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MS6N120FT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS6N120FT
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 85nC 5.5Ω@10V,4A 6A TO-220
    85nC 5.5Ω@10V,4A 6A TO-220
  • 库   存:84
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.39
  • 50+ ¥3.15
合计:¥3.39
标准包装数量:50

MS10N100HGT1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N100HGT1
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.616
  • 50+ ¥3.36
合计:¥3.62
标准包装数量:50

MS33N20HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS33N20HGC0
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 117nC 68mΩ@ 10V,16A 33A TO-247
    117nC 68mΩ@ 10V,16A 33A TO-247
  • 库   存:120
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.9889
  • 30+ ¥3.7065
合计:¥3.99
标准包装数量:30

MS12N150HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS12N150HGC0
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 12A TO-247
    12A TO-247
  • 库   存:60
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥19.6281
  • 30+ ¥18.2385
合计:¥19.63
标准包装数量:30

MS3N06FF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS3N06FF
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 6nC 78mΩ@ 10V,3A 3A SOP-8
    6nC 78mΩ@ 10V,3A 3A SOP-8
  • 库   存:28010
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.54
  • 6000+ ¥0.531
  • 9000+ ¥0.5175
合计:¥1,620.00
标准包装数量:3000

MS10N40HGT0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N40HGT0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 19.7nC 430mΩ@ 10V,5A 10A TO-220
    19.7nC 430mΩ@ 10V,5A 10A TO-220
  • 库   存:3918
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥2.36
  • 3000+ ¥2.3
合计:¥2,360.00
标准包装数量:1000

MS6N120FD 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS6N120FD
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: MS6N120FD,1200V 6A 5Ω 高压 MOSFET,TO-252 贴片。高压雪崩、低损耗、贴装省空间,适用于焊机、UPS、光伏逆变器。
    MS6N120FD,1200V 6A 5Ω 高压 MOSFET,TO-252 贴片。高压雪崩、低损耗、贴装省空间,适用于焊机、UPS、光伏逆变器。
  • 库   存:15422
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 2500+ ¥2.82
  • 5000+ ¥2.773
  • 7500+ ¥2.7025
合计:¥7,050.00
标准包装数量:2500

MS120N10FT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS120N10FT
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 54nC 6mΩ@ 10V,20A 120A TO-220
    54nC 6mΩ@ 10V,20A 120A TO-220
  • 库   存:1245
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥2.95
  • 3000+ ¥2.875
合计:¥2,950.00
标准包装数量:1000

MS140N15IDT0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS140N15IDT0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220C
  • 描述: MS140N15IDT0 低压大电流 N沟道MOSFET 150V 140A 5.9mΩ TO-220。高密度单元设计,低导通电阻,低栅电荷,改进dv/dt,适用于电信/工业隔离DC/DC转换器、同步整流
    MS140N15IDT0 低压大电流 N沟道MOSFET 150V 140A 5.9mΩ TO-220。高密度单元设计,低导通电阻,低栅电荷,改进dv/dt,适用于电信/工业隔离DC/DC转换器、同步整流
  • 库   存:6798
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥4.74
  • 100+ ¥4.661
  • 150+ ¥4.5425
合计:¥237.00
标准包装数量:5000

MS420N10JDC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS420N10JDC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS420N10JDC0 N沟道MOSFET 100V 420A 1.62mΩ TO-247 低压大电流。世界级低阻、高浪涌、雪崩测试,适用于DC-DC、电池充电器、开关电源。储能、车载、大功率 BMS、工业驱动。
    MS420N10JDC0 N沟道MOSFET 100V 420A 1.62mΩ TO-247 低压大电流。世界级低阻、高浪涌、雪崩测试,适用于DC-DC、电池充电器、开关电源。储能、车载、大功率 BMS、工业驱动。
  • 库   存:18026
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥5.988
  • 60+ ¥5.8882
  • 90+ ¥5.7385
合计:¥179.64
标准包装数量:2250

MS10N120HGE0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N120HGE0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: MS10N120HGE0,1200V 10A 1.8Ω TO-263 高压N沟道MOSFET。高耐压、雪崩、高速、低损耗,适用高压开关电源、光伏、焊机、UPS、脉冲电源、DC转换器等。
    MS10N120HGE0,1200V 10A 1.8Ω TO-263 高压N沟道MOSFET。高耐压、雪崩、高速、低损耗,适用高压开关电源、光伏、焊机、UPS、脉冲电源、DC转换器等。
  • 库   存:6160
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 800+ ¥7.86
  • 1600+ ¥7.729
  • 2400+ ¥7.5325
合计:¥6,288.00
标准包装数量:800

MS6N150HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS6N150HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: --
  • 库   存:822
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥9.44
  • 1350+ ¥9.2
合计:¥4,248.00
标准包装数量:450

MS200N10HIB0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS200N10HIB0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-3PB
  • 描述: MS200N10HIB0 低压N沟道MOSFET 100V 200A 6.8mΩ TO-3PB。超低导通电阻、RDS(on)max=8.5mΩ@VGS=10V,大电流、雪崩测试、低栅荷,适 SMPS、UPS、高频、同步整流。
    MS200N10HIB0 低压N沟道MOSFET 100V 200A 6.8mΩ TO-3PB。超低导通电阻、RDS(on)max=8.5mΩ@VGS=10V,大电流、雪崩测试、低栅荷,适 SMPS、UPS、高频、同步整流。
  • 库   存:273
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥9.66
  • 60+ ¥9.499
  • 90+ ¥9.2575
合计:¥289.80
标准包装数量:2250

MS10N150HGT1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N150HGT1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: MS10N150HGT1,1500V 10A 3Ω 超高压 MOSFET,TO-220F塑封。低栅电荷,100%雪崩测试,快开关,适用高效开关电源、半桥电子镇流器、LED电源。
    MS10N150HGT1,1500V 10A 3Ω 超高压 MOSFET,TO-220F塑封。低栅电荷,100%雪崩测试,快开关,适用高效开关电源、半桥电子镇流器、LED电源。
  • 库   存:698
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥12.18
  • 100+ ¥11.977
  • 150+ ¥11.6725
合计:¥609.00
标准包装数量:5000

MS25N100HCT1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS25N100HCT1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: MS25N100HCT1,N沟道MOSFET 1000V 25A 0.26Ω TO-220F塑封。低Crss(典型3pF)、低栅电荷(Qg典型56nC),改进dv/dt,适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
    MS25N100HCT1,N沟道MOSFET 1000V 25A 0.26Ω TO-220F塑封。低Crss(典型3pF)、低栅电荷(Qg典型56nC),改进dv/dt,适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
  • 库   存:4252
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥15
  • 100+ ¥14.75
  • 150+ ¥14.375
合计:¥750.00
标准包装数量:5000

MS9N170HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS9N170HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: --
  • 库   存:2820
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥16.52
  • 1350+ ¥16.1
合计:¥7,434.00
标准包装数量:450

MS120N25HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS120N25HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 130nC 15mΩ@ 10V,60A 120A TO-247
    130nC 15mΩ@ 10V,60A 120A TO-247
  • 库   存:2463
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥20.768
  • 1350+ ¥20.24
合计:¥9,345.60
标准包装数量:450

MS16P60HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS16P60HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS16P60HGC0,P沟道MOSFET,-600V -16A 680mΩ TO-247。雪崩、高速、稳定,适用于开关电源、硬开关高频电路、UPS。
    MS16P60HGC0,P沟道MOSFET,-600V -16A 680mΩ TO-247。雪崩、高速、稳定,适用于开关电源、硬开关高频电路、UPS。
  • 库   存:269
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥70.68
  • 60+ ¥69.502
  • 90+ ¥67.735
合计:¥2,120.40
标准包装数量:2250

MS300N20JMB3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS300N20JMB3
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-264
  • 描述: MS300N20JMB3 N沟道MOSFET 200V/300A 4.9mΩ TO-264 低压大电流。超低导通电阻、大电流能力、200%雪崩测试,低封装电感,适用于DC-DC、电池充电器、开关电源、UPS。
    MS300N20JMB3 N沟道MOSFET 200V/300A 4.9mΩ TO-264 低压大电流。超低导通电阻、大电流能力、200%雪崩测试,低封装电感,适用于DC-DC、电池充电器、开关电源、UPS。
  • 库   存:349
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 25+ ¥71.988
  • 50+ ¥70.7882
  • 75+ ¥68.9885
合计:¥1,799.70
标准包装数量:1500

MS1N450HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS1N450HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS1N450HGC0,4500V 1A 19Ω 超高压 MOSFET,TO-247。雪崩、高速、高浪涌,适用医疗、工业、激光、焊机。
    MS1N450HGC0,4500V 1A 19Ω 超高压 MOSFET,TO-247。雪崩、高速、高浪涌,适用医疗、工业、激光、焊机。
  • 库   存:38
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥240
  • 60+ ¥236
  • 60+ ¥236
合计:¥7,200.00
标准包装数量:2250
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