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SIRA14DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRA14DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 58 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 58 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:445
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1
  • 30+ ¥0.96
  • 100+ ¥0.92
  • 500+ ¥0.85
  • 1000+ ¥0.83
  • 3000+ ¥0.8
合计:¥1.00
标准包装数量:3000

SI9407BDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9407BDY-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3.8 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3.8 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:13
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1
  • 10+ ¥0.96
  • 30+ ¥0.935
  • 100+ ¥0.9
合计:¥1.00
标准包装数量:2500

SIR464DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR464DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:--
  • 描述: 5.2W(Ta),69W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 95nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.1mΩ@ 15A,10V 50A 3.545nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    5.2W(Ta),69W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 95nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.1mΩ@ 15A,10V 50A 3.545nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.5
  • 50+ ¥1.4
  • 100+ ¥1.3
  • 500+ ¥1.25
合计:¥1.50
标准包装数量:3000

SI4435DDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4435DDY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 8.1 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 8.1 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:4999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.8382
  • 10+ ¥1.6123
  • 30+ ¥1.4758
  • 100+ ¥1.3513
  • 500+ ¥1.2165
  • 2000+ ¥1.1606
合计:¥1.84
标准包装数量:2500

SI2333DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2333DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 750mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 18nC@ 4.5 V 1个P沟道 12V 32mΩ@ 5.3A,4.5V 4.1A 1.1nF@6V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
    750mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 18nC@ 4.5 V 1个P沟道 12V 32mΩ@ 5.3A,4.5V 4.1A 1.1nF@6V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:3057
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2
  • 10+ ¥1.7831
  • 30+ ¥1.6323
  • 100+ ¥1.45
  • 500+ ¥1.36
  • 1000+ ¥1.27
合计:¥2.00
标准包装数量:3000

SI2300DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2300DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:6721
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.0758
  • 50+ ¥1.6173
  • 150+ ¥1.4271
  • 500+ ¥1.1899
  • 3000+ ¥1.0842
合计:¥10.38
标准包装数量:3000

SI2323DDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2323DDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.2434
  • 50+ ¥1.7831
  • 150+ ¥1.5364
  • 500+ ¥1.2618
  • 3000+ ¥1.166
  • 6000+ ¥1.11
合计:¥2.24
标准包装数量:3000

SI3421DV-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI3421DV-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 8 A, TSOP-6封装, 表面贴装, 6引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 8 A, TSOP-6封装, 表面贴装, 6引脚
  • 库   存:3383
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.8257
  • 10+ ¥2.2607
  • 30+ ¥2.0124
  • 100+ ¥1.7146
  • 500+ ¥1.3962
  • 1000+ ¥1.3167
合计:¥2.83
标准包装数量:3000

SI4848DY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4848DY-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 1.5W(Ta) 20V 2V@ 250µA (Min) 21nC@ 10 V 1个N沟道 150V 85mΩ@ 3.5A,10V 2.7A 1nF@ 15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
    1.5W(Ta) 20V 2V@ 250µA (Min) 21nC@ 10 V 1个N沟道 150V 85mΩ@ 3.5A,10V 2.7A 1nF@ 15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
  • 库   存:1362
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.9326
  • 10+ ¥2.659
  • 30+ ¥2.4116
  • 100+ ¥2.3766
  • 500+ ¥2.216
合计:¥2.93
标准包装数量:2500

SI4401FDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4401FDY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个P沟道 40V 14.2mΩ@ 10A,10V 9.9A,14A 4nF@20V SOIC-8 贴片安装
    2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个P沟道 40V 14.2mΩ@ 10A,10V 9.9A,14A 4nF@20V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:2499
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.7294
  • 10+ ¥3.0135
  • 30+ ¥2.7044
  • 100+ ¥2.3266
  • 500+ ¥1.8414
  • 1000+ ¥1.7325
合计:¥3.73
标准包装数量:2500

SI7617DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7617DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:DFN-33
  • 描述: 3.7W(Ta),52W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 59nC@ 10 V 1个P沟道 30V 12.3mΩ@ 13.9A,10V 35A 1.8nF@15V DFN-33 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
    3.7W(Ta),52W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 59nC@ 10 V 1个P沟道 30V 12.3mΩ@ 13.9A,10V 35A 1.8nF@15V DFN-33 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
  • 库   存:225
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.2827
  • 10+ ¥3.566
  • 30+ ¥3.1484
  • 100+ ¥2.643
  • 500+ ¥2.3086
  • 1000+ ¥2.1777
合计:¥4.28
标准包装数量:3000

SI4850EY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4850EY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 8.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 8.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:824
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.402
  • 10+ ¥3.9014
  • 30+ ¥3.6411
  • 100+ ¥3.3885
  • 500+ ¥3.2387
  • 1000+ ¥3.1587
合计:¥4.40
标准包装数量:2500

SQJ459EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ459EP-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:PPAKSO-8,SOIC-8
  • 描述: 83W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 108nC@ 10 V 1个P沟道 60V 18mΩ@ 3.5A,10V 52A 4.586nF@30V PPAKSO-8,SOIC-8 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
    83W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 108nC@ 10 V 1个P沟道 60V 18mΩ@ 3.5A,10V 52A 4.586nF@30V PPAKSO-8,SOIC-8 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
  • 库   存:1426
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.3997
  • 10+ ¥4.9399
  • 30+ ¥4.7605
  • 100+ ¥4.2141
  • 500+ ¥3.97
  • 1000+ ¥3.79
合计:¥5.40
标准包装数量:3000

IRFBE30PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFBE30PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 4.1 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 4.1 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:49
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.6878
  • 10+ ¥4.7109
  • 30+ ¥4.2525
  • 100+ ¥3.83
  • 500+ ¥3.5065
  • 1000+ ¥3.38
合计:¥5.69
标准包装数量:500

SQD50P06-15L_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQD50P06-15L_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 威世 P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=60 V, 50 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    威世 P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=60 V, 50 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1050
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.7939
  • 10+ ¥6.1075
  • 30+ ¥5.7237
  • 100+ ¥5.2896
  • 500+ ¥5.0995
  • 1000+ ¥5.0201
合计:¥6.79
标准包装数量:2000

SIR470DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR470DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 155nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.3mΩ@ 20A,10V 60A 5.66nF@20V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 155nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.3mΩ@ 20A,10V 60A 5.66nF@20V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:9
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.8
  • 10+ ¥6.2
  • 30+ ¥5.8
  • 100+ ¥5.5
合计:¥6.80
标准包装数量:3000

IRFBG30PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFBG30PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 3.1 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 3.1 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1638
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.324
  • 10+ ¥8.6127
  • 30+ ¥8.0909
  • 100+ ¥7.5674
  • 500+ ¥7.1811
  • 1000+ ¥6.6583
合计:¥9.32
标准包装数量:50

SI7115DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7115DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SMD
  • 描述: 3.7W(Ta),52W(Tc) 20V 4V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个P沟道 150V 295mΩ@ 4A,10V 8.9A 1.19nF@50V SOP-8 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
    3.7W(Ta),52W(Tc) 20V 4V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个P沟道 150V 295mΩ@ 4A,10V 8.9A 1.19nF@50V SOP-8 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
  • 库   存:14550
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.5898
  • 10+ ¥10.2543
  • 30+ ¥9.5323
  • 100+ ¥8.3697
  • 500+ ¥7.2711
  • 1000+ ¥6.7807
合计:¥12.59
标准包装数量:3000

SIHG47N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG47N60EF-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay 晶体管 - IGBT
    Vishay 晶体管 - IGBT
  • 库   存:15
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥14.6
  • 10+ ¥13.2
  • 100+ ¥12.8
  • 500+ ¥11.5
合计:¥14.60
标准包装数量:50

SQM120P10_10M1LGE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM120P10_10M1LGE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: 375W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 190nC@ 10 V 1个P沟道 100V 10.1mΩ@ 30A,10V 120A 9nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
    375W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 190nC@ 10 V 1个P沟道 100V 10.1mΩ@ 30A,10V 120A 9nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
  • 库   存:452
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥27.5556
  • 10+ ¥23.6665
  • 30+ ¥21.2942
  • 100+ ¥18.9488
  • 100+ ¥18.9488
合计:¥27.56
标准包装数量:800
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