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IKW40N60H3-VB IGBT单管

  • 型号: IKW40N60H3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥13.5121
  • 10+ ¥12.3472
  • 30+ ¥11.6819
  • 100+ ¥9.8778
  • 300+ ¥9.505
  • 1000+ ¥9.3187
合计:¥13.51
标准包装数量:300

AOT10B60D-VB IGBT单管

  • 型号: AOT10B60D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中小功率电机驱动、高可靠性连续运行系统、工业变频器与逆变桥等。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中小功率电机驱动、高可靠性连续运行系统、工业变频器与逆变桥等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.257 ¥4.481
  • 100+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 300+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥42.57
标准包装数量:1000

IKA10N65ET6-VB IGBT单管

  • 型号: IKA10N65ET6-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3843 ¥4.615
  • 100+ ¥4.2408 ¥4.464
  • 200+ ¥4.1325 ¥4.35
  • 300+ ¥4.0613 ¥4.275
合计:¥43.84
标准包装数量:1000

STGB7H60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGB7H60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:800

STGB5H60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGB5H60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:800

STGP14NC60KD-VB IGBT单管

  • 型号: STGP14NC60KD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源系统、工业电源设备、照明驱动与可再生能源系统等。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源系统、工业电源设备、照明驱动与可再生能源系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:1000

HGT1S7N60C3DS9A-VB IGBT单管

  • 型号: HGT1S7N60C3DS9A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:800

STGF20H60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGF20H60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中等功率、高可靠性要求的电力电子系统;如工业自动化设备、智能电池管理系统、工业变频器与伺服驱动器等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中等功率、高可靠性要求的电力电子系统;如工业自动化设备、智能电池管理系统、工业变频器与伺服驱动器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.1507 ¥7.527
  • 50+ ¥6.917 ¥7.281
  • 100+ ¥6.7412 ¥7.096
  • 200+ ¥6.6234 ¥6.972
合计:¥71.51
标准包装数量:1000

IKB15N65EH5-VB IGBT单管

  • 型号: IKB15N65EH5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、快速开关特性和良好的热管理能力;适用于高可靠性储能系统、工业PLC或变频器输出模块等。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、快速开关特性和良好的热管理能力;适用于高可靠性储能系统、工业PLC或变频器输出模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.1719 ¥8.602
  • 50+ ¥7.904 ¥8.32
  • 100+ ¥7.7036 ¥8.109
  • 200+ ¥7.5696 ¥7.968
合计:¥40.86
标准包装数量:800

STGB30H60DFB-VB IGBT单管

  • 型号: STGB30H60DFB-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有优异的电气特性和稳定可靠的性能,适用于中频、中高功率的工业与电力电子场景。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有优异的电气特性和稳定可靠的性能,适用于中频、中高功率的工业与电力电子场景。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.4864 ¥8.933
  • 50+ ¥8.208 ¥8.64
  • 100+ ¥7.999 ¥8.42
  • 200+ ¥7.8603 ¥8.274
合计:¥42.43
标准包装数量:800

STGW40V60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGW40V60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

STGW10M65DF2-VB IGBT单管

  • 型号: STGW10M65DF2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

STGWA50HP65FB2-VB IGBT单管

  • 型号: STGWA50HP65FB2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥14.9302 ¥15.716
  • 50+ ¥14.441 ¥15.201
  • 100+ ¥14.0733 ¥14.814
  • 200+ ¥13.8292 ¥14.557
合计:¥74.65
标准包装数量:300

STGWT60H65DFB-VB IGBT单管

  • 型号: STGWT60H65DFB-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-3P
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=60A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率、高可靠性的工业与车载电力电子系统;如逆变器模块、驱动电机、通讯设备等。
    台积电流片,长电封测。TO3P;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=60A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率、高可靠性的工业与车载电力电子系统;如逆变器模块、驱动电机、通讯设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

FGA40S65SH-VB IGBT单管

  • 型号: FGA40S65SH-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-3P
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=60A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率、高可靠性的工业与车载电力电子系统;如逆变器模块、驱动电机、通讯设备等。
    台积电流片,长电封测。TO3P;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=60A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率、高可靠性的工业与车载电力电子系统;如逆变器模块、驱动电机、通讯设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

STGWA50M65DF2-VB IGBT单管

  • 型号: STGWA50M65DF2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

IKW50N65F5-VB IGBT单管

  • 型号: IKW50N65F5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

NGTB40N120S3WG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB40N120S3WG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥21.2164 ¥22.333
  • 30+ ¥20.521 ¥21.601
  • 60+ ¥19.9994 ¥21.052
  • 100+ ¥19.6517 ¥20.686
合计:¥42.43
标准包装数量:300

NGTB40N120IHLWG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB40N120IHLWG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥21.2164 ¥22.333
  • 30+ ¥20.521 ¥21.601
  • 60+ ¥19.9994 ¥21.052
  • 100+ ¥19.6517 ¥20.686
合计:¥42.43
标准包装数量:300

VBP165I80 IGBT单管

  • 型号: VBP165I80
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V),适用于中高功率、高可靠性的电力电子场景;如电动汽车充电桩、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V),适用于中高功率、高可靠性的电力电子场景;如电动汽车充电桩、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥21.3741 ¥22.499
  • 30+ ¥20.6739 ¥21.762
  • 60+ ¥20.1476 ¥21.208
  • 60+ ¥20.1476 ¥21.208
合计:¥42.75
标准包装数量:300
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