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SI2319 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2319
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压40V,支持高达5A连续电流.具有低导通电阻与快速开关性能,适用于充电器电源转换等应用,为电子设备提供高效稳定的功率控制解决方案.
    该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压40V,支持高达5A连续电流.具有低导通电阻与快速开关性能,适用于充电器电源转换等应用,为电子设备提供高效稳定的功率控制解决方案.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2657
  • 6000+ ¥0.2612
  • 9000+ ¥0.2546
合计:¥797.10
标准包装数量:3000

IRF9952 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9952
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 双N型和P型沟道功率MOSFET,具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用.SOP8;N+P-Channel沟道,±30V;8/-8A;RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~±2V;
    双N型和P型沟道功率MOSFET,具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用.SOP8;N+P-Channel沟道,±30V;8/-8A;RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~±2V;
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.3064
  • 6000+ ¥0.3013
  • 9000+ ¥0.2936
合计:¥919.20
标准包装数量:3000

2N60G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N60G
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-223
  • 描述: MOSFET N-CH 600V 2A SOT223
    MOSFET N-CH 600V 2A SOT223
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.4428
  • 5000+ ¥0.4354
  • 7500+ ¥0.4243
合计:¥1,107.00
标准包装数量:2500

25N06 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 25N06
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压60V,提供高达30A的连续电流处理能力.专为高性能开关电源和负载驱动设计,适用于各类消费电子产品,确保高效能低损耗与卓越的系统稳定性.
    本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压60V,提供高达30A的连续电流处理能力.专为高性能开关电源和负载驱动设计,适用于各类消费电子产品,确保高效能低损耗与卓越的系统稳定性.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.4959
  • 5000+ ¥0.4877
  • 7500+ ¥0.4753
合计:¥1,239.75
标准包装数量:2500

FQD19N10L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQD19N10L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的.此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度.此类器件适用于开关模式电源音频放大器直流电机控制和可变开关电源应用.
    此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的.此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度.此类器件适用于开关模式电源音频放大器直流电机控制和可变开关电源应用.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5101
  • 5000+ ¥0.5016
  • 7500+ ¥0.4888
合计:¥1,275.25
标准包装数量:2500

IRF7105 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7105
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 适用于高效率电源转换和负载开关应用,紧凑结构与强大性能结合,提供卓越的双通道功率控制解决方案.
    适用于高效率电源转换和负载开关应用,紧凑结构与强大性能结合,提供卓越的双通道功率控制解决方案.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.5313
  • 6000+ ¥0.5225
  • 9000+ ¥0.5092
合计:¥1,593.90
标准包装数量:3000

IRFU120 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFU120
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-251
  • 描述: N沟道 100V 7.7A
    N沟道 100V 7.7A
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.6199
  • 6000+ ¥0.6096
  • 9000+ ¥0.5941
合计:¥1,859.70
标准包装数量:3000

AO4486 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4486
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
    MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.6589
  • 6000+ ¥0.6479
  • 9000+ ¥0.6314
合计:¥1,976.70
标准包装数量:3000

NTD2955 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD2955
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此场效应管为P型,电流15A,可在特定功率范围内工作.电压达60V,适用于多种常见电路环境.内阻典型值95mR,能对能量损耗起到一定控制作用.VGS为20V.在消费电子领域,可满足特定电子设备的电流和电压需求.
    此场效应管为P型,电流15A,可在特定功率范围内工作.电压达60V,适用于多种常见电路环境.内阻典型值95mR,能对能量损耗起到一定控制作用.VGS为20V.在消费电子领域,可满足特定电子设备的电流和电压需求.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.7085
  • 5000+ ¥0.6967
  • 7500+ ¥0.6789
合计:¥1,771.25
标准包装数量:2500

IRFR4105Z 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR4105Z
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 单N沟道场效应管,具有高效稳定和可靠的特性,可满足不同应用的需求,适用于设计稳定可靠的电源供应模块电动工具电动车控制器LED照明等领域.TO252;N-Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    单N沟道场效应管,具有高效稳定和可靠的特性,可满足不同应用的需求,适用于设计稳定可靠的电源供应模块电动工具电动车控制器LED照明等领域.TO252;N-Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.7138
  • 5000+ ¥0.7019
  • 7500+ ¥0.684
合计:¥1,784.50
标准包装数量:2500

IRF9362 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9362
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 是一款双P型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于各种电源和功率控制应用,包括但不限于开关电源电池管理电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计.SOP8;2个P-Channel沟道,-30V;-8A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
    是一款双P型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于各种电源和功率控制应用,包括但不限于开关电源电池管理电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计.SOP8;2个P-Channel沟道,-30V;-8A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥0.7333
  • 2000+ ¥0.721
  • 3000+ ¥0.7027
合计:¥733.30
标准包装数量:1000

SI9948AEY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9948AEY
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
    MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.7545
  • 6000+ ¥0.7419
  • 9000+ ¥0.7231
合计:¥2,263.50
标准包装数量:3000

IPD50P03P4L-11 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD50P03P4L-11
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 单P型MOSFET器件,适用于各种电源管理应用场景.TO252;P-Channel沟道,-30V;-60A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
    单P型MOSFET器件,适用于各种电源管理应用场景.TO252;P-Channel沟道,-30V;-60A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.8147
  • 5000+ ¥0.8012
  • 7500+ ¥0.7808
合计:¥2,036.75
标准包装数量:2500

IRF7424 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7424
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 这款场效应管采用P型设计,适用于多种应用场景.其关键参数包括:最大电流12A,额定电压30V,以及典型内阻10mR.此外,它的栅源极电压VGS为20V.该元器件具有优异的性能表现,可确保在各种工作环境下稳定可靠,是实现高效能电子系统的理想选择.
    这款场效应管采用P型设计,适用于多种应用场景.其关键参数包括:最大电流12A,额定电压30V,以及典型内阻10mR.此外,它的栅源极电压VGS为20V.该元器件具有优异的性能表现,可确保在各种工作环境下稳定可靠,是实现高效能电子系统的理想选择.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.8856
  • 6000+ ¥0.8708
  • 9000+ ¥0.8487
合计:¥2,656.80
标准包装数量:3000

STD35NF06L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD35NF06L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 是一款单通道N型场效应晶体管,采用Trench工艺,具有较低的导通电阻和较高的性能,适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用,为相关领域提供了可靠的解决方案
    是一款单通道N型场效应晶体管,采用Trench工艺,具有较低的导通电阻和较高的性能,适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用,为相关领域提供了可靠的解决方案
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.8856
  • 5000+ ¥0.8708
  • 7500+ ¥0.8487
合计:¥2,214.00
标准包装数量:2500

IRF7853 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7853
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥0.9529
  • 2000+ ¥0.937
  • 3000+ ¥0.9132
合计:¥952.90
标准包装数量:1000

SPD30P06PG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPD30P06PG
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 是一款高性能单P型场效应晶体管,采用Trench技术制造,具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性,适用于各种功率电路设计.
    是一款高性能单P型场效应晶体管,采用Trench技术制造,具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性,适用于各种功率电路设计.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.9741
  • 5000+ ¥0.9579
  • 7500+ ¥0.9335
合计:¥2,435.25
标准包装数量:2500

IRL3713 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL3713
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: N沟道,30V,260A,3Ω@10V
    N沟道,30V,260A,3Ω@10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.13
  • 2000+ ¥1.1112
  • 3000+ ¥1.0829
合计:¥1,130.00
标准包装数量:1000

IRL2505 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL2505
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: N沟道,55V,104A,80mΩ@10V
    N沟道,55V,104A,80mΩ@10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.7251
  • 2000+ ¥1.6964
  • 3000+ ¥1.6532
合计:¥1,725.10
标准包装数量:1000

IRF9630N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9630N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥2.1254
  • 2000+ ¥2.09
  • 2000+ ¥2.09
合计:¥2,125.40
标准包装数量:1000
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