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MS4N1350 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS4N1350
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-3PH
  • 描述: 140W 30V 3.5V 44nC 1个N沟道 1.5KV 5.8Ω@10V,1.3A 4A 1.408nF@ 25V TO-3PH
    140W 30V 3.5V 44nC 1个N沟道 1.5KV 5.8Ω@10V,1.3A 4A 1.408nF@ 25V TO-3PH
  • 库   存:22
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.0179
  • 10+ ¥6.4598
  • 50+ ¥5.8513
  • 100+ ¥5.433
  • 500+ ¥5.1399
  • 1000+ ¥4.9635
合计:¥7.02
标准包装数量:30

MS12N100FC 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS12N100FC
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 43nC 1.18Ω@10V,6A 12A TO-247
    43nC 1.18Ω@10V,6A 12A TO-247
  • 库   存:280
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.8887
  • 10+ ¥8.1429
  • 50+ ¥7.4947
  • 100+ ¥7.0551
  • 500+ ¥6.6168
  • 1000+ ¥6.4666
合计:¥8.89
标准包装数量:30

MS10N100HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N100HGC0
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 43nC 1.35Ω@10V,4.5A 10A TO-247
    43nC 1.35Ω@10V,4.5A 10A TO-247
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.5765
  • 30+ ¥4.2525
合计:¥4.58
标准包装数量:30

MS4N1350W 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS4N1350W
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 44nC 5.8Ω@10V,1.3A 4A TO-247
    44nC 5.8Ω@10V,1.3A 4A TO-247
  • 库   存:93
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.8195
  • 30+ ¥5.4075
合计:¥5.82
标准包装数量:30

MS60N60HGB3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS60N60HGB3
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-264
  • 描述: --
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥15.9217
  • 25+ ¥14.7945
合计:¥15.92
标准包装数量:25

MS200N20IDC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS200N20IDC0
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥18.645
  • 30+ ¥17.325
合计:¥18.65
标准包装数量:30

MS10N40HGT1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N40HGT1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: MS10N40HGT1,400V 10A 0.43Ω 功率 N沟道 MOSFET TO-220F 塑封。雪崩、高速、低损耗,适用UPS、高效开关电源
    MS10N40HGT1,400V 10A 0.43Ω 功率 N沟道 MOSFET TO-220F 塑封。雪崩、高速、低损耗,适用UPS、高效开关电源
  • 库   存:14112
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 5000+ ¥1.68
  • 10000+ ¥1.652
  • 15000+ ¥1.61
合计:¥8,400.00
标准包装数量:5000

MS3N100HGD1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS3N100HGD1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 12nC 5.2Ω@10V,1A 3A TO-251
    12nC 5.2Ω@10V,1A 3A TO-251
  • 库   存:4693
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 800+ ¥1.77
  • 2400+ ¥1.725
合计:¥1,416.00
标准包装数量:800

MS150N06JDE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS150N06JDE3
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: MS150N06JDE3,低压大电流,N沟道MOSFET,VDs=60V,ID=150A,RDS(on)典型3.8mΩ@VGs=10V,快速开关,低栅电荷,100%雪崩测试,适用于硬开关高频电路、不间断电源(UPS)。
    MS150N06JDE3,低压大电流,N沟道MOSFET,VDs=60V,ID=150A,RDS(on)典型3.8mΩ@VGs=10V,快速开关,低栅电荷,100%雪崩测试,适用于硬开关高频电路、不间断电源(UPS)。
  • 库   存:19936
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 800+ ¥2.82
  • 1600+ ¥2.773
  • 2400+ ¥2.7025
合计:¥2,256.00
标准包装数量:800

MS6N120FS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS6N120FS
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 85nC 5.5Ω@10V,4A 6A TO-220F
    85nC 5.5Ω@10V,4A 6A TO-220F
  • 库   存:4988
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥5.1566
  • 3000+ ¥5.0255
合计:¥5,156.60
标准包装数量:1000

MS4N1350HGT0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS4N1350HGT0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220C
  • 描述: MS4N1350HGT0,1350V 4A 5.5Ω 超高压 MOSFET,TO-220 直插。高压雪崩、散热好、稳定,适高压逆变、工业电源。
    MS4N1350HGT0,1350V 4A 5.5Ω 超高压 MOSFET,TO-220 直插。高压雪崩、散热好、稳定,适高压逆变、工业电源。
  • 库   存:599
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥5.22
  • 100+ ¥5.133
  • 150+ ¥5.0025
合计:¥261.00
标准包装数量:5000

MS8N120FE 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS8N120FE
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 89.3nC 2.3Ω@10V,4A 8A TO-263
    89.3nC 2.3Ω@10V,4A 8A TO-263
  • 库   存:11910
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 800+ ¥6
  • 1600+ ¥5.9
  • 2400+ ¥5.75
合计:¥4,800.00
标准包装数量:800

MS4N1350B 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS4N1350B
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:T-0-3PB
  • 描述: 44nC 5.8Ω@10V,1.3A 4A T-0-3PB
    44nC 5.8Ω@10V,1.3A 4A T-0-3PB
  • 库   存:3004
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥6.136
  • 1350+ ¥5.98
合计:¥2,761.20
标准包装数量:450

MS15N100HCT1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS15N100HCT1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: MS15N100HCT1,高压 N沟道MOSFET 1000V15A 0.52Ω TO-220F 塑封。适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
    MS15N100HCT1,高压 N沟道MOSFET 1000V15A 0.52Ω TO-220F 塑封。适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
  • 库   存:2631
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥7.2
  • 100+ ¥7.08
  • 150+ ¥6.9
合计:¥360.00
标准包装数量:5000

MS10N120HGT0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N120HGT0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220C
  • 描述: MS10N120HGT0,1200V 10A 1.8Ω TO-220 高压N沟道MOSFET。高耐压、雪崩、高速、低损耗,适用高压开关电源、光伏、焊机、UPS、脉冲电源、DC转换器等。
    MS10N120HGT0,1200V 10A 1.8Ω TO-220 高压N沟道MOSFET。高耐压、雪崩、高速、低损耗,适用高压开关电源、光伏、焊机、UPS、脉冲电源、DC转换器等。
  • 库   存:782
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥8.22
  • 100+ ¥8.083
  • 150+ ¥7.8775
合计:¥411.00
标准包装数量:5000

MS15N100HCC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS15N100HCC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS15N100HCC0 N沟道 高压 MOSFET 1000V 15A 0.52Ω TO-247。超快开关,100%雪崩测试,稳定,适用PFC、开关电源、UPS、充电器。
    MS15N100HCC0 N沟道 高压 MOSFET 1000V 15A 0.52Ω TO-247。超快开关,100%雪崩测试,稳定,适用PFC、开关电源、UPS、充电器。
  • 库   存:2805
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥8.268
  • 60+ ¥8.1302
  • 90+ ¥7.9235
合计:¥248.04
标准包装数量:2250

MS330N15JDC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS330N15JDC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS330N15JDC0 N沟道MOSFET 150V/330A 3.8mΩ TO-247 低压超大电流。100%雪崩测试,低封装电感,适用于DC-DC、电池充电器、开关电源、UPS、储能 BMS、大功率电源、车载逆变、工业驱动
    MS330N15JDC0 N沟道MOSFET 150V/330A 3.8mΩ TO-247 低压超大电流。100%雪崩测试,低封装电感,适用于DC-DC、电池充电器、开关电源、UPS、储能 BMS、大功率电源、车载逆变、工业驱动
  • 库   存:118
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥8.388
  • 60+ ¥8.2482
  • 90+ ¥8.0385
合计:¥251.64
标准包装数量:2250

MS140N30HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS140N30HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: --
  • 库   存:1255
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥23.6
  • 1350+ ¥23
合计:¥10,620.00
标准包装数量:450

MS60N50HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS60N50HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS60N50HGC0 N沟道MOSFET 500V 60A 108mΩ TO-247。低 Rds、低电感、雪崩测试,适用于开关电源、DC-DC、电机驱动、机器人。
    MS60N50HGC0 N沟道MOSFET 500V 60A 108mΩ TO-247。低 Rds、低电感、雪崩测试,适用于开关电源、DC-DC、电机驱动、机器人。
  • 库   存:101
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥42.696
  • 60+ ¥41.9844
  • 90+ ¥40.917
合计:¥1,280.88
标准包装数量:2250

MS3NH170HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS3NH170HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS3NH170HGC0,1700V 3A 6Ω 超高压 MOSFET, TO-247。高压雪崩、低损耗、高速,适用于音频放大、高压电源、脉冲、激光、工业设备。
    MS3NH170HGC0,1700V 3A 6Ω 超高压 MOSFET, TO-247。高压雪崩、低损耗、高速,适用于音频放大、高压电源、脉冲、激光、工业设备。
  • 库   存:224
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥46.548
  • 60+ ¥45.7722
  • 60+ ¥45.7722
合计:¥1,396.44
标准包装数量:2250
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