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MSN4688 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MSN4688
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 19nC;22nC 80mΩ@-10V,3.5A;100mΩ@10V,5A 5A;3.5A SOP-8
    19nC;22nC 80mΩ@-10V,3.5A;100mΩ@10V,5A 5A;3.5A SOP-8
  • 库   存:2500
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5085
  • 2500+ ¥0.4725
合计:¥0.51
标准包装数量:2500

MS5N100FE 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS5N100FE
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 42nC 3.5Ω@10V,1.75A 5A TO-263
    42nC 3.5Ω@10V,1.75A 5A TO-263
  • 库   存:53
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.7027
  • 10+ ¥3.0617
  • 30+ ¥2.7115
  • 100+ ¥2.1503
  • 300+ ¥2.1094
  • 800+ ¥2.048
合计:¥3.70
标准包装数量:800

MS50N20FC 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS50N20FC
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 234nC 40mΩ@ 10V,28A 50A TO-247
    234nC 40mΩ@ 10V,28A 50A TO-247
  • 库   存:80
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.5935
  • 30+ ¥5.1975
合计:¥5.59
标准包装数量:30

MS8N120FC 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS8N120FC
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 89.3nC 2.3Ω@10V,4A 12A TO-247
    89.3nC 2.3Ω@10V,4A 12A TO-247
  • 库   存:17
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.8365
  • 30+ ¥6.3525
合计:¥6.84
标准包装数量:30

MS9N150H1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS9N150H1
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 85nC 2.2Ω@10V,4A 9A TO-247
    85nC 2.2Ω@10V,4A 9A TO-247
  • 库   存:15
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥15.142
  • 30+ ¥14.07
合计:¥15.14
标准包装数量:30

MS65N070DD1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS65N070DD1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: Maspower MS65N070DD1 N沟道MOSFET 65V/65A 7mΩ TO-252 超低阻。7mΩ 超低阻、快速开关、雪崩测试,改进dv/dt,适用于PFC、开关电源、UPS。
    Maspower MS65N070DD1 N沟道MOSFET 65V/65A 7mΩ TO-252 超低阻。7mΩ 超低阻、快速开关、雪崩测试,改进dv/dt,适用于PFC、开关电源、UPS。
  • 库   存:24367
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 2500+ ¥1.188
  • 5000+ ¥1.1682
  • 7500+ ¥1.1385
合计:¥2,970.00
标准包装数量:2500

MS11N80HCT1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS11N80HCT1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: MS11N80HCT1 超级结N沟道 MOSFET 800V 11A 0.58Ω TO-220F。低栅荷、超快开关、雪崩测试、低损耗,适 PFC、SMPS、UPS、适配器。
    MS11N80HCT1 超级结N沟道 MOSFET 800V 11A 0.58Ω TO-220F。低栅荷、超快开关、雪崩测试、低损耗,适 PFC、SMPS、UPS、适配器。
  • 库   存:60
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥3.06
  • 100+ ¥3.009
  • 150+ ¥2.9325
合计:¥153.00
标准包装数量:1000

MS8N100FT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS8N100FT
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 14nC 1.8Ω@10V,4A 8A TO-220
    14nC 1.8Ω@10V,4A 8A TO-220
  • 库   存:4376
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥4.13
  • 3000+ ¥4.025
合计:¥4,130.00
标准包装数量:1000

MS100P06JDE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS100P06JDE3
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: MS100P06JDE3 P沟道MOSFET -60V -100A 7.5mΩ TO-263。快速开关,低栅电荷,100%雪崩测试,适用于硬开关高频电路、不间断电源(UPS)。
    MS100P06JDE3 P沟道MOSFET -60V -100A 7.5mΩ TO-263。快速开关,低栅电荷,100%雪崩测试,适用于硬开关高频电路、不间断电源(UPS)。
  • 库   存:21136
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 800+ ¥4.86
  • 1600+ ¥4.779
  • 2400+ ¥4.6575
合计:¥3,888.00
标准包装数量:800

MS4N1350HGE0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS4N1350HGE0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: MS4N1350HGE0,1350V 4A 5.5Ω 超高压 MOSFET,TO-263 贴片。高压雪崩、低损耗、贴装省空间,适高压模块、小体积电源。
    MS4N1350HGE0,1350V 4A 5.5Ω 超高压 MOSFET,TO-263 贴片。高压雪崩、低损耗、贴装省空间,适高压模块、小体积电源。
  • 库   存:26380
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 800+ ¥6.3
  • 1600+ ¥6.195
  • 2400+ ¥6.0375
合计:¥5,040.00
标准包装数量:800

MS20N85ICT0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS20N85ICT0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220C
  • 描述: MS20N85ICT0,N沟道MOSFET 850V 20A 0.58Ω TO-220。100%雪崩测试,适用于开关电源、UPS、PFC、低功率充电器/适配器。
    MS20N85ICT0,N沟道MOSFET 850V 20A 0.58Ω TO-220。100%雪崩测试,适用于开关电源、UPS、PFC、低功率充电器/适配器。
  • 库   存:1447
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥7.38
  • 100+ ¥7.257
  • 150+ ¥7.0725
合计:¥369.00
标准包装数量:5000

MS38N65FCC 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS38N65FCC
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 45nC 89mΩ@ 10V,19A 38A TO-247
    45nC 89mΩ@ 10V,19A 38A TO-247
  • 库   存:1336
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥12.862
  • 1350+ ¥12.535
合计:¥5,787.90
标准包装数量:450

MS9N150HJC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS9N150HJC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS9N150HJC0 1500V 9A 2.2Ω TO-247超高压 N沟道MOSFET。雪崩、高温、低损耗,100%雪崩测试,适用于焊机、UPS、光伏逆变器。
    MS9N150HJC0 1500V 9A 2.2Ω TO-247超高压 N沟道MOSFET。雪崩、高温、低损耗,100%雪崩测试,适用于焊机、UPS、光伏逆变器。
  • 库   存:1016
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥18.66
  • 60+ ¥18.349
  • 90+ ¥17.8825
合计:¥559.80
标准包装数量:2250

MS39N100ICC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS39N100ICC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: MS39N100ICC0 N沟道高压 MOSFET 1000V 39A 0.1Ω TO-247。低导通电阻、高速开关,100%雪崩测试,快本征整流器,适用于高功率密度场景。
    MS39N100ICC0 N沟道高压 MOSFET 1000V 39A 0.1Ω TO-247。低导通电阻、高速开关,100%雪崩测试,快本征整流器,适用于高功率密度场景。
  • 库   存:509
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥21.804
  • 60+ ¥21.4406
  • 90+ ¥20.8955
合计:¥654.12
标准包装数量:2250

MS500N15JMB3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS500N15JMB3
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-264
  • 描述: MS500N15JMB3 N沟道MOSFET 150V/500A 2.4mΩ TO-264 超大电流低压。极低内阻、雪崩测试、超大功率,适用于DC-DC、开关电源、UPS、储能、车载、工业 BMS。
    MS500N15JMB3 N沟道MOSFET 150V/500A 2.4mΩ TO-264 超大电流低压。极低内阻、雪崩测试、超大功率,适用于DC-DC、开关电源、UPS、储能、车载、工业 BMS。
  • 库   存:382
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 25+ ¥64.2
  • 50+ ¥63.13
  • 75+ ¥61.525
合计:¥1,605.00
标准包装数量:1500

MS160N25HGF4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS160N25HGF4
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOT-227
  • 描述: MS160N25HGF4 N沟道低压大电流MOSFET 250V 160A 32mΩ SOT-227。栅电荷,改进dv/dt,适用于电信/工业隔离DC/DC转换器、同步整流
    MS160N25HGF4 N沟道低压大电流MOSFET 250V 160A 32mΩ SOT-227。栅电荷,改进dv/dt,适用于电信/工业隔离DC/DC转换器、同步整流
  • 库   存:118
  • 起订量:12
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 12+ ¥100.284
  • 24+ ¥98.6126
  • 36+ ¥96.1055
合计:¥1,203.41
标准包装数量:120

MS170P10HGF4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS170P10HGF4
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOT-227
  • 描述: MS170P10HGF4,P沟道MOSFET -100V/-170A ≤14mΩ低导通 SOT-227。低阻大电流、雪崩测试、高速开关,适用于DC斩波、推挽放大器、电池充电器、自动化测试设备。
    MS170P10HGF4,P沟道MOSFET -100V/-170A ≤14mΩ低导通 SOT-227。低阻大电流、雪崩测试、高速开关,适用于DC斩波、推挽放大器、电池充电器、自动化测试设备。
  • 库   存:44
  • 起订量:12
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 12+ ¥143.4
  • 24+ ¥141.01
  • 36+ ¥137.425
合计:¥1,720.80
标准包装数量:120

MS100N50HGF4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS100N50HGF4
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOT-227
  • 描述: MS100N50HGF4 MOSFET 500V 100A 54mΩ SOT-227。低导通电阻,100%雪崩测试,低Qg,适用于半桥电路、PFC和其他转换器、线性放大器等。
    MS100N50HGF4 MOSFET 500V 100A 54mΩ SOT-227。低导通电阻,100%雪崩测试,低Qg,适用于半桥电路、PFC和其他转换器、线性放大器等。
  • 库   存:65
  • 起订量:12
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 12+ ¥312
  • 24+ ¥306.8
  • 36+ ¥299
合计:¥3,744.00
标准包装数量:120

MS60N270DD1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS60N270DD1
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: --
  • 库   存:48
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.72
  • 5000+ ¥0.708
  • 7500+ ¥0.69
合计:¥1,800.00
标准包装数量:2500

MS2N300HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS2N300HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: --
  • 库   存:361
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥218.3
  • 450+ ¥218.3
合计:¥98,235.00
标准包装数量:450
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