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BSS138 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS138
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 300mW(Ta) 20V 1.5V@ 250µA 1.7nC@ 10V 1个N沟道 50V 3.5Ω@ 220mA,10V 220mA 50pF@10V SOT-23 贴片安装
    300mW(Ta) 20V 1.5V@ 250µA 1.7nC@ 10V 1个N沟道 50V 3.5Ω@ 220mA,10V 220mA 50pF@10V SOT-23 贴片安装
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.062
  • 6000+ ¥0.061
  • 9000+ ¥0.0594
合计:¥186.00
标准包装数量:3000

SI2307A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2307A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为30V电压系统设计,具有4.2A大电流处理能力.具备出色的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器电源转换等场合,提供高效稳定的功率控制解决方案.
    该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为30V电压系统设计,具有4.2A大电流处理能力.具备出色的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器电源转换等场合,提供高效稳定的功率控制解决方案.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1151
  • 6000+ ¥0.1132
  • 9000+ ¥0.1103
合计:¥345.30
标准包装数量:3000

SI2306A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2306A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为30V电压系统设计,具备高达5.8A的大电流处理能力.具有优越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器电源转换以及各类高功率电子设备中,实现高效可靠的功率管理与切换功能.
    这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为30V电压系统设计,具备高达5.8A的大电流处理能力.具有优越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器电源转换以及各类高功率电子设备中,实现高效可靠的功率管理与切换功能.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1151
  • 6000+ ¥0.1132
  • 9000+ ¥0.1103
合计:¥345.30
标准包装数量:3000

IRLML6246 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6246
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: --
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1328
  • 6000+ ¥0.1306
  • 9000+ ¥0.1273
合计:¥398.40
标准包装数量:3000

FDN359AN 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN359AN
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能.此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用.
    此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能.此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1399
  • 6000+ ¥0.1376
  • 9000+ ¥0.1341
合计:¥419.70
标准包装数量:3000

IP4220CZ6 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IP4220CZ6
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 本产品是一款具有静电和浪涌保护功能的元器件,适用于精密电子设备的瞬态电压保护.其特点为4A的额定电流5V的工作电压0.5pF的典型结电容以及4通道设计.单向类型确保了对特定方向电压波动的有效防护.
    本产品是一款具有静电和浪涌保护功能的元器件,适用于精密电子设备的瞬态电压保护.其特点为4A的额定电流5V的工作电压0.5pF的典型结电容以及4通道设计.单向类型确保了对特定方向电压波动的有效防护.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1417
  • 6000+ ¥0.1393
  • 9000+ ¥0.1358
合计:¥425.10
标准包装数量:3000

IRLML2246 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2246
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道,-20V,-2.6A,150mΩ@-4.5V
    P沟道,-20V,-2.6A,150mΩ@-4.5V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1523
  • 6000+ ¥0.1498
  • 9000+ ¥0.146
合计:¥456.90
标准包装数量:3000

FDN338P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN338P
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,提供2.3A电流处理能力.具备低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于电池保护电源管理等场景,是电子设备高效能功率控制的理想选择.
    P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,提供2.3A电流处理能力.具备低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于电池保护电源管理等场景,是电子设备高效能功率控制的理想选择.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1913
  • 6000+ ¥0.1881
  • 9000+ ¥0.1833
合计:¥573.90
标准包装数量:3000

FDN340P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN340P
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,额定电流3A.具有低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器电源转换及各类电子设备中,实现高效节能的功率控制与管理.
    P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,额定电流3A.具有低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器电源转换及各类电子设备中,实现高效节能的功率控制与管理.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2055
  • 6000+ ¥0.202
  • 9000+ ¥0.1969
合计:¥616.50
标准包装数量:3000

SI2319 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2319
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压40V,支持高达5A连续电流.具有低导通电阻与快速开关性能,适用于充电器电源转换等应用,为电子设备提供高效稳定的功率控制解决方案.
    该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压40V,支持高达5A连续电流.具有低导通电阻与快速开关性能,适用于充电器电源转换等应用,为电子设备提供高效稳定的功率控制解决方案.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2657
  • 6000+ ¥0.2612
  • 9000+ ¥0.2546
合计:¥797.10
标准包装数量:3000

IRF9952 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9952
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 双N型和P型沟道功率MOSFET,具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用.SOP8;N+P-Channel沟道,±30V;8/-8A;RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~±2V;
    双N型和P型沟道功率MOSFET,具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用.SOP8;N+P-Channel沟道,±30V;8/-8A;RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~±2V;
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.3064
  • 6000+ ¥0.3013
  • 9000+ ¥0.2936
合计:¥919.20
标准包装数量:3000

AO4606 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4606
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N+P双沟道,30V/6A(-30V/-6.5A) 为高效电源开关电池保护和负载管理应用设计,具备低导通电阻及卓越的开关性能,是各类中低压电路的理想选择,有效提升系统能效并确保稳定运行.
    N+P双沟道,30V/6A(-30V/-6.5A) 为高效电源开关电池保护和负载管理应用设计,具备低导通电阻及卓越的开关性能,是各类中低压电路的理想选择,有效提升系统能效并确保稳定运行.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.4286
  • 5000+ ¥0.4215
  • 7500+ ¥0.4108
合计:¥1,071.50
标准包装数量:2500

IRF7401 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7401
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道,20V,8.7A
    N沟道,20V,8.7A
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.4428
  • 6000+ ¥0.4354
  • 9000+ ¥0.4243
合计:¥1,328.40
标准包装数量:3000

SI4425DY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4425DY
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
    MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.4428
  • 5000+ ¥0.4354
  • 7500+ ¥0.4243
合计:¥1,107.00
标准包装数量:2500

IRFR024N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR024N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
    N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.4959
  • 5000+ ¥0.4877
  • 7500+ ¥0.4753
合计:¥1,239.75
标准包装数量:2500

FDD5680 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD5680
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此款N沟道场效应管(MOSFET)拥有强大的电流承载能力和较低的导通电阻,其连续漏极电流ID可达50A,最大漏源电压VDSS为60V,导通电阻RDON仅为11mΩ,确保了高效能表现.器件支持的栅源极电压VGS范围至20V,适用于需要快速开关响应和低损耗的应用场景.该MOSFET凭借其优异的性能,是构建高效电源转换器信号放大及各类电子装置中不可或缺的关键元件.
    此款N沟道场效应管(MOSFET)拥有强大的电流承载能力和较低的导通电阻,其连续漏极电流ID可达50A,最大漏源电压VDSS为60V,导通电阻RDON仅为11mΩ,确保了高效能表现.器件支持的栅源极电压VGS范围至20V,适用于需要快速开关响应和低损耗的应用场景.该MOSFET凭借其优异的性能,是构建高效电源转换器信号放大及各类电子装置中不可或缺的关键元件.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5101
  • 5000+ ¥0.5016
  • 7500+ ¥0.4888
合计:¥1,275.25
标准包装数量:2500

AO4407A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4407A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 适用于各类中低电压高效率开关应用.卓越的导通性能与低RDS(ON),使之成为充电器LED驱动DC/DC转换等领域的理想选择.
    适用于各类中低电压高效率开关应用.卓越的导通性能与低RDS(ON),使之成为充电器LED驱动DC/DC转换等领域的理想选择.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.5349
  • 6000+ ¥0.526
  • 9000+ ¥0.5126
合计:¥1,604.70
标准包装数量:3000

IRF9362 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9362
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 是一款双P型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于各种电源和功率控制应用,包括但不限于开关电源电池管理电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计.SOP8;2个P-Channel沟道,-30V;-8A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
    是一款双P型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于各种电源和功率控制应用,包括但不限于开关电源电池管理电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计.SOP8;2个P-Channel沟道,-30V;-8A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥0.7333
  • 2000+ ¥0.721
  • 3000+ ¥0.7027
合计:¥733.30
标准包装数量:1000

SPD30P06PG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPD30P06PG
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 是一款高性能单P型场效应晶体管,采用Trench技术制造,具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性,适用于各种功率电路设计.
    是一款高性能单P型场效应晶体管,采用Trench技术制造,具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性,适用于各种功率电路设计.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.9741
  • 5000+ ¥0.9579
  • 7500+ ¥0.9335
合计:¥2,435.25
标准包装数量:2500

IRFS4310 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFS4310
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-263
  • 描述: 单N型场效应晶体管,适用于各种需要中等电压大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案.TO263;N-Channel沟道,100V;140A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    单N型场效应晶体管,适用于各种需要中等电压大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案.TO263;N-Channel沟道,100V;140A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 800+ ¥2.5469
  • 1600+ ¥2.5045
  • 1600+ ¥2.5045
合计:¥2,037.52
标准包装数量:800
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