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FDN306P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN306P
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺.此产品非常适用于电池管理应用.
    此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺.此产品非常适用于电池管理应用.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.147
  • 6000+ ¥0.1446
  • 9000+ ¥0.1409
合计:¥441.00
标准包装数量:3000

IRLML2030 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2030
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道,30V,2.7A,100mΩ@2.7A,10V
    N沟道,30V,2.7A,100mΩ@2.7A,10V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2303
  • 6000+ ¥0.2264
  • 9000+ ¥0.2207
合计:¥690.90
标准包装数量:3000

AO6400 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO6400
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 是一款单N沟道场效应管,具有小型封装和低功耗特性,采用Trench工艺制造.适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品.SOT23-6;N-Channel沟道,30V;6A;RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V;
    是一款单N沟道场效应管,具有小型封装和低功耗特性,采用Trench工艺制造.适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品.SOT23-6;N-Channel沟道,30V;6A;RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V;
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2657
  • 6000+ ¥0.2612
  • 9000+ ¥0.2546
合计:¥797.10
标准包装数量:3000

AO6601 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO6601
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 是一款DualN+P型场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理信号开关电动车电路保护等领域.SOT23-6;N+P-Channel沟道,±20V;5.5 /-3.4A;RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±0.5 ~±1.5V;
    是一款DualN+P型场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理信号开关电动车电路保护等领域.SOT23-6;N+P-Channel沟道,±20V;5.5 /-3.4A;RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±0.5 ~±1.5V;
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2657
  • 6000+ ¥0.2612
  • 9000+ ¥0.2546
合计:¥797.10
标准包装数量:3000

CEM9926A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CEM9926A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道,20V,6A,27mΩ@4.5V
    N沟道,20V,6A,27mΩ@4.5V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.3755
  • 6000+ ¥0.3692
  • 9000+ ¥0.3598
合计:¥1,126.50
标准包装数量:3000

IRF9328 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9328
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: --
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.5296
  • 6000+ ¥0.5208
  • 9000+ ¥0.5075
合计:¥1,588.80
标准包装数量:3000

AO4409 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4409
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道,-30V,-14A,6.8mΩ@-10V,-12A,-1.7V@-250uA;用领域:DC/DC转换负载开关开关电路继电器驱动器LED驱动器电机控制模块电源管理模块等.
    P沟道,-30V,-14A,6.8mΩ@-10V,-12A,-1.7V@-250uA;用领域:DC/DC转换负载开关开关电路继电器驱动器LED驱动器电机控制模块电源管理模块等.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.5349
  • 6000+ ¥0.526
  • 9000+ ¥0.5126
合计:¥1,604.70
标准包装数量:3000

AOD484 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD484
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 适用于各类电源转换和开关控制场景.
    适用于各类电源转换和开关控制场景.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5668
  • 5000+ ¥0.5573
  • 7500+ ¥0.5432
合计:¥1,417.00
标准包装数量:2500

IRF7317 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7317
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 双N型和P型沟道功率MOSFET,具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用.SOP8;N+P-Channel沟道,±30V;8/-8A;RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~±2V;
    双N型和P型沟道功率MOSFET,具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用.SOP8;N+P-Channel沟道,±30V;8/-8A;RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~±2V;
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.6146
  • 6000+ ¥0.6043
  • 9000+ ¥0.589
合计:¥1,843.80
标准包装数量:3000

NTD24N06L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD24N06L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 单N沟道场效应管,具有高效稳定和可靠的特性,可满足不同应用的需求,适用于设计稳定可靠的电源供应模块电动工具电动车控制器LED照明等领域.TO252;N-Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    单N沟道场效应管,具有高效稳定和可靠的特性,可满足不同应用的需求,适用于设计稳定可靠的电源供应模块电动工具电动车控制器LED照明等领域.TO252;N-Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6199
  • 5000+ ¥0.6096
  • 7500+ ¥0.5941
合计:¥1,549.75
标准包装数量:2500

IRF7469 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7469
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 单N沟道场效应晶体管,具有优良的电气特性和可靠性,适用于低功率控制和驱动应用,包括LED驱动模块电池管理模块家用电器控制模块等领域.SOP8;N-Channel沟道,40V;10A;RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    单N沟道场效应晶体管,具有优良的电气特性和可靠性,适用于低功率控制和驱动应用,包括LED驱动模块电池管理模块家用电器控制模块等领域.SOP8;N-Channel沟道,40V;10A;RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.7085
  • 6000+ ¥0.6967
  • 9000+ ¥0.6789
合计:¥2,125.50
标准包装数量:3000

IRFZ46N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFZ46N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.0308
  • 2000+ ¥1.0136
  • 3000+ ¥0.9879
合计:¥1,030.80
标准包装数量:1000

IRF3803 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF3803
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.1513
  • 2000+ ¥1.1321
  • 3000+ ¥1.1033
合计:¥1,151.30
标准包装数量:1000

IRLR2908 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR2908
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 单路N型场效应晶体管,适用于汽车电子模块工业控制模块等领域.TO252;N-Channel沟道,100V;40A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;
    单路N型场效应晶体管,适用于汽车电子模块工业控制模块等领域.TO252;N-Channel沟道,100V;40A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥1.2292
  • 5000+ ¥1.2087
  • 7500+ ¥1.178
合计:¥3,073.00
标准包装数量:2500

IRLU3110Z 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLU3110Z
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-251
  • 描述: N沟道,100V,63A,14mΩ@10V
    N沟道,100V,63A,14mΩ@10V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥1.6861
  • 6000+ ¥1.658
  • 9000+ ¥1.6159
合计:¥5,058.30
标准包装数量:3000

IRF9520N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9520N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: P沟道,-100V,-6.8A,480mΩ@-10V
    P沟道,-100V,-6.8A,480mΩ@-10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.7251
  • 2000+ ¥1.6964
  • 3000+ ¥1.6532
合计:¥1,725.10
标准包装数量:1000

IRF2807S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF2807S
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-263
  • 描述: 单极性N型沟道MOSFET,适用于需要高性能高可靠性和高效率的功率电子模块,如电源管理电动车辆和工业自动化等领域.TO263;N-Channel沟道,80V;120A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5~4.5V;
    单极性N型沟道MOSFET,适用于需要高性能高可靠性和高效率的功率电子模块,如电源管理电动车辆和工业自动化等领域.TO263;N-Channel沟道,80V;120A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5~4.5V;
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 800+ ¥1.7322
  • 1600+ ¥1.7033
  • 2400+ ¥1.66
合计:¥1,385.76
标准包装数量:800

IRFS4410Z 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFS4410Z
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-263
  • 描述: N-Channel沟道;100V;140A;RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术
    N-Channel沟道;100V;140A;RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 800+ ¥2.0227
  • 1600+ ¥1.989
  • 2400+ ¥1.9384
合计:¥1,618.16
标准包装数量:800

IPP200N25N3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPP200N25N3G
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
    Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥4.9592
  • 2000+ ¥4.8766
  • 3000+ ¥4.7526
合计:¥4,959.20
标准包装数量:1000

IRF7309 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7309
  • 厂牌:EVVOSEMI
  • 封装:SOP-8
  • 描述: --
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-8周
    内地交货(含增值税)
    5-9周
  • 3000+ $0.084 ¥0.7115
  • 6000+ $0.0828 ¥0.7013
  • 6000+ $0.0828 ¥0.7013
合计:¥2,134.50
标准包装数量:3000
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