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SI2302DDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302DDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1748
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.679
  • 50+ ¥0.5571
  • 150+ ¥0.5027
  • 500+ ¥0.385
  • 1000+ ¥0.3327
合计:¥3.40
标准包装数量:3000

SI1553CDL-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1553CDL-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: Vishay N/P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 400 mA,700 mA, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
    Vishay N/P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 400 mA,700 mA, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
  • 库   存:326
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.5052
  • 50+ ¥1.3075
  • 150+ ¥1.2251
  • 500+ ¥1.122
  • 3000+ ¥1.0762
  • 6000+ ¥1.0488
合计:¥7.53
标准包装数量:3000

SI2347DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2347DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 5 A, TO-236封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 5 A, TO-236封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:57754
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.6206
  • 50+ ¥1.3179
  • 150+ ¥1.1846
  • 500+ ¥1.024
  • 3000+ ¥0.8845
  • 6000+ ¥0.8415
合计:¥8.10
标准包装数量:3000

SI2306BDS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2306BDS-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 750mW(Ta) 20V 3V@ 250µA 4.5nC@ 5 V 1个N沟道 30V 47mΩ@ 3.5A,10V 3.16A 305pF@15V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
    750mW(Ta) 20V 3V@ 250µA 4.5nC@ 5 V 1个N沟道 30V 47mΩ@ 3.5A,10V 3.16A 305pF@15V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:41531
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.118
  • 50+ ¥1.6949
  • 150+ ¥1.5133
  • 500+ ¥1.1241
  • 3000+ ¥1.0237
  • 6000+ ¥0.9633
合计:¥10.59
标准包装数量:3000

SI2342DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2342DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 2.5W(Tc) 5V 800mV@ 250µA 15.8nC@ 4.5 V 1个N沟道 8V 17mΩ@ 7.2A,4.5V 6A 1.07nF@4V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
    2.5W(Tc) 5V 800mV@ 250µA 15.8nC@ 4.5 V 1个N沟道 8V 17mΩ@ 7.2A,4.5V 6A 1.07nF@4V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:9000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.205
  • 10+ ¥1.9682
  • 30+ ¥1.8621
  • 100+ ¥1.7425
  • 500+ ¥1.6831
  • 1000+ ¥1.6533
合计:¥2.21
标准包装数量:3000

SQ2325ES-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2325ES-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 3W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 10nC@ 10 V 1个P沟道 150V 1.77Ω@ 500mA,10V 840mA 250pF@50V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.02mm(高度)
    3W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 10nC@ 10 V 1个P沟道 150V 1.77Ω@ 500mA,10V 840mA 250pF@50V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.02mm(高度)
  • 库   存:194
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.2658
  • 10+ ¥1.9269
  • 30+ ¥1.7614
  • 100+ ¥1.5592
  • 500+ ¥1.4825
  • 1000+ ¥1.42
合计:¥2.27
标准包装数量:3000

SI2365EDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2365EDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:82
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.3919
  • 50+ ¥1.8841
  • 150+ ¥1.668
  • 500+ ¥1.2522
  • 3000+ ¥1.1331
合计:¥11.96
标准包装数量:3000

IRF530PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF530PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 14 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 14 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.7428
  • 10+ ¥2.4279
  • 50+ ¥2.109
  • 100+ ¥1.9602
  • 500+ ¥1.8711
合计:¥2.74
标准包装数量:50

SI2369DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2369DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 威世 P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 7.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    威世 P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 7.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:4299
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.0141
  • 10+ ¥2.3613
  • 30+ ¥2.0941
  • 100+ ¥1.7489
  • 500+ ¥1.5976
  • 1000+ ¥1.4506
合计:¥3.01
标准包装数量:3000

SI4435FDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4435FDY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 4.8W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个P沟道 30V 19mΩ@ 9A,10V 12.6A 1.5nF@15V SOIC-8 贴片安装
    4.8W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个P沟道 30V 19mΩ@ 9A,10V 12.6A 1.5nF@15V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:3922
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.298
  • 10+ ¥2.6023
  • 30+ ¥2.3079
  • 100+ ¥1.941
  • 500+ ¥1.7825
  • 1000+ ¥1.6831
合计:¥3.30
标准包装数量:2500

SIR426DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR426DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 4.8W(Ta),41.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 40V 10.5mΩ@ 15A,10V 30A 1.16nF@20V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    4.8W(Ta),41.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 40V 10.5mΩ@ 15A,10V 30A 1.16nF@20V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:3583
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.0444
  • 10+ ¥4.2869
  • 30+ ¥3.8457
  • 100+ ¥3.4171
  • 500+ ¥3.2475
  • 1000+ ¥3.125
合计:¥5.04
标准包装数量:3000

IRF840BPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF840BPBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 156W(Tc) 30V 5V@ 250µA 30nC@ 10 V 1个N沟道 500V 850mΩ@ 4A,10V 8.7A 527pF@100V TO-220AB 通孔安装 10.41mm*4.7mm*15.49mm
    156W(Tc) 30V 5V@ 250µA 30nC@ 10 V 1个N沟道 500V 850mΩ@ 4A,10V 8.7A 527pF@100V TO-220AB 通孔安装 10.41mm*4.7mm*15.49mm
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.0833
  • 10+ ¥4.3571
  • 30+ ¥3.8125
  • 100+ ¥3.2105
  • 500+ ¥3.05
合计:¥5.08
标准包装数量:50

IRF740STRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF740STRLPBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: 3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 63nC@ 10 V 1个N沟道 400V 550mΩ@ 6A,10V 10A 1.4nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 4.83mm(高度)
    3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 63nC@ 10 V 1个N沟道 400V 550mΩ@ 6A,10V 10A 1.4nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 4.83mm(高度)
  • 库   存:10399
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.5205
  • 10+ ¥6.0397
  • 30+ ¥5.3164
  • 100+ ¥4.5937
  • 500+ ¥3.6927
  • 800+ ¥3.4749
合计:¥7.52
标准包装数量:800

IRFP450PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP450PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: 190W(Tc) 20V 4V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个N沟道 500V 400mΩ@ 8.4A,10V 14A 2.6nF@25V TO-247AC 通孔安装 24.99mm(高度)
    190W(Tc) 20V 4V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个N沟道 500V 400mΩ@ 8.4A,10V 14A 2.6nF@25V TO-247AC 通孔安装 24.99mm(高度)
  • 库   存:666
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.0318
  • 10+ ¥7.6876
  • 30+ ¥7.474
  • 100+ ¥7.1373
  • 500+ ¥6.7974
  • 1000+ ¥6.5709
合计:¥8.03
标准包装数量:1000

SUD50P04-08-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD50P04-08-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 50 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 50 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:7665
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.4172
  • 10+ ¥6.9661
  • 30+ ¥6.1492
  • 100+ ¥5.2476
  • 500+ ¥4.8514
  • 1000+ ¥4.6728
合计:¥8.42
标准包装数量:2000

SUD50P10-43L-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD50P10-43L-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 8.3W(Ta),136W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 100V 43mΩ@ 9.2A,10V 37.1A 4.6nF@50V TO-252AA 贴片安装 2.51mm(高度)
    8.3W(Ta),136W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 100V 43mΩ@ 9.2A,10V 37.1A 4.6nF@50V TO-252AA 贴片安装 2.51mm(高度)
  • 库   存:1922
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.152
  • 10+ ¥10.3719
  • 30+ ¥9.8896
  • 100+ ¥9.4085
  • 500+ ¥6.4582
  • 1000+ ¥6.3602
合计:¥11.15
标准包装数量:2000

IRFP460PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP460PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: 280W(Tc) 20V 4V@ 250µA 210nC@ 10 V 1个N沟道 500V 270mΩ@ 12A,10V 20A 4.2nF@25V TO-247AC 通孔安装 24.86mm(高度)
    280W(Tc) 20V 4V@ 250µA 210nC@ 10 V 1个N沟道 500V 270mΩ@ 12A,10V 20A 4.2nF@25V TO-247AC 通孔安装 24.86mm(高度)
  • 库   存:3566
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.3972
  • 10+ ¥9.8593
  • 30+ ¥9.1959
  • 100+ ¥8.3069
  • 500+ ¥7.9607
  • 1000+ ¥7.4921
合计:¥11.40
标准包装数量:25

SIHG20N50C-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG20N50C-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 20 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 20 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:19
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.5088
  • 10+ ¥9.3249
  • 25+ ¥7.908
  • 100+ ¥6.5684
  • 500+ ¥5.9703
  • 1000+ ¥5.6952
合计:¥11.51
标准包装数量:25

SIR870ADP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR870ADP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 60 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 60 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:21
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.9718
  • 10+ ¥11.4865
  • 100+ ¥10.8974
  • 500+ ¥10.3659
  • 1000+ ¥10
合计:¥11.97
标准包装数量:6000

SUM90P10-19L-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUM90P10-19L-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: Vishay, 场效应管Mosfet
    Vishay, 场效应管Mosfet
  • 库   存:1603
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥21.5467
  • 10+ ¥19.7026
  • 30+ ¥18.6524
  • 100+ ¥17.1808
  • 100+ ¥17.1808
合计:¥21.55
标准包装数量:800
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