130W(Tc) 20V 4V@ 250µA 70nC@ 10 V 1个N沟道 200V 180mΩ@ 11A,10V 1.3nF@25V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
  • 库   存:200
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-14工作日
    内地交货(含增值税)
    15-17工作日
  • 50+ $0.6521 ¥5.5231
  • 500+ $0.6521 ¥5.5231
合计:¥1,104.62
标准包装数量:0

SI4936ADY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4936ADY-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2W 20V 3V@ 250µA 20nC@ 10V 2个N沟道 30V 36mΩ@ 5.9A,10V 4.4A SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
    2W 20V 3V@ 250µA 20nC@ 10V 2个N沟道 30V 36mΩ@ 5.9A,10V 4.4A SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
  • 库   存:2391
  • 起订量:2391
  • 增   量:2391
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    12-19工作日
  • 2391+ $0.6804 ¥5.7494
合计:¥13,746.82
标准包装数量:2391

IRFD020 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFD020
  • 厂牌:SILICONIX
  • 封装:HVMDIP-4
  • 描述: MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD020PBF
    MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD020PBF
  • 库   存:495
  • 起订量:406
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-18工作日
    内地交货(含增值税)
    11-19工作日
  • 1+ $0.741 ¥6.1577
合计:¥2,500.03
标准包装数量:1

SI7421DN-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7421DN-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:1212
  • 描述: 1.5W(Ta) 20V 3V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个P沟道 30V 25mΩ@ 9.8A,10V 6.4A 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.04mm
    1.5W(Ta) 20V 3V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个P沟道 30V 25mΩ@ 9.8A,10V 6.4A 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.04mm
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-14工作日
    内地交货(含增值税)
    15-17工作日
  • 3000+ $0.7296 ¥6.1797
  • 30000+ $0.7296 ¥6.1797
合计:¥18,539.10
标准包装数量:0

SIJA22DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIJA22DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:PPAKSO-8
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=25 V, 201 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 4引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=25 V, 201 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 4引脚
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 3000+ $0.8025 ¥6.8453
  • 9000+ $0.7961 ¥6.7906
  • 30000+ $0.7897 ¥6.7358
合计:¥20,535.90
标准包装数量:3000

IRFPC60PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFPC60PBF
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: N channel ;VBRDSS 600 V; RDSon 400 mOh
    N channel ;VBRDSS 600 V; RDSon 400 mOh
  • 库   存:20000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10工作日
  • 300+ ¥14.152
  • 800+ ¥13.688
  • 1300+ ¥13.456
  • 1800+ ¥13.34
合计:¥7,076.00
标准包装数量:500

SI4435DY-T1-A-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4435DY-T1-A-E3
  • 厂牌:SILICONIX-VISHAY (F
  • 封装:--
  • 描述: 2.5W 20V 47nC@ 10V 30V 20mΩ@ 10V 黏合安装 5mm*4mm*1.55mm
    2.5W 20V 47nC@ 10V 30V 20mΩ@ 10V 黏合安装 5mm*4mm*1.55mm
  • 库   存:1134
  • 起订量:65
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    12-14工作日
    内地交货(含增值税)
    14-16工作日
  • 25+ $3.1155 ¥26.3883
  • 100+ $2.561 ¥21.6917
  • 500+ $2.244 ¥19.0067
  • 1000+ $2.148 ¥18.1936
合计:¥1,715.24
标准包装数量:1

SQD70140EL_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQD70140EL_GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 71W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 100V 15mΩ@ 30A,10V 30A 2.1nF@25V TO-252AA 贴片安装
    71W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 100V 15mΩ@ 30A,10V 30A 2.1nF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:2000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 2000+ $0.4658 ¥3.8424
  • 4000+ $0.46 ¥3.795
  • 6000+ $0.46 ¥3.795
  • 8000+ $0.4543 ¥3.7476
  • 10000+ $0.4485 ¥3.7001
合计:¥7,684.80
标准包装数量:2000

SQ4961EY-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ4961EY-T1_GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 3.3W 20V 2.5V@ 250µA 40nC@ 10V 2个P沟道 60V 85mΩ@ 3.5A,10V 4.4A 1.14nF@25V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
    3.3W 20V 2.5V@ 250µA 40nC@ 10V 2个P沟道 60V 85mΩ@ 3.5A,10V 4.4A 1.14nF@25V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
  • 库   存:45000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 2500+ $0.5936 ¥4.8972
  • 5000+ $0.5824 ¥4.8048
合计:¥12,243.00
标准包装数量:2500

SI7634BDP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7634BDP-T1-GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:--
  • 描述: 5W(Ta),48W(Tc) 20V 2.6V@ 250µA 68nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.4mΩ@ 15A,10V 40A 3.15nF@15V 贴片安装 6.15mm*5.15mm*1.04mm
    5W(Ta),48W(Tc) 20V 2.6V@ 250µA 68nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.4mΩ@ 15A,10V 40A 3.15nF@15V 贴片安装 6.15mm*5.15mm*1.04mm
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.7993 ¥6.5938
  • 6000+ $0.7878 ¥6.4989
  • 9000+ $0.7763 ¥6.4041
合计:¥19,781.40
标准包装数量:3000

SIR510DP-T1-RE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR510DP-T1-RE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=100 V, 126 A, PowerPak SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=100 V, 126 A, PowerPak SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:11400
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $1.0892 ¥8.8123
  • 6000+ $1.0467 ¥8.4682
合计:¥26,436.90
标准包装数量:1

SI4228DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4228DY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2W 12V 1.4V@ 250µA 25nC@ 10V 2个N沟道 25V 18mΩ@ 7A,10V 8A 790pF@12.5V SOIC-8 贴片安装 1.55mm(高度)
    2W 12V 1.4V@ 250µA 25nC@ 10V 2个N沟道 25V 18mΩ@ 7A,10V 8A 790pF@12.5V SOIC-8 贴片安装 1.55mm(高度)
  • 库   存:10000
  • 起订量:5000
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    6-8周
  • 5000+ ¥2.142
  • 10000+ ¥2.097
  • 10000+ ¥2.097
合计:¥10,710.00
标准包装数量:2500
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧