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2N7002K-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N7002K-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:332989
  • 起订量:10
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.2914
  • 100+ ¥0.2418
  • 300+ ¥0.216
  • 3000+ ¥0.1546
  • 6000+ ¥0.1475
  • 9000+ ¥0.1427
合计:¥2.91
标准包装数量:3000

TP0610K-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TP0610K-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 185 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 185 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:217793
  • 起订量:10
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.4354
  • 100+ ¥0.3442
  • 300+ ¥0.2992
  • 3000+ ¥0.2522
  • 6000+ ¥0.2266
  • 9000+ ¥0.2138
合计:¥4.35
标准包装数量:3000

SI2305CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305CDS-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=8 V, 4.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=8 V, 4.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:17
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.499
  • 10+ ¥0.453
  • 50+ ¥0.435
  • 100+ ¥0.412
  • 500+ ¥0.381
  • 3000+ ¥0.366
合计:¥0.50
标准包装数量:3000

SI1926DL-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1926DL-T1-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 300mW 20V 2.5V@ 250µA 1.4nC@ 10V 2个N沟道 60V 1.4Ω@ 340mA,10V 370mA;340A 18.5pF@30V SC-70-6 贴片安装
    300mW 20V 2.5V@ 250µA 1.4nC@ 10V 2个N沟道 60V 1.4Ω@ 340mA,10V 370mA;340A 18.5pF@30V SC-70-6 贴片安装
  • 库   存:4569
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7583
  • 10+ ¥0.6868
  • 30+ ¥0.6534
  • 100+ ¥0.5974
  • 500+ ¥0.5765
  • 2000+ ¥0.5
合计:¥0.76
标准包装数量:3000

SI2333CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2333CDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 8V 1V@ 250µA 25nC@ 4.5 V 1个P沟道 12V 35mΩ@ 5.1A,4.5V 7.1A 1.225nF@6V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
    1.25W(Ta),2.5W(Tc) 8V 1V@ 250µA 25nC@ 4.5 V 1个P沟道 12V 35mΩ@ 5.1A,4.5V 7.1A 1.225nF@6V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:2665
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9635
  • 50+ ¥0.8403
  • 150+ ¥0.7282
  • 500+ ¥0.6598
  • 3000+ ¥0.6282
合计:¥4.82
标准包装数量:3000

SI2371EDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2371EDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1W(Ta),1.7W(Tc) 12V 1.5V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个P沟道 30V 45mΩ@ 3.7A,10V 4.8A 1nF@ 15V SOT-23 贴片安装 1.12mm(高度)
    1W(Ta),1.7W(Tc) 12V 1.5V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个P沟道 30V 45mΩ@ 3.7A,10V 4.8A 1nF@ 15V SOT-23 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:64998
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.9875
  • 10+ ¥0.8346
  • 30+ ¥0.7683
  • 100+ ¥0.6814
  • 500+ ¥0.6352
  • 1000+ ¥0.6065
合计:¥0.99
标准包装数量:3000

SI1330EDL-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1330EDL-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 240 mA, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 240 mA, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:4656
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1
  • 10+ ¥0.8836
  • 30+ ¥0.8253
  • 100+ ¥0.8012
  • 500+ ¥0.7536
  • 1000+ ¥0.725
合计:¥1.00
标准包装数量:3000

SI9407BDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9407BDY-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3.8 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3.8 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:33
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1
  • 10+ ¥0.96
  • 30+ ¥0.935
  • 100+ ¥0.9
合计:¥1.00
标准包装数量:2500

SIR464DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR464DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:--
  • 描述: 5.2W(Ta),69W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 95nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.1mΩ@ 15A,10V 50A 3.545nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    5.2W(Ta),69W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 95nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.1mΩ@ 15A,10V 50A 3.545nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.5
  • 50+ ¥1.4
  • 100+ ¥1.3
  • 500+ ¥1.25
合计:¥1.50
标准包装数量:3000

Si2325DS -T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: Si2325DS -T1-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 530 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 530 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:459
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.3567
  • 50+ ¥2.1333
  • 150+ ¥1.9851
  • 500+ ¥1.9103
合计:¥11.78
标准包装数量:3000

SI9407BDY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9407BDY-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 5W(Tc) 20V 3V@ 250µA 22nC@ 10 V 1个P沟道 60V 120mΩ@ 3.2A,10V 4.7A 600pF@30V SOIC-8 贴片安装 1.55mm(高度)
    5W(Tc) 20V 3V@ 250µA 22nC@ 10 V 1个P沟道 60V 120mΩ@ 3.2A,10V 4.7A 600pF@30V SOIC-8 贴片安装 1.55mm(高度)
  • 库   存:12
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.4503
  • 100+ ¥3.3692
合计:¥3.45
标准包装数量:2500

SI2325DS -T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2325DS -T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 750mW(Ta) 20V 4.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 150V 1.2Ω@ 500mA,10V 530mA 510pF@25V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
    750mW(Ta) 20V 4.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 150V 1.2Ω@ 500mA,10V 530mA 510pF@25V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:6129
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.5465
  • 10+ ¥2.8825
  • 30+ ¥2.5548
  • 100+ ¥2.1069
  • 500+ ¥1.9186
  • 1000+ ¥1.8246
合计:¥3.55
标准包装数量:3000

SI4925DDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4925DDY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 8 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 8 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:7711
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.8284
  • 10+ ¥3.1134
  • 30+ ¥2.7661
  • 100+ ¥2.4062
  • 500+ ¥2.1979
  • 1000+ ¥2.089
合计:¥3.83
标准包装数量:2500

SIR422DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR422DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:PPAKSO-8
  • 描述: 5W(Ta),34.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 48nC@ 10 V 1个N沟道 40V 6.6mΩ@ 20A,10V 40A 1.785nF@20V PPAKSO-8 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    5W(Ta),34.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 48nC@ 10 V 1个N沟道 40V 6.6mΩ@ 20A,10V 40A 1.785nF@20V PPAKSO-8 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:3469
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.4777
  • 10+ ¥3.564
  • 30+ ¥3.1436
  • 100+ ¥2.7157
  • 500+ ¥2.4706
  • 1000+ ¥2.3429
合计:¥4.48
标准包装数量:3000

SQJ974EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ974EP-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 48W 20V 2.5V@ 250µA 30nC@ 10V 2个N沟道 100V 25.5mΩ@ 10A,10V 30A 1.05nF@25V 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
    48W 20V 2.5V@ 250µA 30nC@ 10V 2个N沟道 100V 25.5mΩ@ 10A,10V 30A 1.05nF@25V 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
  • 库   存:1941
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.7532
  • 10+ ¥4.2358
  • 30+ ¥3.96
  • 100+ ¥3.6715
  • 500+ ¥3.5325
  • 1000+ ¥3.356
合计:¥4.75
标准包装数量:3000

SI7101DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7101DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:1212
  • 描述: 3.7W(Ta),52W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 102nC@ 10 V 1个P沟道 30V 7.2mΩ@ 15A,10V 35A 3.595nF@15V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
    3.7W(Ta),52W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 102nC@ 10 V 1个P沟道 30V 7.2mΩ@ 15A,10V 35A 3.595nF@15V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
  • 库   存:3074
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8257
  • 10+ ¥3.8504
  • 30+ ¥3.3479
  • 100+ ¥2.8152
  • 500+ ¥2.5357
  • 1000+ ¥2.3915
合计:¥4.83
标准包装数量:3000

IRFRC20PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFRC20PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252
  • 描述: 2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 18nC@ 10 V 1个N沟道 600V 4.4Ω@ 1.2A,10V 2A 350pF@25V TO-252 贴片安装
    2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 18nC@ 10 V 1个N沟道 600V 4.4Ω@ 1.2A,10V 2A 350pF@25V TO-252 贴片安装
  • 库   存:2363
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8557
  • 10+ ¥4.2968
  • 30+ ¥3.7905
  • 100+ ¥3.4269
  • 500+ ¥3.1034
  • 1000+ ¥2.9297
合计:¥4.86
标准包装数量:75

SI7135DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7135DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 3V@ 250µA 250nC@ 10 V 1个P沟道 30V 3.9mΩ@ 20A,10V 60A 8.65nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 3V@ 250µA 250nC@ 10 V 1个P沟道 30V 3.9mΩ@ 20A,10V 60A 8.65nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:1799
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.013
  • 10+ ¥4.65
  • 30+ ¥4.321
  • 100+ ¥4.18
  • 500+ ¥3.85
  • 1000+ ¥3.72
合计:¥5.01
标准包装数量:3000

SQJ479EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ479EP-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个P沟道 80V 33mΩ@ 10A,10V 32A 4.5nF@25V 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
    68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个P沟道 80V 33mΩ@ 10A,10V 32A 4.5nF@25V 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
  • 库   存:110
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.6691
  • 10+ ¥5.4389
  • 30+ ¥4.8305
  • 100+ ¥4.012
  • 500+ ¥3.6708
  • 1000+ ¥3.4903
合计:¥6.67
标准包装数量:3000

SI7145DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7145DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 413nC@ 10 V 1个P沟道 30V 2.6mΩ@ 25A,10V 60A 15.66nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 413nC@ 10 V 1个P沟道 30V 2.6mΩ@ 25A,10V 60A 15.66nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:2859
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.9782
  • 10+ ¥11.0846
  • 30+ ¥9.9357
  • 100+ ¥8.7756
  • 500+ ¥8.2479
  • 500+ ¥8.2479
合计:¥12.98
标准包装数量:3000
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