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IRLMS6802 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLMS6802
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V
    P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.4357
  • 6000+ ¥0.4284
  • 9000+ ¥0.4176
合计:¥1,307.10
标准包装数量:3000

IRFH3707 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFH3707
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 单N型MOSFET,适用于电源模块电动车电机控制器光伏逆变器等领域.DFN8(3X3);N-Channel沟道,30V;30A;RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    单N型MOSFET,适用于电源模块电动车电机控制器光伏逆变器等领域.DFN8(3X3);N-Channel沟道,30V;30A;RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
  • 库   存:4000
  • 起订量:4000
  • 增   量:4000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 4000+ ¥0.4764
  • 8000+ ¥0.4685
  • 12000+ ¥0.4566
合计:¥1,905.60
标准包装数量:4000

IRF7406 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7406
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P 沟道,Vds=-30V
    P 沟道,Vds=-30V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.4959
  • 6000+ ¥0.4877
  • 9000+ ¥0.4753
合计:¥1,487.70
标准包装数量:3000

FDD6676AS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD6676AS
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
    MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5101
  • 5000+ ¥0.5016
  • 7500+ ¥0.4888
合计:¥1,275.25
标准包装数量:2500

IRF7316 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7316
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V
    P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.5313
  • 6000+ ¥0.5225
  • 9000+ ¥0.5092
合计:¥1,593.90
标准包装数量:3000

IRFR9024N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9024N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道,-60V,-28A,27mΩ@-10.0V,-20A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换负载开关开关电路继电器驱动器LED驱动器电机控制模块电源管理模块等.
    P沟道,-60V,-28A,27mΩ@-10.0V,-20A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换负载开关开关电路继电器驱动器LED驱动器电机控制模块电源管理模块等.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5313
  • 5000+ ¥0.5225
  • 7500+ ¥0.5092
合计:¥1,328.25
标准包装数量:2500

AO4807 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4807
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 广泛应用于电源转换负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现.
    广泛应用于电源转换负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.6057
  • 6000+ ¥0.5956
  • 9000+ ¥0.5805
合计:¥1,817.10
标准包装数量:3000

FDD7030BL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD7030BL
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
    MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6111
  • 5000+ ¥0.6009
  • 7500+ ¥0.5856
合计:¥1,527.75
标准包装数量:2500

IPD135N03LG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD135N03LG
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: --
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6111
  • 5000+ ¥0.6009
  • 7500+ ¥0.5856
合计:¥1,527.75
标准包装数量:2500

NTD4804N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD4804N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为120A,能承载较大功率.电压30V,可在多种常见电路环境下稳定工作.内阻典型值3mR,减少了能量损耗.VGS为20V.在消费电子领域,适用于特定高功率电子设备的电流控制.
    这款场效应管为N型,电流为120A,能承载较大功率.电压30V,可在多种常见电路环境下稳定工作.内阻典型值3mR,减少了能量损耗.VGS为20V.在消费电子领域,适用于特定高功率电子设备的电流控制.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6199
  • 5000+ ¥0.6096
  • 7500+ ¥0.5941
合计:¥1,549.75
标准包装数量:2500

MMFT2955T 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MMFT2955T
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-223
  • 描述: --
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.7085
  • 6000+ ¥0.6967
  • 9000+ ¥0.6789
合计:¥2,125.50
标准包装数量:3000

FDD8870 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD8870
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器.它经过了优化,可实现低门极电荷低 RDS(ON) 和快速开关.
    此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器.它经过了优化,可实现低门极电荷低 RDS(ON) 和快速开关.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.7138
  • 5000+ ¥0.7019
  • 7500+ ¥0.684
合计:¥1,784.50
标准包装数量:2500

IRFL4315 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL4315
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 单极N型MOSFET,在小功率电源消费类电子医疗器械和LED照明等领域中广泛应用.SOT223;N-Channel沟道,150V;3A;RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    单极N型MOSFET,在小功率电源消费类电子医疗器械和LED照明等领域中广泛应用.SOT223;N-Channel沟道,150V;3A;RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.7333
  • 5000+ ¥0.721
  • 7500+ ¥0.7027
合计:¥1,833.25
标准包装数量:2500

BSC120N03LSG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC120N03LSG
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
    MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 5000+ ¥0.7545
  • 10000+ ¥0.7419
  • 15000+ ¥0.7231
合计:¥3,772.50
标准包装数量:5000

FDD068AN03L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD068AN03L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.8147
  • 5000+ ¥0.8012
  • 7500+ ¥0.7808
合计:¥2,036.75
标准包装数量:2500

IRFR3910 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3910
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为中高电压大电流应用打造.额定电压100V,可承载20A连续电流,适用于电源转换电机驱动和电池管理系统,具备低导通电阻及良好散热性能,是现代电子设备高效能功率控制的理想半导体元件.
    这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为中高电压大电流应用打造.额定电压100V,可承载20A连续电流,适用于电源转换电机驱动和电池管理系统,具备低导通电阻及良好散热性能,是现代电子设备高效能功率控制的理想半导体元件.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.8927
  • 5000+ ¥0.8778
  • 7500+ ¥0.8555
合计:¥2,231.75
标准包装数量:2500

IRFR6215 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR6215
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道,-150V,-13A,0.295Ω@-10V
    P沟道,-150V,-13A,0.295Ω@-10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.3284
  • 2000+ ¥1.3062
  • 3000+ ¥1.273
合计:¥1,328.40
标准包装数量:1000

IRL1404Z 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL1404Z
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: 是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性.适用于高功率电子设备的散热要求.TO220;N-Channel沟道,40V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性.适用于高功率电子设备的散热要求.TO220;N-Channel沟道,40V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥2.6178
  • 2000+ ¥2.5741
  • 3000+ ¥2.5087
合计:¥2,617.80
标准包装数量:1000

BSC039N06NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC039N06NS
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,具备60V高耐压及卓越的125A大电流处理能力.专为高性能低电阻开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,实现高效能与紧凑空间利用的完美结合.
    本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,具备60V高耐压及卓越的125A大电流处理能力.专为高性能低电阻开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,实现高效能与紧凑空间利用的完美结合.
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 5000+ ¥4.1498
  • 10000+ ¥4.0807
  • 15000+ ¥3.9769
合计:¥20,749.00
标准包装数量:5000

BSS138W 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS138W
  • 厂牌:EVVO Semiconductor
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道
    1个N沟道
  • 库   存:2637
  • 起订量:506
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 15000+ ¥3.9769
合计:¥432.38
标准包装数量:1
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