处理中...

{{item.name}}

SIS128LDN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS128LDN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 33.7 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 33.7 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.4458 ¥3.6956
  • 9000+ $0.3978 ¥3.2981
合计:¥11,086.80
标准包装数量:1

SIS322DNT-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS322DNT-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 3.2W(Ta),19.8W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 21.5nC@ 10 V 1个N沟道 30V 7.5mΩ@ 10A,10V 38.3A 1nF@15V 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
    3.2W(Ta),19.8W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 21.5nC@ 10 V 1个N沟道 30V 7.5mΩ@ 10A,10V 38.3A 1nF@15V 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
  • 库   存:1366
  • 起订量:111
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 100+ $0.4698 ¥3.895
  • 500+ $0.362 ¥3.0014
合计:¥432.35
标准包装数量:1

SQJ444EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ444EP-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:SOP
  • 描述: 68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 80nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.2mΩ@ 10A,10V 60A 5nF@25V SOP 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
    68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 80nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.2mΩ@ 10A,10V 60A 5nF@25V SOP 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 3000+ $0.5216 ¥4.522
  • 6000+ $0.5132 ¥4.4497
  • 12000+ $0.5052 ¥4.3797
  • 24000+ $0.4967 ¥4.3066
  • 48000+ $0.4909 ¥4.2559
合计:¥13,566.00
标准包装数量:0

SUD90330E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD90330E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 32nC@ 10 V 1个N沟道 200V 37.5mΩ@ 12.2A,10V 35.8A 1.172nF@100V TO-252AA 贴片安装
    125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 32nC@ 10 V 1个N沟道 200V 37.5mΩ@ 12.2A,10V 35.8A 1.172nF@100V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:8106
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 2000+ $0.7174 ¥5.9473
  • 6000+ $0.6432 ¥5.3319
合计:¥11,894.60
标准包装数量:1

SQ2361ES-T1_BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2361ES-T1_BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 2W(Tc) 2.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 60V 177mΩ@ 2.4A,10V 2.8A 550pF@30V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
    2W(Tc) 2.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 60V 177mΩ@ 2.4A,10V 2.8A 550pF@30V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
  • 库   存:36160
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $0.7659 ¥6.357
  • 500+ $0.5756 ¥4.7778
  • 1000+ $0.5054 ¥4.1952
  • 3000+ $0.445 ¥3.6932
  • 6000+ $0.3974 ¥3.2988
  • 9000+ $0.3812 ¥3.1643
  • 24000+ $0.3359 ¥2.7878
合计:¥222.50
标准包装数量:1

SQ4483BEEY-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ4483BEEY-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 113nC@ 10 V 1个P沟道 30V 8.5mΩ@ 10A,10V 22A SOIC-8 贴片安装
    7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 113nC@ 10 V 1个P沟道 30V 8.5mΩ@ 10A,10V 22A SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:18721
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 2500+ $0.8436 ¥6.9935
  • 7500+ $0.7627 ¥6.3224
合计:¥17,483.75
标准包装数量:1

IRFR120PBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR120PBF-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 2.5W(Ta),42W(Tc) 4V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个N沟道 100V 270mΩ@ 4.6A,10V 7.7A 360pF@25V TO-252AA 贴片安装
    2.5W(Ta),42W(Tc) 4V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个N沟道 100V 270mΩ@ 4.6A,10V 7.7A 360pF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:23835
  • 起订量:28
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $0.9764 ¥8.1037
  • 100+ $0.7458 ¥6.1901
  • 500+ $0.6318 ¥5.2439
  • 1000+ $0.5616 ¥4.6613
  • 3000+ $0.5584 ¥4.6344
合计:¥226.90
标准包装数量:1

SIHFR9310-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHFR9310-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 50W(Tc) 20V 4V@ 250µA 13nC@ 10 V 1个P沟道 400V 7Ω@ 1.1A,10V 1.8A 270pF@25V TO-252AA 贴片安装
    50W(Tc) 20V 4V@ 250µA 13nC@ 10 V 1个P沟道 400V 7Ω@ 1.1A,10V 1.8A 270pF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:799
  • 起订量:27
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.0028 ¥8.3232
  • 100+ $0.6314 ¥5.2406
  • 500+ $0.4882 ¥4.0517
  • 1000+ $0.4169 ¥3.4601
  • 3000+ $0.378 ¥3.1374
  • 6000+ $0.3186 ¥2.6444
合计:¥224.73
标准包装数量:1

IRFR010PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR010PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: 25W(Tc) 20V 4V@ 250µA 10nC@ 10 V 1个N沟道 50V 200mΩ@ 4.6A,10V 8.2A 250pF@25V TO-252 贴片安装
    25W(Tc) 20V 4V@ 250µA 10nC@ 10 V 1个N沟道 50V 200mΩ@ 4.6A,10V 8.2A 250pF@25V TO-252 贴片安装
  • 库   存:2825
  • 起订量:24
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.1167 ¥9.2682
  • 100+ $0.9592 ¥7.9614
  • 500+ $0.7916 ¥6.5706
  • 1000+ $0.6728 ¥5.5846
  • 3000+ $0.6545 ¥5.4322
合计:¥222.44
标准包装数量:1

IRFU9010PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFU9010PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-251AA
  • 描述: 25W(Tc) 20V 4V@ 250µA 9.1nC@ 10 V 1个P沟道 50V 500mΩ@ 2.8A,10V 5.3A 240pF@25V TO-251AA 通孔安装 6.73mm*2.39mm*6.22mm
    25W(Tc) 20V 4V@ 250µA 9.1nC@ 10 V 1个P沟道 50V 500mΩ@ 2.8A,10V 5.3A 240pF@25V TO-251AA 通孔安装 6.73mm*2.39mm*6.22mm
  • 库   存:2634
  • 起订量:23
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.1615 ¥9.6405
  • 100+ $0.99 ¥8.217
  • 500+ $0.8176 ¥6.7857
  • 1000+ $0.6966 ¥5.7818
  • 3000+ $0.689 ¥5.719
合计:¥221.73
标准包装数量:1

SQM50034E_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM50034E_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1585
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-9工作日
    内地交货(含增值税)
    9-11工作日
  • 800+ $1.2 ¥10.2
合计:¥8,160.00
标准包装数量:800

SUM80090E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUM80090E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: 375W(Tc) 20V 5V@ 250µA 95nC@ 10 V 1个N沟道 150V 9mΩ@ 30A,10V 128A 3.425nF@75V D2PAK,TO-263 贴片安装 4.83mm(高度)
    375W(Tc) 20V 5V@ 250µA 95nC@ 10 V 1个N沟道 150V 9mΩ@ 30A,10V 128A 3.425nF@75V D2PAK,TO-263 贴片安装 4.83mm(高度)
  • 库   存:8645
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 800+ $1.6844 ¥13.9635
  • 2400+ $1.5168 ¥12.5745
合计:¥11,170.80
标准包装数量:1

SIJA52DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIJA52DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: 48W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 150nC@ 20 V 1个N沟道 40V 1.7mΩ@ 15A,10V 60A 7.15nF@20V 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
    48W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250µA 150nC@ 20 V 1个N沟道 40V 1.7mΩ@ 15A,10V 60A 7.15nF@20V 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
  • 库   存:5860
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.84 ¥15.272
  • 100+ $1.1664 ¥9.6811
  • 500+ $0.8716 ¥7.2339
  • 1000+ $0.8219 ¥6.8216
  • 3000+ $0.7754 ¥6.4362
  • 6000+ $0.769 ¥6.3824
合计:¥229.08
标准包装数量:1

SIHB22N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB22N60EF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 19 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 19 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:749
  • 起订量:45
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-9工作日
    内地交货(含增值税)
    9-11工作日
  • 45+ $2.35 ¥19.975
  • 150+ $2.26 ¥19.21
  • 500+ $2.17 ¥18.445
合计:¥898.88
标准包装数量:1

SIHB12N50E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB12N50E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: 114W(Tc) 30V 4V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个N沟道 500V 380mΩ@ 6A,10V 10.5A 886pF@100V TO-263-3 贴片安装
    114W(Tc) 30V 4V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个N沟道 500V 380mΩ@ 6A,10V 10.5A 886pF@100V TO-263-3 贴片安装
  • 库   存:952
  • 起订量:11
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $2.5415 ¥21.0944
  • 100+ $1.6524 ¥13.7149
  • 500+ $1.3824 ¥11.4739
  • 1000+ $1.2096 ¥10.0397
  • 2000+ $1.1988 ¥9.95
合计:¥232.04
标准包装数量:1

SIHB100N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB100N60E-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: 208W(Tc) 30V 5V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个N沟道 600V 100mΩ@ 13A,10V 30A 1.851nF@100V TO-263-3 贴片安装
    208W(Tc) 30V 5V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个N沟道 600V 100mΩ@ 13A,10V 30A 1.851nF@100V TO-263-3 贴片安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 1000+ $2.6838 ¥23.2681
  • 2000+ $2.6304 ¥22.8059
  • 4000+ $2.5927 ¥22.4784
  • 8000+ $2.556 ¥22.1602
  • 16000+ $2.4825 ¥21.5231
合计:¥23,268.10
标准包装数量:0

SIHP105N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHP105N60EF-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 EF系列, Vds=650 V, 29 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 EF系列, Vds=650 V, 29 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:90
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 50+ ¥25.7211
  • 250+ ¥25.2069
合计:¥1,286.06
标准包装数量:0

SIHG21N80AEF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG21N80AEF-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 E Series系列, Vds=850 V, 16.3 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 E Series系列, Vds=850 V, 16.3 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:229
  • 起订量:16
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ $3.3077 ¥27.421
  • 50+ $2.5736 ¥21.3349
  • 100+ $2.3369 ¥19.373
合计:¥438.74
标准包装数量:1

SIHK045N60E-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHK045N60E-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道MOS管, Vds=650 V, 48 A, PowerPAK 10 x 12封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道MOS管, Vds=650 V, 48 A, PowerPAK 10 x 12封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:2040
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 2000+ ¥38.4818
  • 10000+ ¥37.7121
合计:¥76,963.60
标准包装数量:0

SIHW33N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHW33N60E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-247AD
  • 描述: 278W(Tc) 30V 4V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个N沟道 600V 99mΩ@ 16.5A,10V 33A 3.508nF@100V TO-247AD 通孔安装 21.46mm(高度)
    278W(Tc) 30V 4V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个N沟道 600V 99mΩ@ 16.5A,10V 33A 3.508nF@100V TO-247AD 通孔安装 21.46mm(高度)
  • 库   存:158
  • 起订量:3
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 1+ $9.936 ¥82.4688
  • 10+ $6.688 ¥55.5104
  • 100+ $5.3136 ¥44.1029
  • 100+ $5.3136 ¥44.1029
合计:¥247.41
标准包装数量:1
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧