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SI2308A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2308A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)
    类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1151
  • 6000+ ¥0.1132
  • 9000+ ¥0.1103
合计:¥345.30
标准包装数量:3000

BS170FTA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BS170FTA
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1个N沟道 SOT-23
    1个N沟道 SOT-23
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1222
  • 6000+ ¥0.1202
  • 9000+ ¥0.1171
合计:¥366.60
标准包装数量:3000

FDN352AP 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN352AP
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能.此类器件特别适用于需要在非常小形的表面贴装封装中实现线路内低功率损耗的低压和电池供电应用.
    此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能.此类器件特别适用于需要在非常小形的表面贴装封装中实现线路内低功率损耗的低压和电池供电应用.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.147
  • 6000+ ¥0.1446
  • 9000+ ¥0.1409
合计:¥441.00
标准包装数量:3000

1N65L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 1N65L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 是一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性.采用平面工艺(Plannar),适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能.TO220;N-Channel沟道,650V;2A;RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
    是一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性.采用平面工艺(Plannar),适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能.TO220;N-Channel沟道,650V;2A;RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.3897
  • 5000+ ¥0.3832
  • 7500+ ¥0.3734
合计:¥974.25
标准包装数量:2500

IRFH3707 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFH3707
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 单N型MOSFET,适用于电源模块电动车电机控制器光伏逆变器等领域.DFN8(3X3);N-Channel沟道,30V;30A;RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    单N型MOSFET,适用于电源模块电动车电机控制器光伏逆变器等领域.DFN8(3X3);N-Channel沟道,30V;30A;RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
  • 库   存:4000
  • 起订量:4000
  • 增   量:4000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 4000+ ¥0.4764
  • 8000+ ¥0.4685
  • 12000+ ¥0.4566
合计:¥1,905.60
标准包装数量:4000

IRF7406 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7406
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P 沟道,Vds=-30V
    P 沟道,Vds=-30V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.4959
  • 6000+ ¥0.4877
  • 9000+ ¥0.4753
合计:¥1,487.70
标准包装数量:3000

FDD6676AS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD6676AS
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
    MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5101
  • 5000+ ¥0.5016
  • 7500+ ¥0.4888
合计:¥1,275.25
标准包装数量:2500

IRF7316 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7316
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V
    P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.5313
  • 6000+ ¥0.5225
  • 9000+ ¥0.5092
合计:¥1,593.90
标准包装数量:3000

IRFR9024N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9024N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道,-60V,-28A,27mΩ@-10.0V,-20A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换负载开关开关电路继电器驱动器LED驱动器电机控制模块电源管理模块等.
    P沟道,-60V,-28A,27mΩ@-10.0V,-20A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换负载开关开关电路继电器驱动器LED驱动器电机控制模块电源管理模块等.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5313
  • 5000+ ¥0.5225
  • 7500+ ¥0.5092
合计:¥1,328.25
标准包装数量:2500

AO4807 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4807
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 广泛应用于电源转换负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现.
    广泛应用于电源转换负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.6057
  • 6000+ ¥0.5956
  • 9000+ ¥0.5805
合计:¥1,817.10
标准包装数量:3000

FDD7030BL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD7030BL
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
    MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6111
  • 5000+ ¥0.6009
  • 7500+ ¥0.5856
合计:¥1,527.75
标准包装数量:2500

IPD135N03LG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD135N03LG
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: --
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6111
  • 5000+ ¥0.6009
  • 7500+ ¥0.5856
合计:¥1,527.75
标准包装数量:2500

NTD4804N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD4804N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为120A,能承载较大功率.电压30V,可在多种常见电路环境下稳定工作.内阻典型值3mR,减少了能量损耗.VGS为20V.在消费电子领域,适用于特定高功率电子设备的电流控制.
    这款场效应管为N型,电流为120A,能承载较大功率.电压30V,可在多种常见电路环境下稳定工作.内阻典型值3mR,减少了能量损耗.VGS为20V.在消费电子领域,适用于特定高功率电子设备的电流控制.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6199
  • 5000+ ¥0.6096
  • 7500+ ¥0.5941
合计:¥1,549.75
标准包装数量:2500

MMFT2955T 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MMFT2955T
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-223
  • 描述: --
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.7085
  • 6000+ ¥0.6967
  • 9000+ ¥0.6789
合计:¥2,125.50
标准包装数量:3000

FDD8870 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD8870
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器.它经过了优化,可实现低门极电荷低 RDS(ON) 和快速开关.
    此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器.它经过了优化,可实现低门极电荷低 RDS(ON) 和快速开关.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.7138
  • 5000+ ¥0.7019
  • 7500+ ¥0.684
合计:¥1,784.50
标准包装数量:2500

IRFL4315 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL4315
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 单极N型MOSFET,在小功率电源消费类电子医疗器械和LED照明等领域中广泛应用.SOT223;N-Channel沟道,150V;3A;RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    单极N型MOSFET,在小功率电源消费类电子医疗器械和LED照明等领域中广泛应用.SOT223;N-Channel沟道,150V;3A;RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.7333
  • 5000+ ¥0.721
  • 7500+ ¥0.7027
合计:¥1,833.25
标准包装数量:2500

FDD068AN03L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD068AN03L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.8147
  • 5000+ ¥0.8012
  • 7500+ ¥0.7808
合计:¥2,036.75
标准包装数量:2500

IRFR6215 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR6215
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道,-150V,-13A,0.295Ω@-10V
    P沟道,-150V,-13A,0.295Ω@-10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.3284
  • 2000+ ¥1.3062
  • 3000+ ¥1.273
合计:¥1,328.40
标准包装数量:1000

SPP11N60C3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPP11N60C3
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220
    MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥4.7998
  • 2000+ ¥4.7198
  • 3000+ ¥4.5998
合计:¥4,799.80
标准包装数量:1000

BSS138W 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS138W
  • 厂牌:EVVO Semiconductor
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道
    1个N沟道
  • 库   存:2637
  • 起订量:506
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ ¥4.5998
合计:¥432.38
标准包装数量:1
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