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SI2302B 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302B
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备电源管理电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计
    是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备电源管理电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.0708
  • 6000+ ¥0.0697
  • 9000+ ¥0.0679
合计:¥212.40
标准包装数量:3000

FDN5630 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN5630
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于60V电压系统,具备3A大电流处理能力.具有低导通电阻与快速开关特性,广泛应用于充电器电源转换等领域,实现高效稳定的功率控制及转换功能.
    N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于60V电压系统,具备3A大电流处理能力.具有低导通电阻与快速开关特性,广泛应用于充电器电源转换等领域,实现高效稳定的功率控制及转换功能.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1399
  • 6000+ ¥0.1376
  • 9000+ ¥0.1341
合计:¥419.70
标准包装数量:3000

FDN339AN 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN339AN
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能.
    此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1399
  • 6000+ ¥0.1376
  • 9000+ ¥0.1341
合计:¥419.70
标准包装数量:3000

FDN360P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN360P
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能.此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用.
    此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能.此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.255
  • 6000+ ¥0.2508
  • 9000+ ¥0.2444
合计:¥765.00
标准包装数量:3000

IRFL014N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL014N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块传感器模块LED驱动模块和便携式电子产品等领域.SOT223;N-Channel沟道,60V;4.5A;RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
    是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块传感器模块LED驱动模块和便携式电子产品等领域.SOT223;N-Channel沟道,60V;4.5A;RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥0.395
  • 2000+ ¥0.3884
  • 3000+ ¥0.3785
合计:¥395.00
标准包装数量:1000

IRL6372 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL6372
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 双N通道功率场效应管,适用于电源管理模块电机驱动电流检测和调节以及逆变器等领域.SOP8;2个N-Channel沟道,30V;8.5A;RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    双N通道功率场效应管,适用于电源管理模块电机驱动电流检测和调节以及逆变器等领域.SOP8;2个N-Channel沟道,30V;8.5A;RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.457
  • 6000+ ¥0.4493
  • 9000+ ¥0.4379
合计:¥1,371.00
标准包装数量:3000

AO4406A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4406A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 适用于一般开关和低压电源电路开关速度较快导通电阻低.
    适用于一般开关和低压电源电路开关速度较快导通电阻低.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.4995
  • 6000+ ¥0.4911
  • 9000+ ¥0.4787
合计:¥1,498.50
标准包装数量:3000

IRF7301 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7301
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 双N沟道,20V,5.2A,0.05Ω@4.5V
    双N沟道,20V,5.2A,0.05Ω@4.5V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.5313
  • 6000+ ¥0.5225
  • 9000+ ¥0.5092
合计:¥1,593.90
标准包装数量:3000

IRF7313 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7313
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 该SOP-8封装的双N沟道消费级MOSFET,专为30V电压下中高电流应用设计.每个通道最大连续电流可达8.5A,适用于电源转换负载切换及电池管理系统,具有低导通电阻与高效能表现,是现代电子设备实现精准功率控制的理想双通道解决方案.
    该SOP-8封装的双N沟道消费级MOSFET,专为30V电压下中高电流应用设计.每个通道最大连续电流可达8.5A,适用于电源转换负载切换及电池管理系统,具有低导通电阻与高效能表现,是现代电子设备实现精准功率控制的理想双通道解决方案.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.7085
  • 6000+ ¥0.6967
  • 9000+ ¥0.6789
合计:¥2,125.50
标准包装数量:3000

FDD5353 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD5353
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 这款MOS管采用先进的TO-252-2L封装技术,属于高性能N沟道MOSFET器件.其拥有高达60V的漏源极电压额定值和强大的50A连续漏极电流能力,确保了在大电流环境下的稳定工作.导通电阻仅为11mΩ,有效降低了功率损耗,提升系统能效,特别适用于各类开关电源电机驱动及电池管理系统等高要求应用场景.
    这款MOS管采用先进的TO-252-2L封装技术,属于高性能N沟道MOSFET器件.其拥有高达60V的漏源极电压额定值和强大的50A连续漏极电流能力,确保了在大电流环境下的稳定工作.导通电阻仅为11mΩ,有效降低了功率损耗,提升系统能效,特别适用于各类开关电源电机驱动及电池管理系统等高要求应用场景.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.8147
  • 5000+ ¥0.8012
  • 7500+ ¥0.7808
合计:¥2,036.75
标准包装数量:2500

FDD8880 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD8880
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器.它经过了优化,可实现低门极电荷低 RDS(ON) 和快速开关.
    此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器.它经过了优化,可实现低门极电荷低 RDS(ON) 和快速开关.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.8147
  • 5000+ ¥0.8012
  • 7500+ ¥0.7808
合计:¥2,036.75
标准包装数量:2500

IRFR5505 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR5505
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET,专为60V电压下大电流应用打造.提供高达15A连续电流处理能力,广泛应用于电源转换负载开关控制及电池管理系统,具有低导通电阻和高效散热性能,是现代电子设备实现精准功率管理的理想选择.
    此款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET,专为60V电压下大电流应用打造.提供高达15A连续电流处理能力,广泛应用于电源转换负载开关控制及电池管理系统,具有低导通电阻和高效散热性能,是现代电子设备实现精准功率管理的理想选择.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.9918
  • 5000+ ¥0.9753
  • 7500+ ¥0.9505
合计:¥2,479.50
标准包装数量:2500

BSC050N04LSG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC050N04LSG
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 单极性N沟道场效应管,适用于需要高功率和电流的应用场合.DFN8(5X6);N-Channel沟道,40V;70A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    单极性N沟道场效应管,适用于需要高功率和电流的应用场合.DFN8(5X6);N-Channel沟道,40V;70A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 5000+ ¥1.006
  • 10000+ ¥0.9893
  • 15000+ ¥0.9641
合计:¥5,030.00
标准包装数量:5000

IRL3803 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL3803
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: 单体N沟道场效应管,适用于电源开关模块汽车电子模块工业自动化控制模块等领域.TO220;N-Channel沟道,30V;140A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    单体N沟道场效应管,适用于电源开关模块汽车电子模块工业自动化控制模块等领域.TO220;N-Channel沟道,30V;140A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.0308
  • 2000+ ¥1.0136
  • 3000+ ¥0.9879
合计:¥1,030.80
标准包装数量:1000

IRLB8721 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLB8721
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.0627
  • 2000+ ¥1.045
  • 3000+ ¥1.0184
合计:¥1,062.70
标准包装数量:1000

IRFR3710Z 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3710Z
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道,100V,42A,18mΩ@10V
    N沟道,100V,42A,18mΩ@10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.2398
  • 2000+ ¥1.2191
  • 3000+ ¥1.1882
合计:¥1,239.80
标准包装数量:1000

IRF2807 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF2807
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: N沟道,75V,75A,13mΩ@10V
    N沟道,75V,75A,13mΩ@10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.4258
  • 2000+ ¥1.402
  • 3000+ ¥1.3664
合计:¥1,425.80
标准包装数量:1000

IRF9Z34N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9Z34N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: 广泛应用于充电器电源转换及各类电子设备中,实现高效能稳定可靠的功率控制.
    广泛应用于充电器电源转换及各类电子设备中,实现高效能稳定可靠的功率控制.
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.4717
  • 2000+ ¥1.4472
  • 3000+ ¥1.4104
合计:¥1,471.70
标准包装数量:1000

BTA24-800BRG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BTA24-800BRG
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: 可控硅晶闸管大量应用家用电器,电源等领域
    可控硅晶闸管大量应用家用电器,电源等领域
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.7145
  • 2000+ ¥1.6859
  • 3000+ ¥1.643
合计:¥1,714.50
标准包装数量:1000

IRFR7740 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR7740
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道,6mΩ@10V,52A
    N沟道,6mΩ@10V,52A
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.865
  • 2000+ ¥1.8339
  • 2000+ ¥1.8339
合计:¥1,865.00
标准包装数量:1000
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