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MS65N065DD1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS65N065DD1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: --
  • 库   存:40
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥1.32
  • 5000+ ¥1.298
  • 7500+ ¥1.265
合计:¥3,300.00
标准包装数量:2500

MS10N40HGD0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N40HGD0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: MS10N40HGD0,400V 10A 0.43Ω TO-252 功率N沟道MOSFET,低 Rds、高速、低损耗、改进dv/dt能力,适用UPS、高效开关电源。
    MS10N40HGD0,400V 10A 0.43Ω TO-252 功率N沟道MOSFET,低 Rds、高速、低损耗、改进dv/dt能力,适用UPS、高效开关电源。
  • 库   存:1073
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 2500+ ¥1.62
  • 5000+ ¥1.593
  • 7500+ ¥1.5525
合计:¥4,050.00
标准包装数量:2500

MS9N20FT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS9N20FT
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220C
  • 描述: MS9N20FT,200V 9A 0.34Ω TO-220 直插 功率 N沟道MOSFET。低阻、高速、雪崩测试,适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
    MS9N20FT,200V 9A 0.34Ω TO-220 直插 功率 N沟道MOSFET。低阻、高速、雪崩测试,适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
  • 库   存:2524
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 5000+ ¥1.848
  • 10000+ ¥1.8172
  • 15000+ ¥1.771
合计:¥9,240.00
标准包装数量:5000

MS3P03HDF3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS3P03HDF3
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: MS3P03HDF3:-30V -4A 43mΩ P沟道MOSFET, TO-252。支持-3.3V逻辑电平控制,低压低阻、快速开关、低损耗,适用于电池保护、负载开关、电源管理。
    MS3P03HDF3:-30V -4A 43mΩ P沟道MOSFET, TO-252。支持-3.3V逻辑电平控制,低压低阻、快速开关、低损耗,适用于电池保护、负载开关、电源管理。
  • 库   存:2675
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 3000+ ¥2.58
  • 6000+ ¥2.537
  • 9000+ ¥2.4725
合计:¥7,740.00
标准包装数量:3000

MS11N80HCD0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS11N80HCD0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 超级结N沟道MOSFET 800V 11A 0.52Ω TO-252,低栅电荷,超快开关,适用于PFC、开关电源、UPS、充电器等
    超级结N沟道MOSFET 800V 11A 0.52Ω TO-252,低栅电荷,超快开关,适用于PFC、开关电源、UPS、充电器等
  • 库   存:764
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 2500+ ¥2.7
  • 5000+ ¥2.655
  • 7500+ ¥2.5875
合计:¥6,750.00
标准包装数量:2500

MS10N85ICD0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N85ICD0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: MS10N85ICD0,85V 10A 0.74Ω TO-252 贴片 高压N沟道MOSFET。低 Rds、快开关,100%雪崩测试,适用LED电源、高频开关电源等。
    MS10N85ICD0,85V 10A 0.74Ω TO-252 贴片 高压N沟道MOSFET。低 Rds、快开关,100%雪崩测试,适用LED电源、高频开关电源等。
  • 库   存:412
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 2500+ ¥2.82
  • 5000+ ¥2.773
  • 7500+ ¥2.7025
合计:¥7,050.00
标准包装数量:2500

MS100N06HDD0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS100N06HDD0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: MS100N06HDD0 N沟道MOSFET 60V 100A 3mΩ TO-252。低导通电阻,低栅电荷,低损耗,优化快速开关,适用于发动机管理、DC-DC转换器、电机控制。
    MS100N06HDD0 N沟道MOSFET 60V 100A 3mΩ TO-252。低导通电阻,低栅电荷,低损耗,优化快速开关,适用于发动机管理、DC-DC转换器、电机控制。
  • 库   存:1221
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 2500+ ¥3.42
  • 5000+ ¥3.363
  • 7500+ ¥3.2775
合计:¥8,550.00
标准包装数量:2500

MS10N100HCD0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N100HCD0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: MS10N100HCD0 N 沟道 MOSFET 1000V 10A 0.96Ω TO-252。低 Crss、低栅荷、雪崩测试、高速,改进dv/dt,适用于通用开关应用。
    MS10N100HCD0 N 沟道 MOSFET 1000V 10A 0.96Ω TO-252。低 Crss、低栅荷、雪崩测试、高速,改进dv/dt,适用于通用开关应用。
  • 库   存:2119
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 2500+ ¥3.54
  • 5000+ ¥3.481
  • 7500+ ¥3.3925
合计:¥8,850.00
标准包装数量:2500

MSPN0308S0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MSPN0308S0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: --
  • 库   存:2369
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥4.788
  • 5000+ ¥4.7082
  • 7500+ ¥4.5885
合计:¥11,970.00
标准包装数量:2500

MS5N170HGB2 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS5N170HGB2
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:254
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥8.614
  • 1350+ ¥8.395
合计:¥3,876.30
标准包装数量:450

MS130N20JDT0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS130N20JDT0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220C
  • 描述: --
  • 库   存:50
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥10.6082
  • 3000+ ¥10.3385
合计:¥10,608.20
标准包装数量:1000

MS100N20IDT0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS100N20IDT0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220C
  • 描述: --
  • 库   存:21
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥12.39
  • 3000+ ¥12.075
合计:¥12,390.00
标准包装数量:1000

MS100N20IDC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS100N20IDC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 130nC 23mΩ@ 10V,50A 100A TO-247
    130nC 23mΩ@ 10V,50A 100A TO-247
  • 库   存:185
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥12.508
  • 1350+ ¥12.19
合计:¥5,628.60
标准包装数量:450

MS37N90ICC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS37N90ICC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: --
  • 库   存:30
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥19.47
  • 1350+ ¥18.975
合计:¥8,761.50
标准包装数量:450

MS50N85IDC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS50N85IDC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: --
  • 库   存:109
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥29.5
  • 1350+ ¥28.75
合计:¥13,275.00
标准包装数量:450

MS10NH100HGE0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10NH100HGE0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: MS10NH100HGE0 耗尽型N 沟道 MOSFET 1000V 10A 1.1Ω TO-263。高压雪崩、低损耗,常开模式,适用于负载、音频放大、启动电路、保护电路。
    MS10NH100HGE0 耗尽型N 沟道 MOSFET 1000V 10A 1.1Ω TO-263。高压雪崩、低损耗,常开模式,适用于负载、音频放大、启动电路、保护电路。
  • 库   存:537
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 800+ ¥32.7
  • 1600+ ¥32.155
  • 2400+ ¥31.3375
合计:¥26,160.00
标准包装数量:800

MS3NH170HGE0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS3NH170HGE0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: MS3NH170HGE0 耗尽型N沟道 MOSFET 1700V 3A TO-263 6Ω。超高压、低损耗、雪崩测试、高速,适用于负载、音频放大、启动电路、电流调节器。
    MS3NH170HGE0 耗尽型N沟道 MOSFET 1700V 3A TO-263 6Ω。超高压、低损耗、雪崩测试、高速,适用于负载、音频放大、启动电路、电流调节器。
  • 库   存:176
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 800+ ¥42.66
  • 1600+ ¥41.949
  • 2400+ ¥40.8825
合计:¥34,128.00
标准包装数量:800

MS05N250HGE0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS05N250HGE0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: --
  • 库   存:428
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 800+ ¥96
  • 1600+ ¥94.4
  • 2400+ ¥92
合计:¥76,800.00
标准包装数量:800

MS5N200HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS5N200HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: --
  • 库   存:158
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥177
  • 1350+ ¥172.5
合计:¥79,650.00
标准包装数量:450

MS2N350HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS2N350HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: --
  • 库   存:103
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥206.5
  • 450+ ¥206.5
合计:¥92,925.00
标准包装数量:450
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