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2N7002K-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N7002K-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:219451
  • 起订量:10
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.3016
  • 100+ ¥0.2498
  • 300+ ¥0.2235
  • 3000+ ¥0.1632
  • 6000+ ¥0.1557
  • 9000+ ¥0.1505
合计:¥3.02
标准包装数量:3000

TP0610K-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TP0610K-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 185 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 185 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:55791
  • 起订量:10
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.4448
  • 100+ ¥0.3523
  • 300+ ¥0.306
  • 3000+ ¥0.2715
  • 6000+ ¥0.2439
  • 9000+ ¥0.2301
合计:¥4.45
标准包装数量:3000

SI2305CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305CDS-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=8 V, 4.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=8 V, 4.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:17
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.499
  • 10+ ¥0.453
  • 50+ ¥0.435
  • 100+ ¥0.412
  • 500+ ¥0.381
  • 3000+ ¥0.366
合计:¥0.50
标准包装数量:3000

SI1926DL-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1926DL-T1-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 300mW 20V 2.5V@ 250µA 1.4nC@ 10V 2个N沟道 60V 1.4Ω@ 340mA,10V 370mA;340A 18.5pF@30V SC-70-6 贴片安装
    300mW 20V 2.5V@ 250µA 1.4nC@ 10V 2个N沟道 60V 1.4Ω@ 340mA,10V 370mA;340A 18.5pF@30V SC-70-6 贴片安装
  • 库   存:4569
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7583
  • 10+ ¥0.6868
  • 30+ ¥0.6534
  • 100+ ¥0.5974
  • 500+ ¥0.5765
  • 2000+ ¥0.5
合计:¥0.76
标准包装数量:3000

SI2371EDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2371EDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1W(Ta),1.7W(Tc) 12V 1.5V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个P沟道 30V 45mΩ@ 3.7A,10V 4.8A 1nF@ 15V SOT-23 贴片安装 1.12mm(高度)
    1W(Ta),1.7W(Tc) 12V 1.5V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个P沟道 30V 45mΩ@ 3.7A,10V 4.8A 1nF@ 15V SOT-23 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:34681
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.9875
  • 10+ ¥0.8346
  • 30+ ¥0.7683
  • 100+ ¥0.6814
  • 500+ ¥0.6352
  • 1000+ ¥0.6065
合计:¥0.99
标准包装数量:3000

SI1330EDL-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1330EDL-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 240 mA, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 240 mA, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:4656
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1
  • 10+ ¥0.8836
  • 30+ ¥0.8253
  • 100+ ¥0.8012
  • 500+ ¥0.7536
  • 1000+ ¥0.725
合计:¥1.00
标准包装数量:3000

Si2325DS -T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: Si2325DS -T1-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 530 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 530 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:287
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.3567
  • 50+ ¥2.1333
  • 150+ ¥1.9851
  • 500+ ¥1.9103
合计:¥11.78
标准包装数量:3000

SI9407BDY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9407BDY-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 5W(Tc) 20V 3V@ 250µA 22nC@ 10 V 1个P沟道 60V 120mΩ@ 3.2A,10V 4.7A 600pF@30V SOIC-8 贴片安装 1.55mm(高度)
    5W(Tc) 20V 3V@ 250µA 22nC@ 10 V 1个P沟道 60V 120mΩ@ 3.2A,10V 4.7A 600pF@30V SOIC-8 贴片安装 1.55mm(高度)
  • 库   存:2
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.4553
合计:¥3.46
标准包装数量:2500

SI2325DS -T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2325DS -T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 750mW(Ta) 20V 4.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 150V 1.2Ω@ 500mA,10V 530mA 510pF@25V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
    750mW(Ta) 20V 4.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 150V 1.2Ω@ 500mA,10V 530mA 510pF@25V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
  • 库   存:9486
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.5954
  • 10+ ¥2.9373
  • 30+ ¥2.6069
  • 100+ ¥2.2857
  • 500+ ¥2.0906
  • 1000+ ¥1.991
合计:¥3.60
标准包装数量:3000

SI2392ADS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2392ADS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=100 V, 3.1 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=100 V, 3.1 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:6702
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.6535
  • 10+ ¥2.9998
  • 30+ ¥2.7126
  • 100+ ¥2.3661
  • 500+ ¥2.2077
  • 1000+ ¥2.1186
合计:¥3.65
标准包装数量:3000

SI4925DDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4925DDY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 8 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 8 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:131
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.8252
  • 10+ ¥3.1109
  • 30+ ¥2.7635
  • 100+ ¥2.4066
  • 500+ ¥2.1984
  • 1000+ ¥2.0893
合计:¥3.83
标准包装数量:2500

SI7101DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7101DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:1212
  • 描述: 3.7W(Ta),52W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 102nC@ 10 V 1个P沟道 30V 7.2mΩ@ 15A,10V 35A 3.595nF@15V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
    3.7W(Ta),52W(Tc) 25V 2.5V@ 250µA 102nC@ 10 V 1个P沟道 30V 7.2mΩ@ 15A,10V 35A 3.595nF@15V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
  • 库   存:2874
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.5935
  • 10+ ¥3.6462
  • 30+ ¥3.1804
  • 100+ ¥2.7161
  • 500+ ¥2.4405
  • 1000+ ¥2.3033
合计:¥4.59
标准包装数量:3000

SQJ974EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ974EP-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 48W 20V 2.5V@ 250µA 30nC@ 10V 2个N沟道 100V 25.5mΩ@ 10A,10V 30A 1.05nF@25V 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
    48W 20V 2.5V@ 250µA 30nC@ 10V 2个N沟道 100V 25.5mΩ@ 10A,10V 30A 1.05nF@25V 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
  • 库   存:1941
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.7532
  • 10+ ¥4.2358
  • 30+ ¥3.96
  • 100+ ¥3.6715
  • 500+ ¥3.5325
  • 1000+ ¥3.356
合计:¥4.75
标准包装数量:3000

IRFRC20PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFRC20PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-252
  • 描述: 2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 18nC@ 10 V 1个N沟道 600V 4.4Ω@ 1.2A,10V 2A 350pF@25V TO-252 贴片安装
    2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 18nC@ 10 V 1个N沟道 600V 4.4Ω@ 1.2A,10V 2A 350pF@25V TO-252 贴片安装
  • 库   存:2361
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8557
  • 10+ ¥4.2968
  • 30+ ¥3.7905
  • 100+ ¥3.4269
  • 500+ ¥3.1034
  • 1000+ ¥2.9297
合计:¥4.86
标准包装数量:75

SI7135DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7135DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 3V@ 250µA 250nC@ 10 V 1个P沟道 30V 3.9mΩ@ 20A,10V 60A 8.65nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 3V@ 250µA 250nC@ 10 V 1个P沟道 30V 3.9mΩ@ 20A,10V 60A 8.65nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:1199
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.013
  • 10+ ¥4.65
  • 30+ ¥4.321
  • 100+ ¥4.18
  • 500+ ¥3.85
  • 1000+ ¥3.72
合计:¥5.01
标准包装数量:3000

IRF9540SPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9540SPBF
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 19 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 19 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:4
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    1-2工作日
    内地交货(含增值税)
    2-3工作日
  • 1+ $0.68 ¥5.678
合计:¥5.68
标准包装数量:50

SIR422DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR422DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:PPAKSO-8
  • 描述: 5W(Ta),34.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 48nC@ 10 V 1个N沟道 40V 6.6mΩ@ 20A,10V 40A 1.785nF@20V PPAKSO-8 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    5W(Ta),34.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 48nC@ 10 V 1个N沟道 40V 6.6mΩ@ 20A,10V 40A 1.785nF@20V PPAKSO-8 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:1269
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.3262
  • 10+ ¥5.0311
  • 30+ ¥4.4305
  • 100+ ¥3.842
  • 500+ ¥3.4891
  • 1000+ ¥3.3027
合计:¥6.33
标准包装数量:3000

SQJ479EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQJ479EP-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个P沟道 80V 33mΩ@ 10A,10V 32A 4.5nF@25V 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
    68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个P沟道 80V 33mΩ@ 10A,10V 32A 4.5nF@25V 贴片安装 4.9mm*4.37mm*1.27mm
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.4705
  • 10+ ¥5.346
  • 30+ ¥4.7322
  • 100+ ¥4.0392
  • 500+ ¥3.7323
  • 1000+ ¥3.5937
合计:¥6.47
标准包装数量:3000

SI7145DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7145DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 413nC@ 10 V 1个P沟道 30V 2.6mΩ@ 25A,10V 60A 15.66nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 413nC@ 10 V 1个P沟道 30V 2.6mΩ@ 25A,10V 60A 15.66nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:8797
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.578
  • 10+ ¥10.6588
  • 30+ ¥9.4358
  • 100+ ¥8.2055
  • 500+ ¥7.6535
  • 1000+ ¥7.4257
合计:¥12.58
标准包装数量:3000

IRFP360PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP360PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 23 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 23 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1895
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥16.3411
  • 10+ ¥13.2772
  • 30+ ¥11.548
  • 100+ ¥11.122
  • 500+ ¥10.6869
  • 500+ ¥10.6869
合计:¥16.34
标准包装数量:500
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