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SI1012CR-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1012CR-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SC-75A
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 630 mA, SC-75封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 630 mA, SC-75封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:73910
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7603
  • 50+ ¥0.6004
  • 150+ ¥0.5191
  • 500+ ¥0.4373
  • 3000+ ¥0.3929
  • 6000+ ¥0.3706
合计:¥7.60
标准包装数量:3000

SIRA14DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRA14DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 58 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 58 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:473
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1
  • 30+ ¥0.96
  • 100+ ¥0.92
  • 500+ ¥0.85
  • 1000+ ¥0.83
  • 3000+ ¥0.8
合计:¥1.00
标准包装数量:3000

SI2336DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2336DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 1.25W(Ta),1.8W(Tc) 8V 1V@ 250µA 15nC@ 8V 1个N沟道 30V 42mΩ@ 3.8A,4.5V 5.2A 560pF@15V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
    1.25W(Ta),1.8W(Tc) 8V 1V@ 250µA 15nC@ 8V 1个N沟道 30V 42mΩ@ 3.8A,4.5V 5.2A 560pF@15V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:333
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.6115
  • 10+ ¥1.4656
  • 30+ ¥1.2932
  • 100+ ¥1.0743
  • 500+ ¥0.9542
  • 1000+ ¥0.865
合计:¥1.61
标准包装数量:3000

SI3421DV-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI3421DV-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 8 A, TSOP-6封装, 表面贴装, 6引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 8 A, TSOP-6封装, 表面贴装, 6引脚
  • 库   存:3548
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.7242
  • 10+ ¥1.4009
  • 30+ ¥1.1954
  • 100+ ¥1.1495
  • 500+ ¥1.069
  • 1000+ ¥1
合计:¥1.72
标准包装数量:3000

SI2300DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2300DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:4500
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.836
  • 50+ ¥1.4599
  • 150+ ¥1.2945
  • 500+ ¥1.0387
  • 3000+ ¥0.9537
  • 6000+ ¥0.9029
合计:¥9.18
标准包装数量:3000

SI2333DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2333DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 750mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 18nC@ 4.5 V 1个P沟道 12V 32mΩ@ 5.3A,4.5V 4.1A 1.1nF@6V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
    750mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 18nC@ 4.5 V 1个P沟道 12V 32mΩ@ 5.3A,4.5V 4.1A 1.1nF@6V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:1471
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2
  • 10+ ¥1.7831
  • 30+ ¥1.6323
  • 100+ ¥1.45
  • 500+ ¥1.36
  • 1000+ ¥1.27
合计:¥2.00
标准包装数量:3000

SI2323DDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2323DDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:141
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.2434
  • 50+ ¥1.7831
  • 150+ ¥1.5364
  • 500+ ¥1.2618
  • 3000+ ¥1.166
  • 6000+ ¥1.11
合计:¥11.22
标准包装数量:3000

SI4848DY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4848DY-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 1.5W(Ta) 20V 2V@ 250µA (Min) 21nC@ 10 V 1个N沟道 150V 85mΩ@ 3.5A,10V 2.7A 1nF@ 15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
    1.5W(Ta) 20V 2V@ 250µA (Min) 21nC@ 10 V 1个N沟道 150V 85mΩ@ 3.5A,10V 2.7A 1nF@ 15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
  • 库   存:1372
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.9326
  • 10+ ¥2.659
  • 30+ ¥2.4116
  • 100+ ¥2.3766
  • 500+ ¥2.216
合计:¥2.93
标准包装数量:2500

SISS27DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SISS27DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:PPAK-1212-8
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 23 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 23 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:2559
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3824
  • 10+ ¥2.9715
  • 30+ ¥2.627
  • 100+ ¥2.3513
  • 500+ ¥2.2107
  • 1000+ ¥2.065
合计:¥3.38
标准包装数量:3000

SI4850EY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4850EY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 8.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 8.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:867
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.1242
  • 10+ ¥3.627
  • 30+ ¥3.3073
  • 100+ ¥3.0461
  • 500+ ¥2.9165
  • 1000+ ¥2.85
合计:¥4.12
标准包装数量:2500

SI7617DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7617DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:DFN-33
  • 描述: 3.7W(Ta),52W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 59nC@ 10 V 1个P沟道 30V 12.3mΩ@ 13.9A,10V 35A 1.8nF@15V DFN-33 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
    3.7W(Ta),52W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 59nC@ 10 V 1个P沟道 30V 12.3mΩ@ 13.9A,10V 35A 1.8nF@15V DFN-33 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
  • 库   存:318
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.1307
  • 10+ ¥3.4008
  • 30+ ¥3.0479
  • 100+ ¥2.6931
  • 500+ ¥2.1977
  • 1000+ ¥2.0898
合计:¥4.13
标准包装数量:3000

SQJ459EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ459EP-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:PPAKSO-8,SOIC-8
  • 描述: 83W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 108nC@ 10 V 1个P沟道 60V 18mΩ@ 3.5A,10V 52A 4.586nF@30V PPAKSO-8,SOIC-8 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
    83W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 108nC@ 10 V 1个P沟道 60V 18mΩ@ 3.5A,10V 52A 4.586nF@30V PPAKSO-8,SOIC-8 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
  • 库   存:1550
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.3997
  • 10+ ¥4.9399
  • 30+ ¥4.7605
  • 100+ ¥4.2141
  • 500+ ¥3.97
  • 1000+ ¥3.79
合计:¥5.40
标准包装数量:3000

SI7115DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7115DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SMD
  • 描述: 3.7W(Ta),52W(Tc) 20V 4V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个P沟道 150V 295mΩ@ 4A,10V 8.9A 1.19nF@50V SOP-8 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
    3.7W(Ta),52W(Tc) 20V 4V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个P沟道 150V 295mΩ@ 4A,10V 8.9A 1.19nF@50V SOP-8 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
  • 库   存:35900
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.5005
  • 10+ ¥4.6353
  • 30+ ¥4.2083
  • 100+ ¥3.7064
  • 500+ ¥3.2114
  • 1000+ ¥3.0853
合计:¥5.50
标准包装数量:3000

IRFR9220TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9220TRPBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:DPAK
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 3.6 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 3.6 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:235
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.5876
  • 10+ ¥4.5248
  • 30+ ¥3.9927
  • 100+ ¥3.3031
  • 500+ ¥2.7003
  • 1000+ ¥2.5495
合计:¥5.59
标准包装数量:2000

IRFBE30PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFBE30PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 4.1 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 4.1 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:149
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.6878
  • 10+ ¥4.7109
  • 30+ ¥4.2525
  • 100+ ¥3.83
  • 500+ ¥3.5065
  • 1000+ ¥3.38
合计:¥5.69
标准包装数量:500

SIR470DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR470DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 155nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.3mΩ@ 20A,10V 60A 5.66nF@20V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 155nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.3mΩ@ 20A,10V 60A 5.66nF@20V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:11
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.8
  • 10+ ¥6.2
  • 30+ ¥5.8
  • 100+ ¥5.5
合计:¥6.80
标准包装数量:3000

SQD50P06-15L_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQD50P06-15L_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 威世 P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=60 V, 50 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    威世 P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=60 V, 50 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1637
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.7659
  • 10+ ¥7.1935
  • 30+ ¥6.3368
  • 100+ ¥5.3762
  • 500+ ¥4.9401
  • 1000+ ¥4.752
合计:¥8.77
标准包装数量:2000

IRFBG30PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFBG30PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 3.1 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 3.1 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1648
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.324
  • 10+ ¥8.6127
  • 30+ ¥8.0909
  • 100+ ¥7.5674
  • 500+ ¥7.1811
  • 1000+ ¥6.6583
合计:¥9.32
标准包装数量:50

SIHG47N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG47N60EF-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay 晶体管 - IGBT
    Vishay 晶体管 - IGBT
  • 库   存:15
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥14.6
  • 10+ ¥13.2
  • 100+ ¥12.8
  • 500+ ¥11.5
合计:¥14.60
标准包装数量:50

SQM120P10_10M1LGE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM120P10_10M1LGE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: 375W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 190nC@ 10 V 1个P沟道 100V 10.1mΩ@ 30A,10V 120A 9nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
    375W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 190nC@ 10 V 1个P沟道 100V 10.1mΩ@ 30A,10V 120A 9nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
  • 库   存:7
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥27.512
  • 10+ ¥23.7649
  • 30+ ¥21.5151
  • 100+ ¥18.3149
  • 500+ ¥17.2942
  • 500+ ¥17.2942
合计:¥27.51
标准包装数量:800
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