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MS5N100FT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS5N100FT
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:T-0-220
  • 描述: 42nC 3.5Ω@10V,1.75A 5A T-0-220
    42nC 3.5Ω@10V,1.75A 5A T-0-220
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.9097
  • 50+ ¥1.7745
合计:¥1.91
标准包装数量:50

MS5N100 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS5N100
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-3PH
  • 描述: 42nC 3.5Ω@10V,1.75A 5A TO-3PH
    42nC 3.5Ω@10V,1.75A 5A TO-3PH
  • 库   存:350
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.4295
  • 30+ ¥2.2575
合计:¥2.43
标准包装数量:30

MS8N100FC 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS8N100FC
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: --
  • 库   存:60
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.5087
  • 30+ ¥4.1895
合计:¥4.51
标准包装数量:30

MS120N15FB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS120N15FB
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-3PB
  • 描述: 89nC 5.8mΩ@ 10V,50A 120A TO-3PB
    89nC 5.8mΩ@ 10V,50A 120A TO-3PB
  • 库   存:90
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.7235
  • 30+ ¥6.2475
合计:¥6.72
标准包装数量:30

MS15N100HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS15N100HGC0
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 61nC 900mΩ@ 10V,7.5A 15A TO-247
    61nC 900mΩ@ 10V,7.5A 15A TO-247
  • 库   存:120
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.9495
  • 30+ ¥6.4575
合计:¥6.95
标准包装数量:30

MS10N120HGT1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N120HGT1
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: --
  • 库   存:70
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.7405
  • 50+ ¥7.1925
合计:¥7.74
标准包装数量:50

MS5N170FC 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS5N170FC
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 38nC 5.3Ω@10V,3A 5A TO-247
    38nC 5.3Ω@10V,3A 5A TO-247
  • 库   存:71
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.2095
  • 30+ ¥8.5575
合计:¥9.21
标准包装数量:30

MS18N100HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS18N100HGC0
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 66.64nC 550mΩ@ 10V,9A 18A TO-247
    66.64nC 550mΩ@ 10V,9A 18A TO-247
  • 库   存:32
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥13.2775
  • 30+ ¥12.3375
合计:¥13.28
标准包装数量:30

MS9N150HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS9N150HGC0
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 30V 60nC 1.5KV 2.2Ω@10V,4A 9A TO-247
    30V 60nC 1.5KV 2.2Ω@10V,4A 9A TO-247
  • 库   存:95
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥15.255
  • 30+ ¥14.175
合计:¥15.26
标准包装数量:30

MS140N30HGB3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS140N30HGB3
  • 厂牌:Maspower/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-264
  • 描述: 185nC 26mΩ@ 10V,70A 140A TO-264
    185nC 26mΩ@ 10V,70A 140A TO-264
  • 库   存:295
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥20.34
  • 25+ ¥18.9
合计:¥20.34
标准包装数量:25

MS3N06FF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS3N06FF
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 6nC 78mΩ@ 10V,3A 3A SOP-8
    6nC 78mΩ@ 10V,3A 3A SOP-8
  • 库   存:28010
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.54
  • 6000+ ¥0.531
  • 9000+ ¥0.5175
合计:¥1,620.00
标准包装数量:3000

2N3660 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N3660
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 2N3660,双N沟道 MOSFET,60V,4.5A,SOP-8,trench工艺、低Rds、低栅电荷,适用于推挽、逆变、BMS、桥式电路
    2N3660,双N沟道 MOSFET,60V,4.5A,SOP-8,trench工艺、低Rds、低栅电荷,适用于推挽、逆变、BMS、桥式电路
  • 库   存:28000
  • 起订量:4000
  • 增   量:4000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 4000+ ¥1.14
  • 8000+ ¥1.121
  • 12000+ ¥1.0925
合计:¥4,560.00
标准包装数量:4000

MS10N40HGT0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N40HGT0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 19.7nC 430mΩ@ 10V,5A 10A TO-220
    19.7nC 430mΩ@ 10V,5A 10A TO-220
  • 库   存:3918
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥2.36
  • 3000+ ¥2.3
合计:¥2,360.00
标准包装数量:1000

MS40N25HGT0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS40N25HGT0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-220C
  • 描述: MS40N25HGT0 N沟道MOSFET 250V 40A 80mΩ TO-2200。低栅电荷(Qg典型87nC)、低Crss(典型82pF),100%雪崩测试,适用于高效开关电源(SMPS)、半桥电子镇流器、UPS。
    MS40N25HGT0 N沟道MOSFET 250V 40A 80mΩ TO-2200。低栅电荷(Qg典型87nC)、低Crss(典型82pF),100%雪崩测试,适用于高效开关电源(SMPS)、半桥电子镇流器、UPS。
  • 库   存:292
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 50+ ¥3.9
  • 100+ ¥3.835
  • 150+ ¥3.7375
合计:¥195.00
标准包装数量:5000

MS10N100HGE0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS10N100HGE0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: MS10N100HGE0,N沟道MOSFET 1000V 10A 1.45Ω TO-263。低 Rds、雪崩、高速、低损耗,适用高效开关电源、LED电源等。
    MS10N100HGE0,N沟道MOSFET 1000V 10A 1.45Ω TO-263。低 Rds、雪崩、高速、低损耗,适用高效开关电源、LED电源等。
  • 库   存:3333
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 800+ ¥4.26
  • 1600+ ¥4.189
  • 2400+ ¥4.0825
合计:¥3,408.00
标准包装数量:800

MSK2225 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MSK2225
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-3PM
  • 描述: MSK2225 超高耐压N沟道MOSFET 1500V 5A 5.5Ω TO-3PM
    MSK2225 超高耐压N沟道MOSFET 1500V 5A 5.5Ω TO-3PM
  • 库   存:2236
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 30+ ¥7.56
  • 60+ ¥7.434
  • 90+ ¥7.245
合计:¥226.80
标准包装数量:2000

MS30N150HGB3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS30N150HGB3
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-264
  • 描述: MS30N150HGB3 N 沟道 MOSFET 1500V 30A 659mΩ TO-264。超高压、低阻、雪崩测试、高浪涌,低反向传输电容、低栅电荷,改进dv/dt,适用于高效SMPS、电子镇流器、UPS。
    MS30N150HGB3 N 沟道 MOSFET 1500V 30A 659mΩ TO-264。超高压、低阻、雪崩测试、高浪涌,低反向传输电容、低栅电荷,改进dv/dt,适用于高效SMPS、电子镇流器、UPS。
  • 库   存:328
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 25+ ¥60.624
  • 50+ ¥59.6136
  • 75+ ¥58.098
合计:¥1,515.60
标准包装数量:1500

MS05N300HGE0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS05N300HGE0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: MS05N300HGE0 高压N沟道MOSFET 3000V/0.5A/39Ω/TO-263,100%雪崩测试,快本征二极管,适用于高压电源、光伏逆变器。
    MS05N300HGE0 高压N沟道MOSFET 3000V/0.5A/39Ω/TO-263,100%雪崩测试,快本征二极管,适用于高压电源、光伏逆变器。
  • 库   存:926
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 800+ ¥96
  • 1600+ ¥94.4
  • 2400+ ¥92
合计:¥76,800.00
标准包装数量:800

MS05N350HGE0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS05N350HGE0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: MS05N350HGE0,3500V 0.5A 40Ω TO-263超高压 N沟道MOSFET。100% 雪崩、低栅电荷、高速,适用高压电源、光伏逆变。
    MS05N350HGE0,3500V 0.5A 40Ω TO-263超高压 N沟道MOSFET。100% 雪崩、低栅电荷、高速,适用高压电源、光伏逆变。
  • 库   存:3616
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-12工作日
  • 800+ ¥105.6
  • 1600+ ¥103.84
  • 2400+ ¥101.2
合计:¥84,480.00
标准包装数量:800

MS4N250HGC0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MS4N250HGC0
  • 厂牌:MASPOWER/深圳麦思浦半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: --
  • 库   存:518
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 450+ ¥276.12
  • 450+ ¥276.12
合计:¥124,254.00
标准包装数量:450
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