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STGD4H60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGD4H60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:2500

STGF14NC60KD-VB IGBT单管

  • 型号: STGF14NC60KD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.5758 ¥3.764
  • 100+ ¥3.458 ¥3.64
  • 200+ ¥3.3706 ¥3.548
  • 300+ ¥3.3117 ¥3.486
合计:¥53.64
标准包装数量:1000

IKD10N60RF-VB IGBT单管

  • 型号: IKD10N60RF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 200+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 300+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥56.19
标准包装数量:2500

STGD10NC60KDT4-VB IGBT单管

  • 型号: STGD10NC60KDT4-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 200+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 300+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥56.19
标准包装数量:2500

STGD8NC60KD-VB IGBT单管

  • 型号: STGD8NC60KD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 200+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 300+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥56.19
标准包装数量:2500

NGTB10N60FG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB10N60FG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.5971 ¥4.839
  • 100+ ¥4.446 ¥4.68
  • 200+ ¥4.333 ¥4.561
  • 300+ ¥4.2579 ¥4.482
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

VBL16I07 IGBT单管

  • 型号: VBL16I07
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:800

STGP7NC60HD-VB IGBT单管

  • 型号: STGP7NC60HD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源系统、工业电源设备、照明驱动与可再生能源系统等。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源系统、工业电源设备、照明驱动与可再生能源系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:1000

STGF30M65DF2-VB IGBT单管

  • 型号: STGF30M65DF2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat(typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低损耗、高电流承载能力和良好热性能;适用于储能变流器、工业烤箱、高动态电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat(typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低损耗、高电流承载能力和良好热性能;适用于储能变流器、工业烤箱、高动态电机驱动等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8106 ¥7.169
  • 50+ ¥6.5873 ¥6.934
  • 100+ ¥6.4192 ¥6.757
  • 200+ ¥6.308 ¥6.64
合计:¥68.11
标准包装数量:1000

STGP30M65DF2-VB IGBT单管

  • 型号: STGP30M65DF2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、中频开关场景,尤其在存在感性负载或需要高可靠性的工业/民用设备中表现突出。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、中频开关场景,尤其在存在感性负载或需要高可靠性的工业/民用设备中表现突出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.513 ¥8.961
  • 50+ ¥8.2337 ¥8.667
  • 100+ ¥8.0247 ¥8.447
  • 200+ ¥7.885 ¥8.3
合计:¥42.57
标准包装数量:1000

STGWA40H65DFB2-VB IGBT单管

  • 型号: STGWA40H65DFB2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.9576 ¥9.429
  • 50+ ¥8.664 ¥9.12
  • 100+ ¥8.4436 ¥8.888
  • 200+ ¥8.2973 ¥8.734
合计:¥44.79
标准包装数量:300

AOK10B60D-VB IGBT单管

  • 型号: AOK10B60D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

NGTB40N60FL2WG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB40N60FL2WG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

STGW30NC60VD-VB IGBT单管

  • 型号: STGW30NC60VD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IKW75N65EL5-VB IGBT单管

  • 型号: IKW75N65EL5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.5V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V;适用于高可靠性、大电流、中低开关频率的电力电子场景;如工业电机驱动、变频器、大功率充电桩、通用高功率开关电源与UPS系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.5V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V;适用于高可靠性、大电流、中低开关频率的电力电子场景;如工业电机驱动、变频器、大功率充电桩、通用高功率开关电源与UPS系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥14.9302 ¥15.716
  • 50+ ¥14.441 ¥15.201
  • 100+ ¥14.0733 ¥14.814
  • 200+ ¥13.8292 ¥14.557
合计:¥74.65
标准包装数量:300

STGWA80H65DFBAG-VB IGBT单管

  • 型号: STGWA80H65DFBAG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;5Vth(V);适用于汽车油箱油泵控制器、工业电机驱动、可再生能源系统、充电桩以及电动汽车辅助电源等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;5Vth(V);适用于汽车油箱油泵控制器、工业电机驱动、可再生能源系统、充电桩以及电动汽车辅助电源等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥14.9302 ¥15.716
  • 50+ ¥14.441 ¥15.201
  • 100+ ¥14.0733 ¥14.814
  • 200+ ¥13.8292 ¥14.557
合计:¥74.65
标准包装数量:300

FGH60N60SMD-VB IGBT单管

  • 型号: FGH60N60SMD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

FGH50N6S2D-VB IGBT单管

  • 型号: FGH50N6S2D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:29950
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

FGAF40N60SMD-VB IGBT单管

  • 型号: FGAF40N60SMD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-3P
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=60A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率、高可靠性的工业与车载电力电子系统;如逆变器模块、驱动电机、通讯设备等。
    台积电流片,长电封测。TO3P;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=60A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率、高可靠性的工业与车载电力电子系统;如逆变器模块、驱动电机、通讯设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥16.0303 ¥16.874
  • 50+ ¥15.505 ¥16.321
  • 100+ ¥15.1107 ¥15.906
  • 200+ ¥14.8476 ¥15.629
合计:¥80.15
标准包装数量:300

FGY60T120SWD-VB IGBT单管

  • 型号: FGY60T120SWD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 1+ ¥36.1466 ¥38.049
  • 30+ ¥34.9619 ¥36.802
  • 60+ ¥34.0727 ¥35.866
  • 60+ ¥34.0727 ¥35.866
合计:¥36.15
标准包装数量:300
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