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MS13N20HGD0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS13N20HGD0
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: --
  • 库   存:2574
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.3108
  • 2500+ ¥1.218
合计:¥1.31
标准包装数量:2500

MS3N100HGD0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS3N100HGD0
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 12nC 5.2Ω@10V,1A 3A TO-252
    12nC 5.2Ω@10V,1A 3A TO-252
  • 库   存:2470
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.5255
  • 2500+ ¥1.4175
合计:¥1.53
标准包装数量:2500

MS12N100FT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS12N100FT
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 43nC 1Ω@10V,6A 12A TO-220
    43nC 1Ω@10V,6A 12A TO-220
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.8985
  • 50+ ¥3.6225
合计:¥3.90
标准包装数量:50

MS8N120FT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS8N120FT
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 89.3nC 2.3Ω@10V,4A 8A TO-220
    89.3nC 2.3Ω@10V,4A 8A TO-220
  • 库   存:40
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.746
  • 50+ ¥4.41
合计:¥4.75
标准包装数量:50

MS20N50FC 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS20N50FC
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS20N50FC,N沟道MOSFET 500V 20A 0.2Ω TO-247。雪崩、快开关,适用于电子镇流器、电子变压器、开关电源。
    MS20N50FC,N沟道MOSFET 500V 20A 0.2Ω TO-247。雪崩、快开关,适用于电子镇流器、电子变压器、开关电源。
  • 库   存:120
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.5935
  • 30+ ¥5.1975
合计:¥5.59
标准包装数量:30

MS100N20HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS100N20HGC0
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 234nC 38mΩ@ 10V,50A 100A TO-247
    234nC 38mΩ@ 10V,50A 100A TO-247
  • 库   存:120
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.1305
  • 30+ ¥10.3425
合计:¥11.13
标准包装数量:30

MS60N350DD1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS60N350DD1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: --
  • 库   存:50402
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.9
  • 5000+ ¥0.885
  • 7500+ ¥0.8625
合计:¥2,250.00
标准包装数量:2500

MSPN4506S0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MSPN4506S0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: MSPN4506S0 互补型N+P沟道MOSFET,N管60V/5A,P管-60V/-6A,极低导通电阻,单脉冲雪崩能量超26mJ,理想用于便携设备负载开关及DC-DC转换。
    MSPN4506S0 互补型N+P沟道MOSFET,N管60V/5A,P管-60V/-6A,极低导通电阻,单脉冲雪崩能量超26mJ,理想用于便携设备负载开关及DC-DC转换。
  • 库   存:7900
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 2500+ ¥1.08
  • 5000+ ¥1.062
  • 7500+ ¥1.035
合计:¥2,700.00
标准包装数量:2500

MS9N80HGT1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS9N80HGT1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: MS9N80HGT1,800V 9A 1.3Ω,TO-220F。低栅荷、低导通电阻、雪崩测试、低损耗,适 PFC、UPS、开关电源等。
    MS9N80HGT1,800V 9A 1.3Ω,TO-220F。低栅荷、低导通电阻、雪崩测试、低损耗,适 PFC、UPS、开关电源等。
  • 库   存:399
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥3.72
  • 100+ ¥3.658
  • 150+ ¥3.565
合计:¥186.00
标准包装数量:1000

MS120N15FT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS120N15FT
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220C
  • 描述: MS120N15FT 低压大电流 N沟道MOSFET 150V 120A 5.8mΩ TO-220C。高密度单元设计,低栅电荷,适用于开关应用、隔离DC/DC转换器、同步整流等。
    MS120N15FT 低压大电流 N沟道MOSFET 150V 120A 5.8mΩ TO-220C。高密度单元设计,低栅电荷,适用于开关应用、隔离DC/DC转换器、同步整流等。
  • 库   存:3859
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥5.04
  • 100+ ¥4.956
  • 150+ ¥4.83
合计:¥252.00
标准包装数量:5000

MS30N50HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS30N50HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS30N50HGC0,N沟道MOSFET 500V 30A 160mΩ TO-247。低Crss(典型34pF)、低栅电荷(Qg典型81nC),改进dv/dt,快速开关,适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
    MS30N50HGC0,N沟道MOSFET 500V 30A 160mΩ TO-247。低Crss(典型34pF)、低栅电荷(Qg典型81nC),改进dv/dt,快速开关,适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
  • 库   存:126
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥5.58
  • 60+ ¥5.487
  • 90+ ¥5.3475
合计:¥167.40
标准包装数量:2250

MS20N50FT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS20N50FT
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220C
  • 描述: MS20N50FT,N沟道MOSFET 500V 20A 0.2Ω TO-220。雪崩、快开关,适用于电子镇流器、电子变压器、开关电源。
    MS20N50FT,N沟道MOSFET 500V 20A 0.2Ω TO-220。雪崩、快开关,适用于电子镇流器、电子变压器、开关电源。
  • 库   存:5368
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥5.7
  • 100+ ¥5.605
  • 150+ ¥5.4625
合计:¥285.00
标准包装数量:5000

MS130N20JDC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS130N20JDC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS130N20JDC0 N沟道MOSFET 低压大电流 200V 130A 8.3mΩ TO-247,低栅电荷、低Crss,快速开关,100%雪崩测试,适用于高效开关电源、电子镇流器、不间断电源(UPS)
    MS130N20JDC0 N沟道MOSFET 低压大电流 200V 130A 8.3mΩ TO-247,低栅电荷、低Crss,快速开关,100%雪崩测试,适用于高效开关电源、电子镇流器、不间断电源(UPS)
  • 库   存:11432
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥9.858
  • 60+ ¥9.6937
  • 90+ ¥9.4472
合计:¥295.74
标准包装数量:2250

MS24N80HCC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS24N80HCC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS24N80HCC0, 超级结N沟道MOSFET 800V 24A 0.205Ω TO-247。超快开关,100%雪崩测试,适用于PFC、开关电源、UPS、低功率充电器/适配器。
    MS24N80HCC0, 超级结N沟道MOSFET 800V 24A 0.205Ω TO-247。超快开关,100%雪崩测试,适用于PFC、开关电源、UPS、低功率充电器/适配器。
  • 库   存:2520
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥12.9
  • 60+ ¥12.685
  • 90+ ¥12.3625
合计:¥387.00
标准包装数量:2250

MS12N120HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS12N120HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 85nC 1.1Ω@10V,1A 12A TO-247
    85nC 1.1Ω@10V,1A 12A TO-247
  • 库   存:1852
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥18.29
  • 1350+ ¥17.825
合计:¥8,230.50
标准包装数量:450

MS12N120HJC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS12N120HJC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 85nC 2Ω@10V,1A 12A TO-247
    85nC 2Ω@10V,1A 12A TO-247
  • 库   存:8399
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥18.88
  • 1350+ ¥18.4
合计:¥8,496.00
标准包装数量:450

MS30N100HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS30N100HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 185nC 280mΩ@ 10V,15A 30A TO-247
    185nC 280mΩ@ 10V,15A 30A TO-247
  • 库   存:6814
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥24.78
  • 1350+ ¥24.15
合计:¥11,151.00
标准包装数量:450

MS150N30HGF4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS150N30HGF4
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOT-227
  • 描述: MS150N30HGF4 N沟道 低压大电流MOSFET 300V 150A 33mΩ SOT-227。低阻、低栅荷、雪崩测试、高速,适用于电信/工业隔离DC/DC转换器、同步整流。
    MS150N30HGF4 N沟道 低压大电流MOSFET 300V 150A 33mΩ SOT-227。低阻、低栅荷、雪崩测试、高速,适用于电信/工业隔离DC/DC转换器、同步整流。
  • 库   存:27
  • 起订量:12
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 12+ ¥96.6
  • 24+ ¥94.99
  • 36+ ¥92.575
合计:¥1,159.20
标准包装数量:120

MS340N07HGF4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS340N07HGF4
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOT-227
  • 描述: --
  • 库   存:615
  • 起订量:12
  • 增   量:12
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 12+ ¥133.2
  • 24+ ¥130.98
  • 36+ ¥127.65
合计:¥1,598.40
标准包装数量:12

MS1N400HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS1N400HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS1N400HGC0,4000V 1A 19Ω 超高压 MOSFET,TO-247。雪崩、高速、高温,适用高压、脉冲、激光/X射线系统、工业。
    MS1N400HGC0,4000V 1A 19Ω 超高压 MOSFET,TO-247。雪崩、高速、高温,适用高压、脉冲、激光/X射线系统、工业。
  • 库   存:234
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥226.8
  • 60+ ¥223.02
  • 60+ ¥223.02
合计:¥6,804.00
标准包装数量:2250
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