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SI2301A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 漏源电压:20V 连续漏极电流:2.8A 导通电阻:110mΩ@2.5V 耗散功率:0.4W 阀值电压:0.4V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
    漏源电压:20V 连续漏极电流:2.8A 导通电阻:110mΩ@2.5V 耗散功率:0.4W 阀值电压:0.4V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.0708
  • 6000+ ¥0.0697
  • 9000+ ¥0.0679
合计:¥212.40
标准包装数量:3000

SI2312A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2312A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为20V电压应用设计,具有高达6A的连续电流承载能力.凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性,广泛适用于充电器电源转换及各种高效能电子设备中,提供稳定可靠的功率管理方案.
    该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为20V电压应用设计,具有高达6A的连续电流承载能力.凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性,广泛适用于充电器电源转换及各种高效能电子设备中,提供稳定可靠的功率管理方案.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1151
  • 6000+ ¥0.1132
  • 9000+ ¥0.1103
合计:¥345.30
标准包装数量:3000

SI2305A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制
    1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1151
  • 6000+ ¥0.1132
  • 9000+ ¥0.1103
合计:¥345.30
标准包装数量:3000

FDD5680 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD5680
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此款N沟道场效应管(MOSFET)拥有强大的电流承载能力和较低的导通电阻,其连续漏极电流ID可达50A,最大漏源电压VDSS为60V,导通电阻RDON仅为11mΩ,确保了高效能表现.器件支持的栅源极电压VGS范围至20V,适用于需要快速开关响应和低损耗的应用场景.该MOSFET凭借其优异的性能,是构建高效电源转换器信号放大及各类电子装置中不可或缺的关键元件.
    此款N沟道场效应管(MOSFET)拥有强大的电流承载能力和较低的导通电阻,其连续漏极电流ID可达50A,最大漏源电压VDSS为60V,导通电阻RDON仅为11mΩ,确保了高效能表现.器件支持的栅源极电压VGS范围至20V,适用于需要快速开关响应和低损耗的应用场景.该MOSFET凭借其优异的性能,是构建高效电源转换器信号放大及各类电子装置中不可或缺的关键元件.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5101
  • 5000+ ¥0.5016
  • 7500+ ¥0.4888
合计:¥1,275.25
标准包装数量:2500

FDD6685 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD6685
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: FDD6685 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装,具备良好的散热性能和易于焊接的特点.该器件在30V的最大工作电压下,能承载高达50A的大电流,且拥有仅为15mΩ的低导通电阻,确保高效能低损耗的电力传输.
    FDD6685 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装,具备良好的散热性能和易于焊接的特点.该器件在30V的最大工作电压下,能承载高达50A的大电流,且拥有仅为15mΩ的低导通电阻,确保高效能低损耗的电力传输.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5101
  • 5000+ ¥0.5016
  • 7500+ ¥0.4888
合计:¥1,275.25
标准包装数量:2500

FQD13N06L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQD13N06L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为20A,可满足一定功率需求.电压60V,适应多种常见电路环境.内阻典型值27mR,能减少能量损耗.VGS为20V.在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中.
    这款场效应管为N型,电流为20A,可满足一定功率需求.电压60V,适应多种常见电路环境.内阻典型值27mR,能减少能量损耗.VGS为20V.在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5101
  • 5000+ ¥0.5016
  • 7500+ ¥0.4888
合计:¥1,275.25
标准包装数量:2500

FDD6776A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD6776A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
    MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6111
  • 5000+ ¥0.6009
  • 7500+ ¥0.5856
合计:¥1,527.75
标准包装数量:2500

FDD8586 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD8586
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6111
  • 5000+ ¥0.6009
  • 7500+ ¥0.5856
合计:¥1,527.75
标准包装数量:2500

AOD442 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD442
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道,60V,37A,20mΩ@10V
    N沟道,60V,37A,20mΩ@10V
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6199
  • 5000+ ¥0.6096
  • 7500+ ¥0.5941
合计:¥1,549.75
标准包装数量:2500

IRLR8721 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR8721
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: TO252;N-Channel沟道,30V;100A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
    TO252;N-Channel沟道,30V;100A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6199
  • 5000+ ¥0.6096
  • 7500+ ¥0.5941
合计:¥1,549.75
标准包装数量:2500

AO4480 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4480
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N-Channel沟道,40V;10A;RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    N-Channel沟道,40V;10A;RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.6288
  • 6000+ ¥0.6183
  • 9000+ ¥0.6026
合计:¥1,886.40
标准包装数量:3000

FDD4141 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD4141
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 单路P型MOSFET,适用于需要P型MOSFET的高功率高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案.TO252;P-Channel沟道,-40V;-50A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3.5V;
    单路P型MOSFET,适用于需要P型MOSFET的高功率高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案.TO252;P-Channel沟道,-40V;-50A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3.5V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6518
  • 5000+ ¥0.6409
  • 7500+ ¥0.6246
合计:¥1,629.50
标准包装数量:2500

IRF7416 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7416
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用.其关键参数包括:11A的最大电流承载能力,30V的漏极-源极电压,以及13mΩ的典型内阻.VGS为20V,确保了良好的控制性能.适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景.
    这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用.其关键参数包括:11A的最大电流承载能力,30V的漏极-源极电压,以及13mΩ的典型内阻.VGS为20V,确保了良好的控制性能.适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.7085
  • 6000+ ¥0.6967
  • 9000+ ¥0.6789
合计:¥2,125.50
标准包装数量:3000

AOD4185 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD4185
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计,实现高效稳定的开关控制,是优化系统性能的理想半导体元件.
    专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计,实现高效稳定的开关控制,是优化系统性能的理想半导体元件.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.7085
  • 5000+ ¥0.6967
  • 7500+ ¥0.6789
合计:¥1,771.25
标准包装数量:2500

IRF7240 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7240
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V
    P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.8856
  • 6000+ ¥0.8708
  • 9000+ ¥0.8487
合计:¥2,656.80
标准包装数量:3000

4N60F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 4N60F
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220F
  • 描述: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
    MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥0.9316
  • 2000+ ¥0.9161
  • 3000+ ¥0.8928
合计:¥931.60
标准包装数量:1000

IRLR9343 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR9343
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道,-55V,-20A,170mΩ@-4.5V
    P沟道,-55V,-20A,170mΩ@-4.5V
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥1.0627
  • 5000+ ¥1.045
  • 7500+ ¥1.0184
合计:¥2,656.75
标准包装数量:2500

IRF540Z 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF540Z
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):110W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10A,10V
    类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):110W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10A,10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.13
  • 2000+ ¥1.1112
  • 3000+ ¥1.0829
合计:¥1,130.00
标准包装数量:1000

IRF9640N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9640N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥2.2139
  • 2000+ ¥2.1771
  • 3000+ ¥2.1217
合计:¥2,213.90
标准包装数量:1000

IRLS4030 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLS4030
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-263
  • 描述: TO263;N-Channel沟道,100V;140A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    TO263;N-Channel沟道,100V;140A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 800+ ¥4.4279
  • 1600+ ¥4.3541
  • 1600+ ¥4.3541
合计:¥3,542.32
标准包装数量:800
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